近日，中央網(wǎng)信辦、市場監(jiān)管總局、工業(yè)和信息化部聯(lián)合印發(fā)《信息化標準建設(shè)行動計劃（2024—2027年）》（以下簡稱《行動計劃》）

《行動計劃》提到，要推進關(guān)鍵信息技術(shù)、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施、數(shù)據(jù)資源、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、信息惠民、數(shù)字文化及數(shù)字化綠色化協(xié)同發(fā)展等8個重點領(lǐng)域的標準研制，并且圍繞上述領(lǐng)域作出了22項工作部署。

例如在關(guān)鍵信息技術(shù)領(lǐng)域，《行動計劃》指出，要強化通用技術(shù)標準研制。加快基礎(chǔ)軟件標準研制，完善服務器、桌面、移動等通用操作系統(tǒng)及工業(yè)操作系統(tǒng)、新型操作系統(tǒng)等操作系統(tǒng)標準，研制關(guān)系型、圖形等數(shù)據(jù)庫標準，推進新型應用服務器、消息、緩存、數(shù)據(jù)存儲等中間件標準制定。

同時圍繞集成電路關(guān)鍵領(lǐng)域，加大先進計算芯片、新型存儲芯片關(guān)鍵技術(shù)標準攻關(guān)，推進人工智能芯片、車用芯片、消費電子用芯片等應用標準研制。《行動計劃》還指出，要布局新興技術(shù)領(lǐng)域標準。完善人工智能標準，強化通用性、基礎(chǔ)性、倫理、安全、隱私等標準研制。加快推進大模型、生成式人工智能標準研制。


存儲大廠業(yè)績加速回暖

隨著手機、PC及服務器等行業(yè)市場需求的逐漸復蘇，加上存儲原廠產(chǎn)能削減措施的逐步實施，部分大類存儲產(chǎn)品的價格已觸底反彈，步入上升通道。

漲價潮令上游存儲大廠業(yè)績加速回暖。


三星電子：利潤暴增931.3%，創(chuàng)歷史最高

在行業(yè)復蘇的背景下，三星電子憑借其在內(nèi)存芯片市場的領(lǐng)先地位，實現(xiàn)了營業(yè)利潤的暴漲，為行業(yè)帶來強烈的震動。

4月5日，三星電子表示，隨著芯片價格反彈，預計第一季度營業(yè)利潤將增長931%。（三星將于4月30日公布包含詳細的完整財報）

從三星此次公布的財務預報來看，當季營收約為71萬億韓元，同比上漲11.4%；營業(yè)利潤大幅上漲至6.6萬億韓元，同比暴增931.3%。

近幾個季度以來，存儲芯片價格的持續(xù)上漲起到了積極作用。早在去年四季度，三星就開始率先對其存儲芯片進行了漲價。據(jù)此前消息顯示，三星在去年四季度對NAND Flash芯片報價上調(diào)10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季漲價20%，漲價幅度遠超乎業(yè)界預期。

在漲價的同時，三星還對于NAND Flash和DRAM進行了增產(chǎn)。

NAND方面，三星電子正在提升其位于中國西安NAND Flash閃存廠的產(chǎn)能利用率，目前已恢復到了70%左右。自2023年二季度減產(chǎn)之后，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率也開始逐步回升。

DRAM方面，三星電子的目標是到2024年第四季度晶圓產(chǎn)量達到200萬片，比去年的數(shù)字增長41%。三星現(xiàn)在的目標是通過提高生產(chǎn)水平來挽回損失的利潤，預計未來需求將會增加。

三星電子憑借其先進的生產(chǎn)工藝和龐大的產(chǎn)能規(guī)模，成功抓住了市場機遇，實現(xiàn)了業(yè)績的快速增長。其中，內(nèi)存芯片業(yè)務的銷售額和利潤的大幅增長，成為推動公司整體業(yè)績提升的重要力量。

在日前舉行的年度股東大會上，三星預計2024年旗下存儲半導體部門銷售額有望恢復至2022年的水平，同時還定下了更高的目標——要在兩到三年內(nèi)，重新奪回全球芯片市場第一的位置。

除了芯片周期的回暖，三星還可能在近期迎來更多好消息。

上個月，英偉達CEO黃仁勛暗示，英偉達有意采購三星的HBM芯片。有韓媒爆料稱，英偉達最快將從9月開始大量購買三星電子的12層HBM3E。倘若消息落實，這將為三星電子未來的業(yè)績進一步增長帶來潛在動力。


美光科技：HBM在2024年銷售一空

3月20日，美國存儲芯片大廠美光公布了截至2024年2月29日的2024財年第二季財報，美光第二財季受益于DRAM和NAND Flash需求及價格同步上升，該季營收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長23%。

從具體產(chǎn)品劃分收入構(gòu)成來看，美光第二財季DRAM收入環(huán)比增長21%至42億美元，占總收入的71%。這主要得益于該季DRAM平均價格上漲了10%，出貨量也有個位數(shù)百分比的增長；第二財季NAND收入環(huán)比增長了27%至16億美元，占美光總收入的27%。

根據(jù)此前美光公布的財報數(shù)據(jù)顯示，其第二財季DRAM平均價格上漲了10%；NAND Flash的平均價格漲幅超過了30%。

同時財報也顯示，產(chǎn)品漲價帶動了美光的整體毛利率提升了19個百分點。據(jù)悉，美光在該季營收、毛利率、凈利均大超預期，并成功結(jié)束連續(xù)五個季度的虧損，扭虧為盈。

