在經(jīng)歷下行周期后，2023年第四季度開(kāi)始，存儲(chǔ)價(jià)格開(kāi)始止跌回暖，且從各大廠商公布的最新?tīng)I(yíng)收來(lái)看，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)回溫信號(hào)正逐漸凸顯。


廠商業(yè)績(jī)釋放回溫信號(hào)

從國(guó)際大廠來(lái)看，此前鎧俠、SK海力士、三星、美光、西部數(shù)據(jù)等公布的最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，在AI需求加持下，各大廠商營(yíng)收和利潤(rùn)均表現(xiàn)亮眼。

其中，鎧俠、美光和西部數(shù)據(jù)均實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，鎧俠2023財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)439億日元、凈利潤(rùn)103億日元；美光2024財(cái)年二財(cái)季GAAP凈利潤(rùn)為7.93億美元；西數(shù)今年一季度在Non-GAAP會(huì)計(jì)準(zhǔn)則下，凈利潤(rùn)為2.10億美元。而三星的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)在今年一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)96.1%；SK海力士自去年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，今年一季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為2.886萬(wàn)億韓元，創(chuàng)下2018年以來(lái)同期第二高記錄。

國(guó)內(nèi)方面，近期，A股存儲(chǔ)板塊上市公司瀾起科技、兆易創(chuàng)新、江波龍、佰維存儲(chǔ)、普冉股份、德明利等陸續(xù)披露2024年一季度報(bào)告顯示，多家公司一季度業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。其中，瀾起科技今年一季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2.23億元，同比暴增1032.86%，此外，德明利、佰維存儲(chǔ)在當(dāng)季的凈利潤(rùn)也分別同比大漲546.49%和232.97%。


兩大巨頭對(duì)增產(chǎn)持保守態(tài)度

韓媒 Bussinesskorea 報(bào)道稱(chēng)，三星電子、SK 海力士目前對(duì)于增產(chǎn)通用存儲(chǔ)芯片持保守態(tài)度。

8Gb DDR4 DRAM 通用內(nèi)存的合約價(jià)在四月份環(huán)比上漲了 17%，但面向閃存盤(pán)等便攜存儲(chǔ)設(shè)備的 128Gb（16Gx8）MLC 通用閃存的價(jià)格卻按兵不動(dòng)。

這主要是因?yàn)樗脑鲁醯呐_(tái)灣地區(qū)地震影響了美光內(nèi)存產(chǎn)能，短時(shí)間內(nèi)推動(dòng)通用內(nèi)存需求走高。整體來(lái)看通用存儲(chǔ)芯片的需求并未真正復(fù)蘇，下游企業(yè)仍持有相當(dāng)數(shù)量的庫(kù)存。

另一方面，國(guó)際地緣政治局勢(shì)目前處于不穩(wěn)定狀態(tài)。近期中東地區(qū)局勢(shì)緊張，美國(guó)大選年也對(duì)全球貿(mào)易帶來(lái)額外的不穩(wěn)定因素，兩重影響交織下通用存儲(chǔ)芯片需求的可見(jiàn)度已然降低。

此外，AI 熱潮下 HBM 內(nèi)存需求旺盛，而 HBM 的晶圓消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星電子、SK 海力士積極擴(kuò)產(chǎn) HBM 的背景下，通用 DRAM 的晶圓投片量勢(shì)必得到抑制。

今年下半年將迎來(lái)蘋(píng)果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手機(jī)的發(fā)布，報(bào)道預(yù)測(cè)這波新機(jī)潮有望成為原廠增產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)芯片的契機(jī)。

高價(jià)值芯片仍然供不應(yīng)求

人工智能浪潮正在席卷全球，大型語(yǔ)言模型、生成式AI等新興技術(shù)對(duì)算力需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。作為AI算力的重要支撐，高性能存儲(chǔ)芯片需求也隨之大幅攀升。存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè)敏銳捕捉到這一趨勢(shì)，紛紛加大高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的擴(kuò)產(chǎn)力度。

