據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，三大原廠開始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲器合約價翻揚后，公司資金投入開始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現(xiàn)佳，加上需求持續(xù)看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。

以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，TrendForce集邦咨詢表示，今年HBM3e將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）依舊是主要供應(yīng)商，與美光（Micron）均采用1beta nm制程，兩家業(yè)者現(xiàn)已正式出貨給英偉達(dá)（NVIDIA）；三星（Samsung）則采用1alpha nm制程，預(yù)期今年第二季完成驗證，于年中開始交付。

預(yù)期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加，將消耗更多先進(jìn)制程產(chǎn)能

除了HBM需求占比持續(xù)增加，PC、服務(wù)器、智能手機(jī)三大應(yīng)用單機(jī)搭載容量增長，故對于先進(jìn)制程的消耗量也逐季提升，其中又以服務(wù)器的容量提升最高，主要受惠于單機(jī)搭載容量1.75TB的AI服務(wù)器所帶動。而隨著Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產(chǎn)后，其存儲器規(guī)格僅能采用DDR5，預(yù)期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。

與此同時，由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預(yù)期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產(chǎn)能擴(kuò)張計劃也較謹(jǐn)慎。整體而言，在HBM投片比重擴(kuò)大的情況下，將使得先進(jìn)制程產(chǎn)出有限，下半年產(chǎn)能配置將是供給是否充足的關(guān)鍵。


受到HBM產(chǎn)能排擠，若先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張不足，DRAM產(chǎn)品恐面臨供不應(yīng)求

目前新廠規(guī)劃如下，三星現(xiàn)有廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工，同時Line15廠區(qū)將進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換，由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產(chǎn)能預(yù)計擴(kuò)大，M15X同樣亦規(guī)劃于2025年完工，并于明年底量產(chǎn)。美光臺灣地區(qū)廠區(qū)將于明年恢復(fù)至滿載，后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張將以美國廠為主，Boise廠區(qū)預(yù)期于2025年完工并陸續(xù)移機(jī)，并計劃于2026年量產(chǎn)。

TrendForce集邦咨詢表示，盡管三大原廠的新廠將于2025年完工，但部分廠房后續(xù)的量產(chǎn)時程尚未有明確規(guī)劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續(xù)擴(kuò)大采購機(jī)臺，這也進(jìn)一步推動三大原廠堅守存儲器價格今年漲勢。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā)，若投資沒有明顯擴(kuò)大，因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應(yīng)之下，DRAM產(chǎn)品恐有供應(yīng)不及的可能性。


2024年，存儲行業(yè)步入上行周期

眼下存儲芯片最核心的三大應(yīng)用市場，即手機(jī)、PC和服務(wù)器，已基本突破了“黑暗期”。同時，以智能汽車、AI為代表的新興市場的興起，將在未來推動存儲產(chǎn)業(yè)的需求進(jìn)一步增加。

從行業(yè)角度看，根據(jù)TrendForce預(yù)測數(shù)據(jù)，不論是DRAM還是NAND Flash，2024年的整體存儲合約均價有望呈現(xiàn)逐季上漲態(tài)勢，同時通過觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲廠商近期業(yè)績的環(huán)比改善變化，存儲行業(yè)有望在2024年步入上行周期。

有業(yè)內(nèi)人士表示，去年三、四季度是存儲大廠減產(chǎn)限制供應(yīng)所帶動的漲價；而如今漲價主要是因為新需求增加所帶動的，接下來延續(xù)漲價沒有懸念。

此前韓國公布今年3月份芯片出口額年增35.7%，達(dá)到117億美元，創(chuàng)下2022年3月以來的最佳單月表現(xiàn)。這一數(shù)據(jù)也顯示出，目前半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷低谷之后，已經(jīng)開始逐步反彈。

TrendForce集邦咨詢的統(tǒng)計顯示，今年一季度DRAM芯片價格較前一季度增加約20%，而NAND Flash芯片價格漲幅在23%-28%之間。展望第二季度，TrendForce預(yù)估DRAM合約價季漲幅將為3%-8%；預(yù)估第二季NAND Flash合約價季漲13%-18%。

調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole也表示，2024年DRAM市場“前景光明”，這是因為工廠利用率較低，制造商庫存已經(jīng)正?；?，供需平衡已經(jīng)建立。

數(shù)據(jù)中心對人工智能加速器的需求持續(xù)增長，也推動了對HBM的需求增加，HBM的平均售價約為DRAM整體平均售價的六倍。數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器是DRAM需求最大的市場，約占2023年DRAM出貨量的50%。隨著HBM和CXL等新技術(shù)的建立，對數(shù)據(jù)中心的需求預(yù)計將進(jìn)一步增長。此外，受COVID-19大流行期間購買替換PC的需求以及支持生成式AI的新型智能手機(jī)的需求的推動，消費設(shè)備對DRAM的需求也在增加。

Yole預(yù)計NAND市場將在2024年復(fù)蘇。隨著個人電腦和高端智能手機(jī)融入新一代人工智能技術(shù)，消費電子產(chǎn)品的需求將會增加，數(shù)據(jù)中心對固態(tài)硬盤的需求預(yù)計也會增加。制造商的過剩庫存將通過利用率管理得到消除，市場將出現(xiàn)輕微供應(yīng)不足的情況，預(yù)計2024年全年產(chǎn)品價格將上漲。受此影響，下半年行業(yè)整體營業(yè)利潤率或?qū)⑥D(zhuǎn)正。

可見，存儲市場迎來了第二個春天。


三大巨頭壟斷市場

國產(chǎn)替代任重而道遠(yuǎn)

在經(jīng)歷了2023年最低谷之后，2024年的存儲芯片迎來了曙光，事實上這個反轉(zhuǎn)在2023年4季度就開始了，那一個季度，DRAM、NAND就漲了15-20%左右。

而2024年一季度，也漲了10-15%左右，于是各大存儲芯片廠，一季度業(yè)績大增。

比如三星，其業(yè)績預(yù)告，一季度營業(yè)利潤將增長931%，為何增長這么多，原因就是存儲芯片價格大漲。

再看SK海力士，一季度營收12.4296萬億韓元，同比增長了144.3%，營業(yè)利潤2.886萬億韓元（151.8036億元人民幣），而去年同期是虧損3.4023萬億韓元。

再看美光，第一財報（截止于2月29日），營收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長23%。

而這三大廠，合計拿下了全球80%以上的DRAM+NAND市場的份額，基本上代表的就是整個存儲芯片市場了。所以說，存儲芯片在經(jīng)歷了一年多慘烈的下滑之后， 終于恢復(fù)上漲，活過來了，而預(yù)計接下來還會繼續(xù)漲，2024年內(nèi)有望再漲30%-50%。

而這一波上漲，韓國肯定是最興奮的，因為韓國三星、SK海力士這兩大廠商就拿下了全球60%以上的份額，一旦存儲芯片上漲，自然賺的最多。韓國之后才是美國、日本……

而中國自然是最受傷的，因為中國的存儲芯片自給率不足10%，90%以上要靠進(jìn)口，每年進(jìn)口存儲芯片的金額超過1000億美元。

只要存儲芯片漲40%，每年就要多付出400億美元的進(jìn)口金額，這就是近3000億，要是漲50%，60%呢？自然付的就更多，受傷更嚴(yán)重了，所以國產(chǎn)存儲芯片要加油，目前國產(chǎn)存儲芯片的市場份額只有5%左右，還有巨大的提升空間。