美光獲得美國政府61億美元補(bǔ)貼，并看好QLC SSD導(dǎo)入PC滲透率快速提升。李建樑攝

美國晶片法案補(bǔ)助陸續(xù)開獎，記憶體大廠美光（Micron）確定獲得61.4億美元直接補(bǔ)貼，以及75億美元借貸額度，補(bǔ)助金額符合原先外界預(yù)期，加計美光于日本取得先進(jìn)DRAM制程補(bǔ)助，美光在美、日兩地將囊括超過77億美元的補(bǔ)助入袋。

隨著記憶體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入復(fù)甦反彈的成長周期，市場供需呈現(xiàn)吃緊下，美光不僅靠著龐大銀彈補(bǔ)助支撐底氣，亦助力美、日重拾先進(jìn)半導(dǎo)體制造實力的戰(zhàn)略目標(biāo)，但資源重新分配下，恐將對臺灣供應(yīng)地位帶來挑戰(zhàn)。

作為美國本土唯一記憶體制造商，美光被外界視為美國晶片法案補(bǔ)助的最大贏家之一，雖然61億美元補(bǔ)貼金額不如英特爾的85億美元龐大，但以美光規(guī)劃在2030年前將投入500億美元的總資本支出，取得美國晶片法61億美元補(bǔ)貼，其回報率絲毫不遜于臺積電、英特爾（Intel）。

此外，美光在日本廣島廠新建先進(jìn)DRAM生產(chǎn)線，繼2022年確定獲得約465億日圓補(bǔ)助后，近期美光積極引進(jìn)極紫外光（EUV）設(shè)備，日方傳出可望再祭出上看1,920億日圓（12.9億美元）補(bǔ)貼，初估美光將取得日方16億美元入袋。

然而地緣政治牽動全球半導(dǎo)體版圖消長，業(yè)界認(rèn)為，隨著美、日兩大國競相投入巨資補(bǔ)助，作為美光全球DRAM產(chǎn)出比重達(dá)65%的臺灣制造基地，長期供應(yīng)地位恐將遭到稀釋，如何應(yīng)對全球政局帶來資源轉(zhuǎn)換的變革，將為臺系供應(yīng)鏈帶來重大挑戰(zhàn)。

另一方面，看好AI熱潮帶動巨量資料儲存的需求，美光估計，目前QLC NAND SSD導(dǎo)入PC滲透率約20~25%，2024年將可望加速成長推動，AI PC的2大使用關(guān)鍵將帶動SSD搭載容量快速提升，朝向TB等級需求邁進(jìn)。

美光副總裁暨客戶端儲存事業(yè)部總經(jīng)理Prasad Alluri表示，美光過去已連續(xù)二代推出最高NAND層數(shù)的用戶端 QLC SSD，目前也是全球推出首款整合200層以上QLC NAND的用戶端SSD，從滲透率表現(xiàn)來看，目前PC OEM採用QLC的比重約20~25%。

但這并不是QLC NAND性能不佳，而是過去沒有太多供應(yīng)商的選擇，隨著目前更多競爭對手也推出相關(guān)產(chǎn)品，預(yù)期2024年將可望看到滲透率顯著提升，PC OEM客戶將會提升滲透率導(dǎo)入，進(jìn)入加速成長。

目前美光的2500 NVMe SSD 已向PC OEM制造商進(jìn)行送樣，採用232層QLC NAND，不僅整合至部份美光旗下品牌Crucial的消費(fèi)型SSD產(chǎn)品中，Crucial也已正式量產(chǎn)并向企業(yè)儲存裝置客戶出貨 QLC SSD。

隨高速運(yùn)算、邊緣AI應(yīng)用的快速發(fā)展，記憶體儲存領(lǐng)域需求亦與日俱增，Alluri指出，高頻寬 低耗能是業(yè)界關(guān)注的焦點，也是儲存裝置發(fā)展的關(guān)鍵，PC終端不僅運(yùn)作大型語言模型，也會有小型模型需要儲存在裝置內(nèi)，因此儲存需求必須要高度的能源效率，AI PC對于儲存需求正是美光聚焦發(fā)展的重點。

根據(jù)微軟對AI PC的規(guī)格看法，儲存裝置的最低容量是256GB，這是為了AI應(yīng)用所需，這意味著容量起點已經(jīng)提高了，而目前PC平均儲存容量約在500GB出頭，Alluri認(rèn)為，兩大因素將促進(jìn)AI PC容量提升。

首先是LLM和影像語言模型，將耗費(fèi)大量儲存容量，其次，由于使用者不會立即刪除大量影像，將導(dǎo)致本機(jī)儲存的容量也會顯著，因此AI PC的儲存容量將可望從500GB起跳，進(jìn)入1TB等級。

隨著各家NAND大廠的3D NAND堆疊層數(shù)均超過200層，為了持續(xù)提高密度及降低成本，QLC NAND發(fā)展成為趨勢。

業(yè)界指出，從三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士旗下Solidigm、鎧俠（Kioxia）、長江存儲等各家NAND大廠均已積極投入QLC NAND，推動QLC應(yīng)用從消費(fèi)級市場，進(jìn)一步推廣至企業(yè)儲存SSD市場，未來可望推廣于手機(jī)客戶和更多應(yīng)用領(lǐng)域。

比起多數(shù)原廠，美光投入QLC NAND開發(fā)較早，目前232層QLC NAND將針對行動、用戶端、邊緣和資料中心儲存裝置等4大領(lǐng)域，強(qiáng)調(diào)具有領(lǐng)先的位元密度，較競爭對手的最新產(chǎn)品高出28%，領(lǐng)先業(yè)界的2400 MT/s NAND介面數(shù)據(jù)傳輸速度，相較前一代產(chǎn)品提高50%，且讀取效能也較前一代產(chǎn)品提升24%。

Pure Storage超大規(guī)模事業(yè)部總經(jīng)理Bill Cerreta表示，計畫在2028年之前更換資料中心的所有傳統(tǒng)硬碟HDD，而美光232層QLC NAND將是關(guān)鍵推動的因素。

業(yè)界指出，AI伺服器對于電力消耗龐大，SSD節(jié)能優(yōu)勢將成為儲存裝置的優(yōu)先考量，加上HDD具有高延時問題，將導(dǎo)致性能降低20%，等于浪費(fèi)CPU和DRAM性能，相當(dāng)于對整體成本影響，市場預(yù)期，2024年QLC NAND應(yīng)用于SSD位元出貨將呈現(xiàn)大幅倍增成長。