三星電子近日擴(kuò)大了位于日本橫濱的新封裝研發(fā)基地的員工部署，以加快建設(shè)速度并支持下一代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的研發(fā)。

此次擴(kuò)建是三星于 2023 年決定在橫濱港未來(lái) 21 區(qū)建立先進(jìn)封裝實(shí)驗(yàn)室 (APL) 之后進(jìn)行的。該設(shè)施占地約 2,000 坪（6,600 平方米），將容納 100 多名研發(fā)人員，以增強(qiáng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)，預(yù)計(jì)于 2025 年開始運(yùn)營(yíng)。

最近的人員增加包括來(lái)自建筑運(yùn)營(yíng)、人力資源、財(cái)務(wù)和三星先進(jìn)封裝 (AVP) 業(yè)務(wù)部門的員工，凸顯了三星為加速 APL 的進(jìn)步并鞏固其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的地位所做的努力。

APL總投資額將達(dá)到400億日元（約合2.6億美元）。值得注意的是，日本政府宣布將提供2000億日元的補(bǔ)貼，占總投資額的一半。這筆補(bǔ)貼將來(lái)自日本的“后5G基金”，該基金致力于支持該國(guó)的半導(dǎo)體發(fā)展。

業(yè)內(nèi)人士分析，三星之所以選擇橫濱作為先進(jìn)封裝研發(fā)基地，主要原因在于該市聚集了眾多封裝相關(guān)企業(yè)，且擁有知名大學(xué)的優(yōu)秀人才。

據(jù)悉，三星計(jì)劃在APL重點(diǎn)研發(fā)AI和5G半導(dǎo)體后端工藝技術(shù)，這些技術(shù)也可能應(yīng)用于第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）HBM4。


臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能不足

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心GPU需求激增，特別是英偉達(dá)H100等AI芯片需求量的大幅上升，導(dǎo)致臺(tái)積電面臨CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)的產(chǎn)能危機(jī)。

據(jù)Trendforce報(bào)道，大型云端服務(wù)供應(yīng)商如微軟、谷歌、亞馬遜和Meta正在不斷擴(kuò)大其人工智能基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)今年的總資本支出將達(dá)到1700億美元。

這一增長(zhǎng)直接推動(dòng)了AI芯片需求的激增，進(jìn)而導(dǎo)致硅中介層面積的增加，單個(gè)12英寸晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量正在減少。

臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，計(jì)劃在2024年全面提升封裝產(chǎn)能，預(yù)計(jì)年底每月產(chǎn)能將達(dá)到4萬(wàn)片，相比2023年提升至少150%。

同時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)在規(guī)劃2025年的CoWoS產(chǎn)能計(jì)劃，預(yù)計(jì)產(chǎn)能可能還要實(shí)現(xiàn)倍增，其中英偉達(dá)的需求占據(jù)了一半以上。

然而，CoWoS封裝技術(shù)中的一個(gè)關(guān)鍵瓶頸是HBM芯片，HBM3/3E的堆疊層數(shù)將從HBM2/2E的4到8層升至8到12層，未來(lái)HBM4更是進(jìn)一步升至16層，這無(wú)疑增加了封裝的復(fù)雜性和難度。

頭部企業(yè)積極擴(kuò)張HBM產(chǎn)能

AI是當(dāng)前半導(dǎo)體市場(chǎng)的一抹亮色。隨著云服務(wù)廠商積極部署AI大模型，AI服務(wù)器進(jìn)入增長(zhǎng)軌道。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，至2026年，AI服務(wù)器（包含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量將占整體服務(wù)器的15%，成為撬動(dòng)服務(wù)器市場(chǎng)的新增長(zhǎng)點(diǎn)。

AI 服務(wù)器對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬提出更高要求，也拉動(dòng)了高端存儲(chǔ)芯片和高密度存儲(chǔ)模組的出貨成長(zhǎng)，尤其是HBM技術(shù)的迭代升級(jí)和應(yīng)用。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Yole數(shù)據(jù)，HBM今年以來(lái)平均售價(jià)是普通DRAM的5倍，加上近期SK海力士和美光的HBM產(chǎn)能售罄情況，進(jìn)一步證實(shí)了市場(chǎng)對(duì)這一技術(shù)的高度認(rèn)可和迫切需求。

在這樣的趨勢(shì)下，SK海力士、三星、美光正在積極擴(kuò)張HBM產(chǎn)能，爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。

作為HBM技術(shù)先行者的SK海力士，在2023年四季度率先迎來(lái)盈利，其中HBM和DDR5是較大業(yè)績(jī)支撐。財(cái)報(bào)顯示，SK海力士2024年一季度DRAM業(yè)務(wù)收入占比61%，ASP（平均銷售價(jià)格）環(huán)比上漲超過20%。SK海力士表示：“憑借HBM等面向AI的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，公司提升了面向AI服務(wù)器的產(chǎn)品銷量，同時(shí)持續(xù)實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)734%的業(yè)績(jī)?！贝送?，順應(yīng)面向AI的存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)的這一趨勢(shì)，SK海力士決定加大于今年3月率先開始生產(chǎn)的HBM3E產(chǎn)品供應(yīng)，并拓展其產(chǎn)品客戶群。

而誓要捍衛(wèi)存儲(chǔ)第一大廠市場(chǎng)地位的三星自然也不甘示弱。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Jaejune Kim在一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中談到：“我們計(jì)劃到2024年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。我們已經(jīng)協(xié)調(diào)了HBM芯片供應(yīng)商，在共同努力下實(shí)現(xiàn)2025年讓HBM芯片產(chǎn)量再翻一番的目標(biāo)?！?/span>

雖與SK海力士、三星相比，美光當(dāng)前所占的市場(chǎng)份額較小，但隨著其開始量產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品并將其應(yīng)用于英偉達(dá)H200 Tensor Core GPU，有望在未來(lái)的GPU市場(chǎng)上取得更高市場(chǎng)占有率。最新財(cái)報(bào)顯示，美光2024財(cái)年第二財(cái)季已實(shí)現(xiàn)DRAM營(yíng)收42億美元，占美光總營(yíng)收的71%。此外，美光預(yù)計(jì)2024財(cái)年資本支出在75億美元至80億美元之間，均高于去年資本支出和此前規(guī)劃，主要是為了支持HBM3E的產(chǎn)量增長(zhǎng)。美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra對(duì)外透露：“我們正處于為Nvidia（英偉達(dá)）下一代 AI 加速器提供 HBM3E驗(yàn)證的最后階段?！?/span>

綜合多家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)分析，預(yù)計(jì)今年SK海力士和三星的HBM市占率均為47%~49%，美光則有望達(dá)到5%。閃存市場(chǎng)分析師孫夢(mèng)維認(rèn)為：“盈利之后的原廠對(duì)市占的要求開始提高，尤其主要推動(dòng)先進(jìn)制程產(chǎn)能釋出，預(yù)計(jì)三季度在一定利潤(rùn)水平下，對(duì)市占要求將進(jìn)一步提高。”