隨著存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回升，賽道內(nèi)企業(yè)迎來(lái)業(yè)績(jī)兌現(xiàn)。4月17日，佰維存儲(chǔ)披露2024年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)報(bào)告期內(nèi)營(yíng)業(yè)收入17億元至18億元，同比增長(zhǎng)299.54%至323.04%；預(yù)計(jì)歸母凈利潤(rùn)1.5億元至1.8億元，同比增長(zhǎng)219.03%至242.84%。

除佰維存儲(chǔ)之外，還有瀾起科技、德明利、全志科技等多家存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司已披露2024年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)告，根據(jù)預(yù)告，這些公司集體迎來(lái)業(yè)績(jī)爆發(fā)，一季度預(yù)計(jì)歸母凈利潤(rùn)同比增幅下限均超200%。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷在接受《證券日?qǐng)?bào)》記者采訪時(shí)表示：“2024年第一季度，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比上漲幅度達(dá)到20%左右。接下來(lái)的第二季度，價(jià)格上漲趨勢(shì)將延續(xù)，具體漲幅有待觀察，賽道內(nèi)企業(yè)有望持續(xù)受益。”

業(yè)績(jī)集體高增

多家存儲(chǔ)上市公司在業(yè)績(jī)預(yù)告中提到，下游市場(chǎng)需求恢復(fù)帶動(dòng)業(yè)績(jī)高增。

佰維存儲(chǔ)方面表示，2023年第四季度以來(lái)，存儲(chǔ)行業(yè)回暖，下游客戶需求持續(xù)復(fù)蘇，公司大力拓展國(guó)內(nèi)外一線客戶，產(chǎn)品銷量同比大幅提升。同時(shí)，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)回升，公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)不斷改善。此外，公司在存儲(chǔ)解決方案研發(fā)、芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)和測(cè)試設(shè)備等領(lǐng)域不斷加大研發(fā)投入，持續(xù)增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，2024年第一季度研發(fā)費(fèi)用約為1億元，同比增長(zhǎng)超200%。

全球內(nèi)存接口芯片龍頭瀾起科技業(yè)績(jī)預(yù)告顯示，公司預(yù)計(jì)2024年第一季度營(yíng)業(yè)收入7.37億元，同比增長(zhǎng)75.74%；預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.1億元至2.4億元，同比增長(zhǎng)9.65倍至11.17倍。自今年年初以來(lái)，內(nèi)存接口芯片需求實(shí)現(xiàn)恢復(fù)性增長(zhǎng)，公司部分新產(chǎn)品開(kāi)始規(guī)模出貨，推動(dòng)公司2024年第一季度收入及凈利潤(rùn)較上年同期大幅增長(zhǎng)。

智帆海岸機(jī)構(gòu)首席顧問(wèn)、資深產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)觀察家梁振鵬向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示：“存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格自2023年第三季度末進(jìn)入上升通道，行業(yè)內(nèi)上市公司的盈利能力整體得到改善。其中，卡位中高端存儲(chǔ)市場(chǎng)的上市公司更有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，一些公司在最近幾個(gè)季度陸續(xù)走入盈利通道。”


行業(yè)周期反轉(zhuǎn)，供需格局優(yōu)化

原廠減產(chǎn)推動(dòng)市場(chǎng)反轉(zhuǎn)：存儲(chǔ)芯片廠商在2022年四季度啟動(dòng)減產(chǎn)計(jì)劃，有效緩解了市場(chǎng)供過(guò)于求壓力。進(jìn)入2023年下半年，市場(chǎng)需求回暖，原廠持續(xù)推動(dòng)價(jià)格上漲，市場(chǎng)預(yù)期顯著改善。

行業(yè)周期步入新起點(diǎn)：存儲(chǔ)芯片行業(yè)遵循約3-4年的完整周期規(guī)律，當(dāng)前正處于第五輪周期的起點(diǎn)。AI需求激增與數(shù)字經(jīng)濟(jì)對(duì)存儲(chǔ)能力的渴求，共同推動(dòng)存儲(chǔ)芯片供需格局持續(xù)優(yōu)化，提前進(jìn)入復(fù)蘇周期。

原廠業(yè)績(jī)反轉(zhuǎn)，提價(jià)意愿強(qiáng)烈：盡管各大原廠業(yè)績(jī)環(huán)比改善顯著，但距離上行周期的盈利水平仍有差距，提價(jià)需求強(qiáng)烈。主力存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望延續(xù)漲勢(shì)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商業(yè)績(jī)已于2023年四季度初現(xiàn)曙光，預(yù)計(jì)2024年一季度將進(jìn)一步修復(fù)。


