- 三星與特斯拉合作開(kāi)發(fā)第五代自動(dòng)駕駛芯片，采用4nm工藝
- 不用擔(dān)心，美國(guó)卡住14nm工藝，但卡不住我們的軍用芯片
- 三星計(jì)劃 2027 年 1.4nm 工藝用上 BSPDN 背面供電技術(shù)
- 華為芯片堆疊專利曝光，2顆14nm芯片堆疊，強(qiáng)于7nm芯片？
- 三星4nm工藝良品率提升至75%以上，已接近臺(tái)積電
- 不黑不吹，卡14nm，美國(guó)是卡準(zhǔn)了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的“七寸”
- 三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上
- 高通和聯(lián)發(fā)科全力推動(dòng)中低端手機(jī)SoC遷移到4nm工藝
- 美國(guó)、日本、荷蘭芯片禁令出爐：14nm以下芯片我們只能靠自己
- 中國(guó)芯片設(shè)計(jì)、封測(cè)均達(dá)到3nm了，但制造拖后腿！僅14nm
