中商情報網(wǎng)訊：半導體襯底材料包括硅材料和砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體材料。硅是目前技術最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料，近年來隨著材料制備技術與下游應用市場的成熟，以碳化硅為代表的第三代半導體襯底材料市場規(guī)模持續(xù)擴大。

市場規(guī)模

碳化硅器件正在廣泛地被應用在電力電子領域中，典型市場包括軌交、功率因數(shù)校正電源、風電、光伏、新能源汽車、充電樁、不間斷電源等。2018-2019年，受新能源汽車、工業(yè)電源等應用的推動，全球電力電子碳化硅的市場規(guī)模從4.3億美元增長至5.64美元，中商產(chǎn)業(yè)研究院預測未來市場仍將因新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而增長，預計2021年的市場規(guī)模將達7億美元。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場競爭格局

從全球碳化硅襯底的企業(yè)經(jīng)營情況來看，以導電性碳化硅晶片廠商市場占有率為參考，美國CREE公司占龍頭地位，市場份額達62％，其次是美國II-VI公司，市場份額約為16％?？傮w來看，在碳化硅市場中，美國廠商占據(jù)主要地位。我國碳化硅晶體、晶片領域的研究從20世紀90年代末開始起步，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術水平和產(chǎn)能規(guī)模的限制，未進入工業(yè)化生產(chǎn)。進入21世紀，以天科合達為代表的國內(nèi)企業(yè)開始探索碳化硅單晶片的工業(yè)化生產(chǎn)，經(jīng)過10余年的持續(xù)研發(fā)與探索，掌握了2-6英寸的碳化硅晶體生長和晶片加工的關鍵技術。

數(shù)據(jù)來源：Yole Development、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

未來發(fā)展趨勢

1.碳化硅晶片尺寸持續(xù)擴大，6英寸晶片將成為主流

與第一代半導體硅晶片類似，第三代半導體碳化硅晶片向大尺寸方向不斷發(fā)展，以不斷提高下游對碳化硅片的利用率和生產(chǎn)效率。伴隨CREE、II-VI等企業(yè)6英寸碳化硅晶片制造技術的成熟完善，6英寸產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性逐漸提高，國外下游器件制造廠商對碳化硅晶片的采購需求逐漸由4英寸向6英寸轉(zhuǎn)化。國內(nèi)方面，以天科合達為代表的碳化硅晶片企業(yè)也成功研制6英寸產(chǎn)品，并逐漸形成規(guī)?；┴浤芰?。在8英寸碳化硅晶片尚未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的情況下，6英寸碳化硅晶片將成為市場主流產(chǎn)品。

2.國內(nèi)碳化硅材料企業(yè)快速崛起

國內(nèi)企業(yè)以技術驅(qū)動發(fā)展，深耕碳化硅晶片與晶體制造，逐步掌握了2英寸至6英寸碳化硅晶體和晶片的制造技術，打破了國內(nèi)碳化硅晶片制造的技術空白并逐漸縮小與發(fā)達國家的技術差距。未來伴隨我國新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等行業(yè)的快速發(fā)展，我國碳化硅材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模和產(chǎn)業(yè)技術將得到進一步提升。

3.國內(nèi)進口替代趨勢不可逆轉(zhuǎn)

在國際貿(mào)易摩擦加劇的背景下，半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控是我國發(fā)展智能制造、電子信息等國民經(jīng)濟支柱行業(yè)、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級的戰(zhàn)略性任務。目前我國半導體產(chǎn)業(yè)進口依賴依然嚴重，為發(fā)展我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控，國家宏觀到微觀層面先后出臺了大量支持政策與規(guī)劃，促進國內(nèi)企業(yè)在半導體設備、材料、設計等各個細分領域的重點突破。

目前我國完善的基建配套、巨大的工程技術人員規(guī)模和市場容量已經(jīng)培育出了在細分領域具有國際競爭力的半導體產(chǎn)品制造企業(yè)。半導體產(chǎn)業(yè)是資金密集、技術密集和人才密集的產(chǎn)業(yè)，國內(nèi)半導體企業(yè)在政策引導、資金支持下，產(chǎn)能規(guī)模和制造技術均能保持穩(wěn)定發(fā)展，半導體產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)進口替代的趨勢不可逆轉(zhuǎn)。

未來發(fā)展前景

1.第三代半導體戰(zhàn)略地位得到廣泛重視

由于在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、消費電子、國防軍工、航空航天等諸多領域具有廣闊的應用前景，第三代半導體材料的重要性和戰(zhàn)略地位得到廣泛重視。歐盟委員會、美國能源部、日本新能源產(chǎn)業(yè)技術開發(fā)機構等發(fā)達國家和機構相繼啟動第三代半導體襯底及器件的多個發(fā)展計劃和研發(fā)項目，推動本國（地區(qū)）第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，鞏固其在第三代半導體領域的領先地位。

資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

國內(nèi)方面，2016年至今，中央和地方政府對第三代半導體產(chǎn)業(yè)給予了高度重視，出臺多項產(chǎn)業(yè)發(fā)展扶持政策。國務院及工信部、國家發(fā)改委等部門先后在產(chǎn)業(yè)發(fā)展、營商環(huán)境、示范應用等方面出臺政策，進一步支持我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展；科技部通過“國家重點研發(fā)計劃”共支持第三代半導體和半導體照明相關研發(fā)項目超過30項，涵蓋電力電子、微波射頻應用的多個應用領域，對第三代半導體基礎研究及前沿技術、重大共性關鍵技術、典型應用示范給予高度重視和重點支持；北京、深圳、濟南、長沙等地方各級政府出臺多項產(chǎn)業(yè)發(fā)展措施和政策，引導和支持區(qū)域內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2.碳化硅晶片需求旺盛，供給相對不足

隨著新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等行業(yè)加大應用碳化硅器件的投資，全球?qū)μ蓟杵骷枨蟪掷m(xù)增長，國內(nèi)碳化硅器件領域的投資也逐漸升溫，對上游碳化硅晶片的需求持續(xù)。因此，新進入的碳化硅晶片生產(chǎn)商在短期內(nèi)形成規(guī)模化供應能力存在較大難度，市場供給仍主要依靠現(xiàn)有晶片生產(chǎn)商擴大自身生產(chǎn)能力，國內(nèi)碳化硅晶片供給不足的局面預計仍將維持一段時間。