受國際形勢與不可控因素等影響，全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈正在發(fā)生轉(zhuǎn)移，具備勞動(dòng)力和發(fā)展條件優(yōu)勢的東南亞地區(qū)成為全球大廠的首選之地。其中，馬來西亞、印度、新加坡等地已被多數(shù)廠商瞄準(zhǔn)，并迅速展開布局，占領(lǐng)一席地。

近日，世界先進(jìn)將聯(lián)合恩智浦半導(dǎo)體，在新加坡建設(shè)其首座12英寸半導(dǎo)體晶圓制造廠。

世界先進(jìn)x恩智浦，攻向12英寸晶圓廠

6月5日，晶圓代工廠世界先進(jìn)和恩智浦半導(dǎo)體宣布，計(jì)劃在新加坡共同成立一家制造合資公司VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），興建一座12英寸（300mm）晶圓廠。

資金投入方面，該晶圓廠投資金額約為78億美元，世界先進(jìn)將注資24億美元，并持有60%股權(quán)，恩智浦半導(dǎo)體將注資16億美元，持有40%股權(quán)，該晶圓廠將由世界先進(jìn)公司營運(yùn)。另外，雙方承諾將投入共19億美元的長期產(chǎn)能保證金及使用費(fèi)，剩余資金（包括借款）將由其他單位提供。

產(chǎn)能規(guī)劃方面，VSMC將為一家獨(dú)立的晶圓制造服務(wù)廠商，為合作伙伴雙方提供一定比例的產(chǎn)能。2029年，該晶圓廠月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)5.5萬片12英寸晶圓，將在新加坡創(chuàng)造約1500個(gè)工作機(jī)會(huì)。同時(shí)，在首座晶圓廠成功量產(chǎn)后，合作雙方將考慮建造第二座晶圓廠。

此座晶圓廠將采用130nm至40nm的技術(shù)，生產(chǎn)包括混合信號(hào)、電源管理和模擬產(chǎn)品，面向汽車、工業(yè)、消費(fèi)性電子及移動(dòng)終端等市場，相關(guān)技術(shù)授權(quán)及技術(shù)轉(zhuǎn)移預(yù)計(jì)將來自臺(tái)積電。VSMC將在獲得相關(guān)監(jiān)管機(jī)關(guān)核準(zhǔn)后，于2024年下半年開始興建首座晶圓廠，并預(yù)計(jì)于2027年開始量產(chǎn)。

目前，世界先進(jìn)擁有五座8英寸晶圓廠，分別位于臺(tái)灣地區(qū)、新加坡。其中，共三座8英寸廠位于新竹，一座8英寸廠位于桃園。2023年平均月產(chǎn)能約27.9萬片8英寸晶圓。

針對(duì)此次與恩智浦半導(dǎo)體的合作，世界先進(jìn)重事長方略表示，雙方只有8英寸廠，皆希望擁有12英寸廠，同時(shí)新廠已有超過半數(shù)產(chǎn)能取得包括NXP在內(nèi)多家客戶長約承諾，此外在新加坡設(shè)廠有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。

值得一提的是，世界先進(jìn)是晶圓代工廠龍頭臺(tái)積電的持股公司。業(yè)界認(rèn)為，世界先進(jìn)新廠敲定，關(guān)鍵推動(dòng)力之一是順應(yīng)臺(tái)積電成熟制程客戶所要求。90納米以上成熟制程在臺(tái)積電占營收比重已是低個(gè)位數(shù)，但又必須留住所有客戶，搭配各制造產(chǎn)能訂單，因此，轉(zhuǎn)由世界先進(jìn)承接臺(tái)積電客戶訂單。受多重因素影響，市場轉(zhuǎn)單效應(yīng)擴(kuò)大，世界先進(jìn)近期接獲高通、芯源（MPS）等多家客戶新單，下半年轉(zhuǎn)單效應(yīng)開始顯現(xiàn)。


半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造產(chǎn)業(yè)加速布局新加坡

作為襯底大廠之一的Soitec，認(rèn)為產(chǎn)業(yè)長期看來其實(shí)并沒有任何疲軟的跡象，所以仍然在加速產(chǎn)能布局中，預(yù)計(jì)將在2026財(cái)年實(shí)現(xiàn)450萬片的晶圓產(chǎn)能，而新加坡也是他們的產(chǎn)能擴(kuò)張目的地之一。Soitec將擴(kuò)張其巴西立的晶圓廠，實(shí)現(xiàn)200萬300mm2 SOI晶圓的年產(chǎn)量，用于智能手機(jī)芯片與汽車芯片。

目前位于巴西立的新加坡晶圓廠是Soitec在法國外的唯一生產(chǎn)基地，與此同時(shí)Soitec占股近80%的IP廠商Dolphin Design，同樣計(jì)劃在新加坡開展一個(gè)獨(dú)立的創(chuàng)新研發(fā)中心，這也是其首個(gè)在亞洲開展的創(chuàng)新研發(fā)中心。

在去年年底，美國應(yīng)用材料公司的新加坡新廠正式破土動(dòng)工，這也是他們數(shù)十億美元擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的一部分。這個(gè)耗資6億美元的區(qū)域樞紐工廠，將成為應(yīng)用材料在美國以外最大的工廠，2024年正式投入使用，并為新加坡創(chuàng)造1000個(gè)全新的工作崗位。而這僅僅是其在新加坡八年計(jì)劃的第一步，應(yīng)用材料會(huì)繼續(xù)在新加坡擴(kuò)大研發(fā)和制造的運(yùn)營活動(dòng)。

