超赫科技制造高線性功率放大器，兼顧通訊品質(zhì)與節(jié)能。超赫科技

超赫科技作為無線通訊器件領(lǐng)域技術(shù)開發(fā)者，著重于功率放大器半導(dǎo)體元件優(yōu)化，主要使用三五族化合物半導(dǎo)體的電晶體，包括氮化鎵HEMT（GaN HEMT）、砷化鎵pHEMT（GaAs pHEMT），已于產(chǎn)業(yè)技術(shù)瓶頸上有重大突破。過去在無線通訊領(lǐng)域中，精準(zhǔn)的訊號傳遞與高效率、節(jié)能省電背道而馳，無法兩全其美，最根本的解決之道即是提升用于設(shè)計功率放大器之功率元件的線性度。

高線性的功率放大器是許多高資料傳輸速率無線通訊系統(tǒng)與應(yīng)用的關(guān)鍵零組件，用以維持精準(zhǔn)的訊號傳輸，對于不失真的訊號放大與傳輸非常重要，此外亦可達(dá)到高資料傳輸速度、延長電池使用時間、節(jié)能省電、避免系統(tǒng)過熱及降低成本，對于IC設(shè)計工程師來說則相對友善，可用更小的元件來達(dá)到目標(biāo)規(guī)格。

高線性的功率電晶體系統(tǒng)與應(yīng)用包含無線射頻通訊系統(tǒng)、廣播、測試與量測設(shè)備、醫(yī)療影象系統(tǒng)、工業(yè)測試儀器與控制系統(tǒng)、太空與國防系統(tǒng)。任何需要精準(zhǔn)訊號傳輸、放大的系統(tǒng)或應(yīng)用，皆需將高線性的功率電晶體視為極為重要的元件，這些元件在廣泛的工業(yè)與科技應(yīng)用中，可維持訊號完整且受最小干擾。

過去產(chǎn)業(yè)制造的功率放大器線性度較差，然而超赫科技具功率元件設(shè)計能力，從磊晶結(jié)構(gòu)著手，考量產(chǎn)業(yè)需求與材料物理特性，設(shè)計出有別于過去的特殊磊晶結(jié)構(gòu)，依此特殊磊晶結(jié)構(gòu)制造出來的功率元件，因線性度高，對放大后的射頻訊號不會產(chǎn)生三階互調(diào)干擾。

超赫科技的氮化鎵HEMT（GaN HEMT）功率放大器元件，在操作頻率28GHz、Class A的條件下，可測得的量測結(jié)果OIP3-OP1dB為15 -19 dBm，與目前已發(fā)表且最佳之量測結(jié)果OIP3-OP1dB為12 dBm相比，可得知超赫科技的功率放大器元件線性度相當(dāng)高。這表示超赫科技的功率元件在誤差向量幅度、輸出功率、功率轉(zhuǎn)換效率、增益等表現(xiàn)上都更為出色，為5G毫米波、Sub 6 GHz、固定無線寬頻、Ku頻段衛(wèi)星與Ka頻段衛(wèi)星、WiFi 6E、WiFi 7、雷達(dá)等通訊設(shè)備帶來更強(qiáng)大的效能。

超赫科技設(shè)計的特殊磊晶結(jié)構(gòu)已專利布局海內(nèi)外7個國家。其中，中華民國之專利申請案已取得專利證書，其他6個國家之專利申請案皆已進(jìn)入最后審查階段，獲取專利證書指日可待。除海內(nèi)外專利布局以外，超赫科技亦攜手國內(nèi)外三五族半導(dǎo)體大廠，導(dǎo)入所研發(fā)的特殊磊晶與制程，未來也將持續(xù)擴(kuò)大合作技術(shù)范疇，讓更多廠商一同參與，共同創(chuàng)造產(chǎn)業(yè)共存共榮，并邁向通訊領(lǐng)域的下一個時代。