MDD的靜電放電（ESD）是電子設備和組件在生產、運輸和使用過程中常見的一種靜電現(xiàn)象。當帶電物體與電子器件接觸或靠近時，電荷快速轉移會形成瞬間高電壓和大電流，這種現(xiàn)象可能對電子器件造成不可逆的損害。以下將詳細分析ESD對電子器件的破壞機理及其后果。

1.ESD破壞的基本機理

ESD破壞通常是由瞬態(tài)高壓和大電流引發(fā)，主要通過以下幾種方式對電子器件造成影響：

1.1熱破壞

ESD過程中，大電流在器件內部產生局部過熱，可能引起材料的熔化或蒸發(fā)。

導電路徑損壞：半導體中的金屬導線可能因過熱而熔斷。

結區(qū)破壞：二極管或晶體管的PN結在高溫作用下可能被擊穿。

1.2電場擊穿

ESD產生的瞬態(tài)高電壓會導致器件內部的電場超過其耐受極限，破壞敏感結構。

氧化層擊穿：MOS器件的柵氧化層厚度極薄，強電場可能直接擊穿導致失效。

絕緣層破壞：芯片中的絕緣介質可能發(fā)生永久性破壞。

1.3電流損傷

快速變化的大電流會在器件中形成高電流密度，造成電遷移或金屬熔化。

金屬遷移：導電路徑中的金屬原子因高電流密度遷移，導致斷路或短路。

燒毀效應：瞬態(tài)電流會直接燒毀電路中的薄弱部分。

2.ESD破壞的主要表現(xiàn)

ESD對電子器件的破壞可以分為顯性和隱性兩種：

顯性破壞：器件完全失效，例如短路、開路或封裝損壞。

隱性破壞：器件性能下降，但仍能部分工作，例如參數(shù)漂移或噪聲增加，這種破壞可能在后續(xù)使用中導致器件壽命縮短或隨機失效。

3.不同類型器件的ESD敏感性

電子器件的ESD敏感性因其結構和材料不同而異：

MOS器件：因柵極氧化層薄，耐壓能力低，對ESD極為敏感。

雙極型晶體管：因結區(qū)面積較小，高電流密度易導致熱損傷。

LED和激光器：內部材料的脆弱性導致其對ESD電流尤為敏感。

高頻器件：工作頻率越高，其內部結構越小，ESD耐受能力越低。

4.ESD破壞的預防措施

為降低ESD的破壞風險，需要在設計、生產和使用環(huán)節(jié)中采取以下措施：

電路設計：增加ESD保護器件，如TVS二極管、靜電放電抑制電路。

工藝改進：在制造過程中使用防靜電材料及設備。

操作規(guī)范：在生產和運輸中，人員需佩戴防靜電手環(huán)、腳環(huán)，并使用防靜電包裝。

環(huán)境控制：在潔凈室中保持適當?shù)臐穸龋档挽o電積累。

ESD破壞是現(xiàn)代電子行業(yè)不可忽視的問題，其影響不僅表現(xiàn)在器件本身的失效，還可能導致整機設備的不穩(wěn)定或故障。通過深入了解ESD的破壞機理以及對電子器件的敏感性，可以更有效地采取針對性的防護措施，從而提升產品的可靠性和使用壽命。