三星電子和SK海力士憑借在HBM等高價(jià)值存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，將是最大贏家。HBM憑借高帶寬、高能效等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于AI訓(xùn)練和推理等算力密集型場(chǎng)景。三星電子預(yù)計(jì)，2024年HBM芯片產(chǎn)量將比2023年增長(zhǎng)2.9倍，高于年初預(yù)測(cè)的2.4倍增速。三星還與AMD簽署了價(jià)值4萬(wàn)億韓元的HBM3E供貨合同，進(jìn)一步擴(kuò)大HBM市場(chǎng)份額。

在HBM領(lǐng)域，三星電子的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是SK海力士。作為HBM技術(shù)的領(lǐng)先者，SK海力士正大力擴(kuò)充HBM等高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品的產(chǎn)能。該公司計(jì)劃投資約38.6億美元，在韓國(guó)忠清北道清州建造新的M15X晶圓廠，作為DRAM存儲(chǔ)芯片的新生產(chǎn)基地。SK海力士還將在美國(guó)投資約40億美元，建立大型芯片先進(jìn)封裝工廠，以滿(mǎn)足HBM等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求。

除了HBM，三星和海力士在DDR5等其他高端存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域也將加大投入。DDR5相比上一代DDR4，傳輸速率提高了1.87倍，能效提升39%，非常適合AI算力密集型應(yīng)用場(chǎng)景。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，DDR5將成為主流存儲(chǔ)器類(lèi)型，三星和海力士都將從中獲益。

與三星、海力士相比，美光科技在HBM市場(chǎng)上暫時(shí)落后。美光正在加快HBM3e等新品上市步伐，力圖在下一代HBM市場(chǎng)重新奪回主導(dǎo)權(quán)。2024年，美光的資本開(kāi)支將主要用于HBM量產(chǎn)和下代產(chǎn)品研發(fā)，以期贏得Nvidia等大客戶(hù)的訂單。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能的擴(kuò)張必將帶動(dòng)對(duì)相關(guān)制造設(shè)備的需求增長(zhǎng)，這為設(shè)備供應(yīng)商帶來(lái)重大機(jī)遇。在先進(jìn)封裝設(shè)備領(lǐng)域，HBM堆疊工藝對(duì)封裝材料提出了更高要求，高導(dǎo)熱、低填充粘度球形氧化鋁粉等材料需求將大幅增加，國(guó)內(nèi)廠商有望實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。三星、SK海力士等擴(kuò)大資本開(kāi)支，對(duì)晶圓加工、光刻蝕刻等設(shè)備需求也將增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)迎來(lái)發(fā)展良機(jī)。

國(guó)產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈的突破之路

盡管面臨重重挑戰(zhàn)，但國(guó)內(nèi)企業(yè)并未放棄在HBM產(chǎn)業(yè)鏈上的突破努力。隨著人工智能浪潮的不斷推進(jìn)，以及國(guó)家對(duì)于存儲(chǔ)芯片自主可控的戰(zhàn)略需求，HBM芯片無(wú)疑將成為未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)的必爭(zhēng)之地。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)紛紛加大了HBM技術(shù)的研發(fā)投入。以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為例，該公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了基于28nm工藝的HBM2E產(chǎn)品，并計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。雖然與三星等國(guó)際巨頭相比，工藝制程和性能指標(biāo)仍有一定差距，但這無(wú)疑是國(guó)產(chǎn)HBM芯片邁出的關(guān)鍵一步。

國(guó)內(nèi)企業(yè)也在加速布局HBM產(chǎn)業(yè)鏈的上下游環(huán)節(jié)。除了雅克科技在材料領(lǐng)域的布局外，中微半導(dǎo)體、華潤(rùn)上華等公司也在積極開(kāi)發(fā)HBM芯片的關(guān)鍵設(shè)備和工藝技術(shù)，以期實(shí)現(xiàn)自主可控。

值得關(guān)注的是，在政策扶持方面，國(guó)家也給予了HBM產(chǎn)業(yè)鏈以大力支持。從集成電路、新型存儲(chǔ)等國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)，到地方政府出臺(tái)的各種優(yōu)惠政策，都為國(guó)產(chǎn)HBM芯片企業(yè)的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。