中商情報(bào)網(wǎng)訊：隨著我國集成電路國產(chǎn)化進(jìn)程的加深、下游應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展以及國內(nèi)封測龍頭企業(yè)工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，國內(nèi)封測行業(yè)市場空間將進(jìn)一步擴(kuò)大。

集成電路封測行業(yè)市場現(xiàn)狀

受益于人工智能及物聯(lián)網(wǎng)等新興行業(yè)迅速發(fā)展及國產(chǎn)替代效應(yīng)加劇，下游企業(yè)對集成電路的需求強(qiáng)勁，我國封測行業(yè)增速較快。數(shù)據(jù)顯示，我國集成電路封測行業(yè)市場規(guī)模由2017年的1889億元增至2020年的2510億元，年均復(fù)合增長率為9.9%。預(yù)計(jì)2022年我國集成電路封測行業(yè)將達(dá)2985億元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

近年來，中國封測企業(yè)通過海外并購快速積累先進(jìn)封裝技術(shù)，先進(jìn)封裝技術(shù)已與海外廠商同步，但先進(jìn)封裝產(chǎn)品的營收在總營收的占比與中國臺(tái)灣及美國封測巨頭企業(yè)存在一定差距。國內(nèi)封測龍頭企業(yè)江蘇長電進(jìn)入全球前三，市占率達(dá)14.0%。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

集成電路封測行業(yè)發(fā)展趨勢

1、集成電路進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”，先進(jìn)封裝作用突顯

在集成電路制程方面，“摩爾定律”認(rèn)為集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。長期以來，“摩爾定律”一直引領(lǐng)著集成電路制程技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，自1987年的1um制程至2015年的14nm制程，集成電路制程迭代一直符合“摩爾定律”的規(guī)律。但2015年以后，集成電路制程的發(fā)展進(jìn)入了瓶頸，7nm、5nm、3nm制程的量產(chǎn)進(jìn)度均落后于預(yù)期。隨著臺(tái)積電宣布2nm制程工藝實(shí)現(xiàn)突破，集成電路制程工藝已接近物理尺寸的極限，集成電路行業(yè)進(jìn)入了“后摩爾時(shí)代”。“后摩爾時(shí)代”制程技術(shù)突破難度較大，工藝制程受成本大幅增長和技術(shù)壁壘等因素上升改進(jìn)速度放緩。由于集成電路制程工藝短期內(nèi)難以突破，通過先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片整體性能成為了集成電路行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢。

2、先進(jìn)封裝將成為未來封測市場的主要增長點(diǎn)

隨著5G通信技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、視覺識別、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用場景的快速興起，應(yīng)用市場對芯片功能多樣化的需求程度越來越高。在芯片制程技術(shù)進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”后，先進(jìn)封裝技術(shù)能在不單純依靠芯片制程工藝實(shí)現(xiàn)突破的情況下，通過晶圓級封裝和系統(tǒng)級封裝，提高產(chǎn)品集成度和功能多樣化，滿足終端應(yīng)用對芯片輕薄、低功耗、高性能的需求，同時(shí)大幅降低芯片成本。因此，先進(jìn)封裝在高端邏輯芯片、存儲(chǔ)器、射頻芯片、圖像處理芯片、觸控芯片等領(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)用。

3、系統(tǒng)級封裝是先進(jìn)封裝市場增長的重要?jiǎng)恿?/strong>

系統(tǒng)級封裝可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運(yùn)算器、傳感器、存儲(chǔ)器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)器件混合搭載于同一封裝體內(nèi)，系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠(yuǎn)低于復(fù)雜程度相同的單芯片系統(tǒng)，日益成為先進(jìn)封裝市場增長的重要?jiǎng)恿Α?/span>

4、高密度細(xì)間距凸點(diǎn)倒裝產(chǎn)品類產(chǎn)品市場興起

傳統(tǒng)WB工藝，芯片通過金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的I/O焊盤上直接沉積，或通過RDL布線后沉積凸點(diǎn)，然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝下。與WB相比，F(xiàn)C封裝技術(shù)的I/O數(shù)多；互連長度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所減少。與應(yīng)用FC技術(shù)的SiP芯片不同，F(xiàn)C芯片的沉積凸點(diǎn)更多，密度更大，大大減小了對面積的浪費(fèi)。相比應(yīng)用FC技術(shù)的SiP芯片來說，F(xiàn)C芯片有著諸多的優(yōu)勢，比如更小的封裝尺寸與更快的器件速度。