臺(tái)積電已公布了A16（相當(dāng)于1.6納米）工藝，預(yù)計(jì)在2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，外媒指出該項(xiàng)工藝很可能會(huì)繼續(xù)采用現(xiàn)有的第一代EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)，原因可能是2納米EUV光刻機(jī)實(shí)在太貴了。

ASML今年量產(chǎn)的2納米EUV光刻機(jī)幾乎已被Intel搶購一空，業(yè)界曾以為三星和臺(tái)積電會(huì)爭搶ASML明年的2納米EUV光刻機(jī)，然而外媒指出臺(tái)積電似乎氣定神閑，并未有搶購2納米EUV光刻機(jī)的計(jì)劃。

這已不是臺(tái)積電第一次依靠原有的設(shè)備生產(chǎn)先進(jìn)工藝了，此前的7納米業(yè)界就曾認(rèn)為需要EUV光刻機(jī)才能量產(chǎn)，然而臺(tái)積電卻采用DUV光刻機(jī)開發(fā)了第一代7納米工藝。

臺(tái)積電當(dāng)時(shí)堅(jiān)持采用原有的DUV光刻機(jī)開發(fā)7納米工藝，在于EUV光刻機(jī)過于昂貴，而且新一代光刻機(jī)的出現(xiàn)，往往需要芯片工具、芯片材料等的配合，這就可能導(dǎo)致研發(fā)先進(jìn)工藝面臨風(fēng)險(xiǎn)。

相比臺(tái)積電，三星激進(jìn)地采用EUV光刻機(jī)開發(fā)7納米工藝，三星也如臺(tái)積電預(yù)期的那樣遇到了問題，三星的7納米EUV工藝存在良率過低的問題，諸多芯片企業(yè)大多選擇了成本更低的臺(tái)積電7納米工藝。

不過先進(jìn)光刻機(jī)對(duì)于提升芯片性能確實(shí)有好處，臺(tái)積電第二代7納米工藝就采用了EUV光刻機(jī)，性能提升兩成以上，證明了先進(jìn)的EUV光刻機(jī)確實(shí)有巨大的作用。

相比起第一代EUV光刻機(jī)，如今的2納米EUV光刻機(jī)更為昂貴，第一代EUV光刻機(jī)的價(jià)格大約為1.2億美元，2納米EUV光刻機(jī)則高達(dá)3.8億美元，昂貴的價(jià)格促使臺(tái)積電計(jì)劃繼續(xù)采用原有的EUV光刻機(jī)A16工藝。

臺(tái)積電采用原有的設(shè)備開發(fā)7納米工藝和1.6納米工藝，對(duì)中國芯片來說無疑是巨大的啟發(fā)，意味著中國芯片有可能依靠現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)7納米、5納米工藝，這對(duì)于當(dāng)下難以獲得EUV光刻機(jī)的中國芯片來說意義重大。

事實(shí)上目前消息都認(rèn)為中國芯片行業(yè)應(yīng)該已依靠現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了接近7納米工藝的，某國產(chǎn)手機(jī)企業(yè)的5G芯片應(yīng)該就已接近7納米工藝，依靠DUV光刻機(jī)進(jìn)一步開發(fā)5納米工藝有一定的可行性。

早前業(yè)界傳出國內(nèi)芯片企業(yè)研發(fā)成功四重曝光技術(shù)，可能并非虛言，依靠這種技術(shù)可以進(jìn)一步挖掘DUV光刻機(jī)的潛力，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)5納米工藝。對(duì)此浸潤式DUV光刻機(jī)的奠基人林本堅(jiān)（臺(tái)積電前技術(shù)負(fù)責(zé)人）就給出了肯定的答案，他認(rèn)為DUV光刻機(jī)仍有潛力可挖，當(dāng)然采用DUV光刻機(jī)開發(fā)5納米工藝的弊端就是成本偏高。

臺(tái)積電一再挖掘舊款光刻機(jī)的潛力，體現(xiàn)了臺(tái)積電在芯片技術(shù)方面的深厚積累，說明先進(jìn)工藝未必一定需要最先進(jìn)的設(shè)備來實(shí)現(xiàn)，這鼓舞了中國芯片加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)以利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)先進(jìn)工藝的信心，臺(tái)積電前資深技術(shù)負(fù)責(zé)人之一的梁孟松如今正在中芯國際擔(dān)任聯(lián)席CEO，有如此淵源，相信中國芯片開發(fā)更先進(jìn)的工藝有更大的希望。