一文讀懂理想二極管的原理與應(yīng)用
關(guān)鍵詞: 零壓降MOS技術(shù) GaN充電器應(yīng)用 反向輸入保護(hù) 協(xié)同設(shè)計(jì)策略 分立方案成本優(yōu)勢(shì)
本文研究理想二極管的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用。二極管在許多應(yīng)用中都很有用,二極管應(yīng)用下都會(huì)有壓降,一般來(lái)說(shuō)不是問(wèn)題,但是在高電流應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生功率損耗。理想二極管是電路分析中的理想化模型,其核心特征是正向?qū)銐航?、反向截止零漏電流,目前技術(shù)不斷發(fā)展,理想二極管技術(shù)正逐漸接近理想二極管模型,成為工程師們的熱門(mén)選擇。本文將深入剖析理想二極管的工作原理、核心優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景、選型挑戰(zhàn),并結(jié)合實(shí)際案例,為您提供全面的技術(shù)參考。
理想二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
電流導(dǎo)通時(shí),傳統(tǒng)的二極管具有一定的壓降。普通的硅二極管在0.6v到0.7v之間,而肖特基二極管性能較好,也有約0.3v的壓降。因此大電流的應(yīng)用場(chǎng)景就會(huì)造成顯著的功率損耗。而理想二極管則是設(shè)想在電路中正向電壓0壓降的二極管模型,是一種簡(jiǎn)化的理想特性,實(shí)際二極管的正向壓降、反向漏電流、結(jié)電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等都并非理想特性。
使用理想二極管作為電路分析可以降低其復(fù)雜程度,快速抓住電路功能的核心邏輯,并且方便初始了解的人建立基本概念,同時(shí)在初始階段中讓工程師可以快速判斷電路的可行性,提供高效的理論支撐。總之,理想二極管可達(dá)到驗(yàn)證電路功能、簡(jiǎn)化公式、輔助故障分析的作用。
理想二極管技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用
目前理想二極管的理論模型通過(guò)材料創(chuàng)新、結(jié)構(gòu)優(yōu)化和集成化設(shè)計(jì)走向?qū)嶋H應(yīng)用,逐漸靠近0壓降和0漏電流的理想特性。在目前理想二極管技術(shù)發(fā)展中采用了低導(dǎo)通電阻的MOS管,以此模擬二極管的單向電流流動(dòng)特性。更進(jìn)一步還有集成式的理想二極管方案,在傳統(tǒng)的二極管功能上增加了限流和浪涌限制等等功能。
如1A電流負(fù)載中,10mΩ的MOS管僅產(chǎn)生了10mV的壓降,傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)二極管高達(dá)600mV壓降。而1A負(fù)載下的10mΩMOS管功率損耗僅為10mW,普通的二極管功率損耗達(dá)到了600mW!理想二極管理想化技術(shù)顯然有著很大優(yōu)勢(shì),這讓它被廣泛運(yùn)用在需要降低功率損耗的工業(yè)電源、電池供電、電信數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中。
理想二極管應(yīng)用的挑戰(zhàn)
雖然理想二極管從理想模型走向了實(shí)際,但是在實(shí)際運(yùn)用中,仍然需要面對(duì)散熱管理、電流處理能力、額定電壓、集成復(fù)雜性、成本和供應(yīng)穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。同時(shí),理想二極管技術(shù)實(shí)際上仍然存在正向壓降和功率損耗,離理想模型的零損耗仍然有一定的差距;實(shí)際應(yīng)用中,高溫或者高壓情況下漏電流仍然增大;實(shí)際開(kāi)關(guān)時(shí)間仍有損耗,存在反向恢復(fù)時(shí)間。為達(dá)成理想特性,需要另外加上集成控制和MOS管,這會(huì)導(dǎo)致電路面積增大、成本上升、設(shè)計(jì)復(fù)雜度提高的問(wèn)題,材料上也存在生產(chǎn)成本高、工藝成熟度低的問(wèn)題。
理想二極管的理論完美性和物理實(shí)現(xiàn)具有矛盾,實(shí)際器件應(yīng)用需要根據(jù)場(chǎng)景選擇折中。針對(duì)理想二極管技術(shù)的核心需求,合科泰雖未布局集成理想二極管,但卻通過(guò)低導(dǎo)通電阻MOSFET與特快恢復(fù)二極管的智能驅(qū)動(dòng)電路的協(xié)同設(shè)計(jì),打造出等效于集成理想二極管的高效解決方案。65W以上GaN充電器需要兼顧體積與效率,傳統(tǒng)二極管的壓降損耗導(dǎo)致發(fā)熱,集成方案成本高且布局復(fù)雜。合科泰的核心器件HKTQ50N03(30V/50AMOSFET)+HKT-TRD30V(特快恢復(fù)二極管),具有超低導(dǎo)通損耗、快速反向阻斷、DFN3333封裝緊湊布局的優(yōu)勢(shì)。
HKTQ50N03(30V/50AMOSFET)+HKT-TRD30V(特快恢復(fù)二極管)是極具代表性的產(chǎn)品。它具備先進(jìn)的反向輸入保護(hù)、快速切換能力和高壓處理能力,能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)縫電源冗余,顯著提高能效。DFN3333封裝的熱阻RθJA=45℃/W,配合PCB焊盤(pán)散熱設(shè)計(jì),可在60A大電流下將結(jié)溫控制在150℃以內(nèi)。
結(jié)語(yǔ)
理想二極管技術(shù)憑借其高效、低損耗的特性,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的電源管理提供了新的解決方案。合科泰通過(guò)低阻MOSFET與特快恢復(fù)二極管的協(xié)同設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了等效于理想二極管的“低損耗、強(qiáng)保護(hù)、緊湊化”性能,同時(shí)保持了分立方案的靈活性與成本優(yōu)勢(shì)。無(wú)論是消費(fèi)電子的極致效率、工業(yè)設(shè)備的嚴(yán)苛環(huán)境,還是新能源的高壓挑戰(zhàn),合科泰以本土化的技術(shù)積累與供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì),為工程師提供“觸手可及”的高效解決方案。