從各應用領(lǐng)域收入來看，來自數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的營收增長是最為迅猛，環(huán)比增長超過一倍。這主要得益于AI服務器的需求正在推動HBM、DDR5和數(shù)據(jù)中心SSD的快速增長。這進而也導致了先進的DRAM和NAND的供應處于供不應求當中，對所有存儲器和存儲終端市場的定價產(chǎn)生了積極的連鎖反應。

美光在財報中強調(diào)：“我們的HBM在2024年銷售一空，2025年的絕大多數(shù)供應已經(jīng)分配完畢。我們繼續(xù)預計HBM比特份額將在2025年的某個時候與我們的整體DRAM比特份額相等?！?/span>

美光預計，接下來每個季度的芯片價格都會上漲，重申2025財年將實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的收入，云收入也將呈現(xiàn)季度翻倍增長，同時客戶的庫存已經(jīng)減少，急需補充新品。

不過需要指出的是，2024財年，美光的業(yè)績增長動力主要還是來自于DRAM和NAND Flash的價格上漲及需求的增長。而HBM所能夠為美光帶來的營收貢獻仍比較有限。

美光最新業(yè)績以及業(yè)績展望數(shù)據(jù)表明，美光已經(jīng)熬過整個芯片行業(yè)周期的最糟糕時期，并且重新走向盈利模式，AI熱潮帶來的存儲需求激增可謂核心驅(qū)動力。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在業(yè)績會議上向投資者承諾，2024年將標志著存儲行業(yè)大幅反彈，2025年則將達到創(chuàng)紀錄的銷售額水平。但這也意味著美光需要加大產(chǎn)能制造足夠數(shù)量的HBM存儲，這需要與英偉達等AI芯片廠商緊密合作，幫助數(shù)據(jù)中心運營商們加快AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)步伐以及開發(fā)更多的人工智能軟件。


SK海力士：率先扭虧為盈

SK海力士是存儲巨頭中率先實現(xiàn)全公司單季度扭虧的公司。

據(jù)財報顯示，SK海力士2023財年第四季度結(jié)合并收入為11.306萬億韓元，營業(yè)利潤為0.346萬億韓元，成功實現(xiàn)扭虧為盈。SK海力士僅時隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損。

順應高性能DRAM需求的增長趨勢，SK海力士將順利進行用于AI的存儲器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時供應于服務器和移動端市場。

對于市況復蘇相對緩慢的NAND閃存，SK海力士2023年主要集中于投資和費用的效率化。后續(xù)，SK海力士決定通過以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴大銷售，改善盈利并加強內(nèi)部管理。

除此之外，從鎧俠、西部數(shù)據(jù)以及存儲器終端廠商發(fā)布的最新財報中也可以看出，各大廠商業(yè)績均迎來較好表現(xiàn)。

存儲企業(yè)迎來收獲期？

按照Gartner的數(shù)據(jù)，2023年，全球半導體市場規(guī)模為5330億美元，同比下滑了11%，是最近3年以來，最低的一次。

而其中存儲芯片跌的最慘，NAND閃存跌了37.5%，DRAM內(nèi)存跌了38.5%，整個存儲芯片市場，預計跌了38%左右。

為此，三星、SK海力士、美光這三大存儲芯片廠商，在2023年全年，虧損值超過1500億元，將過去1-2年的利潤，可能都虧完了。

不過，在2023年的4季度，因為市場需求恢復，手機、PC、電子產(chǎn)品，服務器等的出貨量開始增長，全球DRAM（內(nèi)存）和NAND閃存的價格均實現(xiàn)了3%至8%的上漲。

很明顯，存儲芯片的低谷已經(jīng)過去了， 接下來存儲芯片，又要進入漲價收獲期了。

機構(gòu)認為，2024年，DRAM和NAND閃存的需求將在各類AI應用中持續(xù)增長，包括智能手機、服務器和筆記本電腦，特別是服務器的增長，將大大促進DRAM產(chǎn)品的增長。

具體來看，Gartner預測半導體內(nèi)存市場增長率將達到66.6%，細分的話，其中DRAM的增長率將達到88.0%，NAND閃存的增長則為49.6%。

這個增長，從兩個方面來體現(xiàn)，一是價格上漲，機構(gòu)認為隨著供求關(guān)系恢復，價格會上漲，價格最終可能會上漲40-60%，甚至最高可能達到65%的漲幅。

二是銷量會增長，因為需求增加，大家的出貨是也會增加，價格上漲，銷量增長，最終總規(guī)模則實現(xiàn)真正大幅度上漲。

而在這樣的瘋狂之下，大賺特賺的，估計也就是2023年大虧特虧的這三大存儲芯片廠商了。


存儲芯片的發(fā)展前景

市場規(guī)模持續(xù)增長：根據(jù)中研網(wǎng)發(fā)布的《2024年存儲芯片行業(yè)市場未來發(fā)展前景分析》，預測2024年市場規(guī)模將增長至5513億元。這表明存儲芯片行業(yè)具有強勁的增長勢頭，市場潛力巨大。

應用領(lǐng)域不斷拓展：存儲芯片廣泛應用于計算機、手機、平板等電子設(shè)備中，同時也逐漸滲透到智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居等新興領(lǐng)域。隨著這些領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲芯片的需求將持續(xù)增長。

服務器市場帶動增長：根據(jù)TrendForce的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，服務器DRAM市場對增長起到更大作用。特別是AI服務器對大容量、高速的內(nèi)存支持需求增加，將進一步推動存儲芯片市場的發(fā)展。

競爭格局變化：隨著存儲芯片市場的不斷擴大，競爭格局也在發(fā)生變化。國內(nèi)外廠商紛紛加大研發(fā)投入，推出更高性能、更低成本的存儲芯片產(chǎn)品，以搶占市場份額。