新能源汽車(chē)IGBT模塊中MOS管的關(guān)鍵作用
關(guān)鍵詞: 新能源汽車(chē) IGBT MOS管 電力控制 關(guān)鍵分立器件
行業(yè)背景
隨著新能源汽車(chē)技術(shù)的普及,對(duì)電力控制系統(tǒng)IGBT的需要也隨之提升,自2020年IGBT全球短缺以來(lái),國(guó)產(chǎn)替代IGBT研發(fā)制造興起,目前多數(shù)企業(yè)依賴(lài)外購(gòu)品牌加部分國(guó)產(chǎn)替代方案。今天咱們重點(diǎn)講講新能源汽車(chē)IGBT中的關(guān)鍵分立器件——MOS管,到底是如何促進(jìn)IGBT的電力控制。
新能源汽車(chē)的IGBT構(gòu)成
IGBT是新能源汽車(chē)電力控制系統(tǒng)的核心,作為一種復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件,是新能源汽車(chē)必不可少的一個(gè)環(huán)節(jié)。其內(nèi)部集成MOSFET柵極結(jié)構(gòu)和BJT輸出級(jí),核心元件有IGBT芯片、續(xù)流二極管FWD、DBC基板、散熱基板等。IGBT有著高耐壓、大電流、低損耗、可靠性等性能優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于高電壓、大電流的能源轉(zhuǎn)換與控制,其中少不了MOS管的作用。

MOS管在IGBT的應(yīng)用
IGBT本身能承受高電壓和大電流,但是反應(yīng)慢控制費(fèi)勁,MOS管柵極加壓后導(dǎo)通,可以給內(nèi)部的BJT雙極型晶體管發(fā)信號(hào),就可以以微安級(jí)電流控制IGBT,實(shí)現(xiàn)低功耗驅(qū)動(dòng)和降低整體導(dǎo)通壓降(1.5-2.5V)。
MOS管的開(kāi)關(guān)時(shí)間反應(yīng)快(10納秒級(jí)),如變頻器快速調(diào)速可以讓IGBT在10-100kHz頻率下工作;MOS導(dǎo)通時(shí),IGBT導(dǎo)通壓降降低至1.5-2.5V,比直接用BJT還省電。通過(guò)微溝槽技術(shù)等方式可優(yōu)化MOS管結(jié)構(gòu),能讓IGBT關(guān)斷更快,減少漏電流,降低損耗達(dá)20%
MOS管的氧化層是絕緣材質(zhì)(如SiO?),可以提供高輸入阻抗(10?Ω以上),把低壓端的控制電路和IGBT的高壓端隔離開(kāi)來(lái),避免短路漏電。而智能驅(qū)動(dòng)電路一旦檢測(cè)到MOS管狀態(tài)過(guò)壓、過(guò)流,就會(huì)讓MOS管關(guān)斷,保護(hù)IGBT不被燒壞。
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MOS管是IGBT的關(guān)鍵組成部分,有電壓控制、高頻開(kāi)關(guān)、電氣隔離三大核心功能,在IGBT里扮演“指揮官&保鏢”的角色,詳情可見(jiàn)以下內(nèi)容:
詳細(xì)數(shù)據(jù)可上官網(wǎng)查看
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