外媒指出，蘋果下一代iPhone 14所搭載的A16(暫稱)處理器芯片，將不會由臺積電3nm制程生產(chǎn)，指出是臺積電在3nm制程研發(fā)面臨困境，臺積電則是響應(yīng)不評論市場傳聞，重申3nm制程按計劃進(jìn)行。面對客戶可能在采用3nm制程遲疑，業(yè)者指稱，這些龍頭廠商更優(yōu)先考慮的其實是「成本」，面臨先進(jìn)技術(shù)態(tài)度也更為保守，反而是想擴(kuò)張市占率的業(yè)者，包括AMD、聯(lián)發(fā)科等，更有機(jī)會大膽采用。

臺積電總裁魏哲家去年8月25日在線全球技術(shù)論壇指出，整合旗下包括SoIC(系統(tǒng)整合芯片)、InFO(整合型扇出封裝技術(shù))、CoWoS(基板上芯片封裝)等3DIC技術(shù)平臺，命名為「TSMC 3DFabric」，持續(xù)提供業(yè)界最完整且最多用途的解決方案，實現(xiàn)更多創(chuàng)新產(chǎn)品設(shè)計，協(xié)助客戶面對物理極限的解方。

臺積電10月26日推出4nm制程N4P，做為臺積電5nm家族的第3個主要強(qiáng)化版本，N4P的效能較原先的N5增快11%，也較N4增快6%。相較于N5，N4P的功耗效率提升22%，晶體管密度增加6%。同時，N4P藉由減少光罩層數(shù)來降低制程復(fù)雜度且改善芯片的生產(chǎn)周期。

N4P基本上就是2022年蘋果新一代iPhone所搭載A16芯片所需制程。供應(yīng)鏈業(yè)者透露， A16芯片將有架構(gòu)上大幅更動，采用N4P制程可以透過小芯片封裝(Chiplet)，再增加芯片的晶體管集積度（Density）、降低成本，更可以提高運算效能及有效降低功耗。

外媒MacRumors也披露，iPhone 14的A16芯片將采用4nm制程，較前兩代iPhone搭載A14、A15的5nm芯片，尺寸更小，效能提高且更省電。

從semiwiki統(tǒng)整數(shù)據(jù)顯示，臺積電在開放創(chuàng)新論壇（OIP）釋出更多先進(jìn)制程推進(jìn)數(shù)據(jù)，3nm制程在開放創(chuàng)新伙伴的設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO)下，目標(biāo)PPA較5nm邏輯密度增加1.6倍、傳輸速度提升11%，節(jié)能27%。目前該平臺關(guān)于3nm制程以下的技術(shù)檔案達(dá)3萬8000個，開發(fā)中制程設(shè)計套件也超過2600個。

臺積電總裁魏哲家10月臺積電法說指出，3nm量產(chǎn)首年有許多新產(chǎn)品設(shè)計定案，預(yù)計2021年下半年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)，由于制程上更為復(fù)雜，須要采用更多新設(shè)備，到時候成本一定比5nm制程高，預(yù)期2023年第一季將明顯貢獻(xiàn)營收，3nm強(qiáng)化版N3E制程量產(chǎn)則是預(yù)定在3nm推出1年后。

據(jù)《Digitimes》報導(dǎo)，臺積電的先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)保持強(qiáng)大競爭力，但是包括蘋果、NVIDIA等龍頭業(yè)者態(tài)度趨于保守，主要是依照目前的產(chǎn)品需求來看，考慮到綜合效能、穩(wěn)定以及維持良率，必須在研發(fā)與量產(chǎn)過程中投入大量成本，在市場需求與成本評估下，不太需要采用最新的先進(jìn)制程技術(shù)。

不過，一些急起直追的廠商，可能就會更愿意采用最新的技術(shù)，包括近年來成功吃下X86架構(gòu)20%市占率的美國處理器大廠AMD，以及臺灣地區(qū)的IC設(shè)計龍頭聯(lián)發(fā)科，從高效能運算(HPC)領(lǐng)域的3D IC、手機(jī)AP的Fan-out封裝，都需要TSMC 3DFabric支持，才能獲得市場青睞，進(jìn)而擴(kuò)張市占率。

從蘋果的產(chǎn)品來看，去年發(fā)表首款搭載在Mac與部分iPad產(chǎn)品、基于ARM架構(gòu)設(shè)計的M1處理器、采用臺積電5nm制程，光是性能與功耗表現(xiàn)，就超越過去同款產(chǎn)品采用英特爾處理器表現(xiàn)，今年發(fā)表搭載在MacBook Pro的M1 Pro/Max芯片，更是被稱為怪獸級系統(tǒng)單芯片(SoC)，預(yù)料就算蘋果在AP處理器采用N4P制程，有高機(jī)率優(yōu)先在計算機(jī)與平板導(dǎo)入3nm制程。

臺積電3nm制程仍延用的鰭式場效晶體管(FinFET)，主要是基于EUV技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力，以及符合預(yù)期的良率表現(xiàn)，在減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆棧誤差，并降低整體成本，并打算2nm制程才使用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-AroundGAAGAA），雖然三星3nm制程就使用GAA技術(shù)，但在臺積電密切與客戶合作研發(fā)下，以及在EUV機(jī)臺使用效率更高，讓臺積電在先進(jìn)制程之爭繼續(xù)維持優(yōu)勢。