此外還有不少晶圓廠都已經(jīng)在新加坡規(guī)劃好了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，比如2021年就宣布將投資40億美元擴(kuò)大新加坡晶圓廠產(chǎn)能的格芯，以及斥資50億美元建立第二座新加坡新廠的聯(lián)電等。至于臺(tái)積電雖然已經(jīng)有了SSMC這一合資晶圓廠，但從臺(tái)積電和新加坡政府的意向來看，他們還打算在本地新建一座300mm2的先進(jìn)晶圓廠，不過具體計(jì)劃仍在協(xié)商當(dāng)中。


本土人才培養(yǎng)

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的人才困境上，新加坡除了充分利用其在人才引進(jìn)上的優(yōu)勢外，也打算加強(qiáng)本地人才的培養(yǎng)，于今年推出了新的青年大使計(jì)劃，半導(dǎo)體活躍青年計(jì)劃。該計(jì)劃將組織AMD、艾邁斯歐司朗和格芯等巨頭公司，與選定的青年大使開展一對(duì)一的指導(dǎo)課程，從而吸引更多的同齡人在畢業(yè)后投身半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

新加坡半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主席Jennifer Teong表示，半導(dǎo)體人才短缺是各國長期存在的問題，新加坡預(yù)計(jì)將在未來三到五年創(chuàng)造約2000個(gè)工作崗位，用于支持不斷增長的芯片需求。在數(shù)字化加速、AI等顛覆性新技術(shù)持續(xù)冒頭和半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造創(chuàng)新的推動(dòng)下，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的需求即便存在起伏，仍存在積極的招聘。

利用這一計(jì)劃與半導(dǎo)體公司合作，不僅擴(kuò)大了行業(yè)曝光度，增加了學(xué)習(xí)機(jī)會(huì)，也加強(qiáng)了他們培養(yǎng)卓越半導(dǎo)體人才，為未來經(jīng)濟(jì)做出有效貢獻(xiàn)的實(shí)力。


12英寸晶圓的魅力

目前，硅晶圓的主力是8英寸和12英寸的，從目前的市場行情來看，12英寸的明顯壓過8英寸一頭，這是為什么呢？

一個(gè)很重要的原因就是先進(jìn)制程的發(fā)展。14nm以下的芯片，如已經(jīng)量產(chǎn)的7nm、5nm、4nm、3nm，以及未來的2nm等，都是用12英寸晶圓制造的。原因在于：制程工藝越復(fù)雜，芯片的成本越高，為了控制成本，就要*化地利用硅晶圓，而晶圓尺寸越大，浪費(fèi)的越少，利用率越高。例如，用8英寸和12英寸晶圓生產(chǎn)同一制程工藝的芯片，12英寸所產(chǎn)芯片數(shù)量是8英寸的2.385倍。

12英寸晶圓的表面積大約為70659平方毫米，以華為麒麟990 5G處理器為例，其單個(gè)芯片面積為10.68×10.61＝113.31平方毫米，如果晶圓能夠被100%利用，可以生產(chǎn)出700個(gè)這樣的芯片，但實(shí)際上這是不可能的，芯片是方形的，晶圓是圓形的，一定會(huì)有損耗，理論計(jì)算可以產(chǎn)出640個(gè)左右，但考慮到良率等因素，實(shí)際能生產(chǎn)出500個(gè)左右。

再有，12英寸晶圓廠潔凈度要比8英寸高出不少，因此，同樣的芯片產(chǎn)品從8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到12英寸的，其良率會(huì)明顯提升，從而增加成本效益。


12英寸晶圓廠迎來投資高潮

根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)機(jī)構(gòu) SEMI 公布的季度 300mm（12 英寸）晶圓廠展望報(bào)告。報(bào)告顯示全球 12 英寸晶圓廠（前端）設(shè)備投資將于明年突破千億美元大關(guān)，而在 2027 年將達(dá)創(chuàng)紀(jì)錄的 1370 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 9864 億元人民幣）。

根據(jù)這份報(bào)告，2025 年全球 12 英寸晶圓廠的設(shè)備投資將較今年大增 20%，漲幅將創(chuàng) 2021 年以來的新高；而在 2026 和 2027 年將分別增長 12% 和 5%。

SEMI 表示，半導(dǎo)體行業(yè)前端設(shè)備投資的增加得益于多重因素，包括存儲(chǔ)領(lǐng)域市場的復(fù)蘇和對(duì)高性能計(jì)算（HPC）和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求。

中國大陸將在 2024~2027 每年投資 300 億美元，引領(lǐng)按地區(qū)劃分的投資金額榜單；而到 2027 年，臺(tái)灣地區(qū)、韓國、美國的年度投資額均將超過 200 億美元，分別達(dá) 280/263/247 億美元。

而按領(lǐng)域細(xì)分，到 2027 年晶圓代工、DRAM、NAND 三大領(lǐng)域的 12 英寸晶圓廠設(shè)備投資額將排在前列，分別達(dá)到 791/252/168 億美元，復(fù)合年增長率各為 7.6%、17.4% 和 29%。

其余的模擬、微型、光電、分立器件領(lǐng)域的設(shè)備投資則將在 3 年后達(dá)到 55/43/23/16 億美元的水平。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官阿吉特?馬諾查（Ajit Manocha）表示：“對(duì)未來幾年 300 毫米晶圓廠設(shè)備支出陡峭增長的預(yù)測，反映了滿足不同市場對(duì)電子產(chǎn)品日益增長需求所需的生產(chǎn)能力，以及 AI 創(chuàng)新催生的新一波應(yīng)用?！?/span>