存儲(chǔ)芯片漲價(jià)能否持續(xù)？

受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求下滑的影響，2022年下半年開(kāi)始鎧俠、美光、SK海力士等存儲(chǔ)芯片大廠就開(kāi)始陸續(xù)進(jìn)行了減產(chǎn)，隨后三星也在2023年二季度開(kāi)始了減產(chǎn)，以期改善供需結(jié)構(gòu)，提升業(yè)績(jī)。而隨著減產(chǎn)效應(yīng)的顯現(xiàn)，以及2023年三季度以來(lái)市場(chǎng)需求的回暖，原廠開(kāi)始紛紛推動(dòng)DRAM和NAND Flash芯片價(jià)格上漲。

此前的報(bào)道顯示，2023年四季度三星對(duì)其DRAM及NAND Flash芯片報(bào)價(jià)都上調(diào)了10%至20%。研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季NAND Flash合約價(jià)環(huán)比漲幅約15%~20%，并預(yù)計(jì)NAND Flash第二季度的合約價(jià)格將會(huì)繼續(xù)上漲13~18%。美光公布的財(cái)報(bào)顯示，其截至2024年2月29日第二財(cái)季的DRAM平均價(jià)格上漲了10%，NAND Flash的平均價(jià)格漲幅更是超過(guò)了30%。

根據(jù)相關(guān)原廠最新公布的一季度業(yè)績(jī)也顯示，受益存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲，營(yíng)收及利潤(rùn)均出現(xiàn)了大逆轉(zhuǎn)。

美光截至2024年2月29日的2024財(cái)年第二季財(cái)報(bào)顯示，該季營(yíng)收同比大漲58%（環(huán)比增長(zhǎng)23%）至58億美元，GAAP(依照公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則)凈利潤(rùn)為7.93億美元，Non-GAAP凈利潤(rùn)為4.76億美元，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

三星電子公布的2024年第一季度初步業(yè)績(jī)顯示，該季度三星電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約為6.6萬(wàn)億韓元（約合353.76億元人民幣），同比暴漲931.25%，結(jié)束了自2022年第三季度以來(lái)連續(xù)六個(gè)季度的下滑，甚至將超過(guò)2023年全年?duì)I業(yè)利潤(rùn)（6.57萬(wàn)億韓元）。

但是從美光財(cái)報(bào)的具體表現(xiàn)來(lái)看，其DRAM和NAND Flash價(jià)格都出現(xiàn)了大幅的上漲，但是僅有DRAM出貨量存在個(gè)位數(shù)百分比的增長(zhǎng)，NAND Flash的出貨量卻出現(xiàn)了低個(gè)位數(shù)百分比的下降。顯然，這一輪的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮主要還是原廠主動(dòng)減產(chǎn)和強(qiáng)勢(shì)漲價(jià)推動(dòng)下所導(dǎo)致的，并不是由于市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)所帶動(dòng)的。這也給后續(xù)的漲價(jià)能否維持帶來(lái)了不確定性。

據(jù)韓國(guó)媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子今年一季度在韓國(guó)平澤和中國(guó)西安NAND Flash閃存生產(chǎn)線的晶圓投片量，相較上一季將提升了約30%。但是，三星方面對(duì)進(jìn)一步的增產(chǎn)仍然保持謹(jǐn)慎態(tài)度，希望避免影響到NAND Flash的價(jià)格漲勢(shì)。目前三星內(nèi)部對(duì)今年第二到四季的單季晶圓投片量均設(shè)下了120萬(wàn)片的上限（總產(chǎn)能200萬(wàn)片），這代表著其整體產(chǎn)能利用率只維持在60%以下。同樣SK海力士也已經(jīng)設(shè)定了每季度約60萬(wàn)片的NAND Flash晶圓投片量的上限，整體產(chǎn)能利用率也在50%~60%左右。

顯然，從上游存儲(chǔ)芯片原廠對(duì)于今年產(chǎn)能控產(chǎn)的趨勢(shì)來(lái)看，他們對(duì)于今年市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)芯片整體實(shí)際需求增長(zhǎng)的預(yù)期并不樂(lè)觀。依然是希望靠著控制供給來(lái)維持漲價(jià)。

對(duì)于存儲(chǔ)芯片原廠下游的模組廠商來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)芯片原廠推動(dòng)價(jià)格上漲會(huì)直接傳到他們身上，使得他們的成本上升，而為了轉(zhuǎn)嫁成本上漲壓力，存儲(chǔ)模組廠商必然需要對(duì)下游的終端客戶也進(jìn)行漲價(jià)。

但是，目前雖然企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存及云端服務(wù)器應(yīng)用的需求不錯(cuò)，特別是AI帶動(dòng)了對(duì)于HBM、LPDDR5的需求，但消費(fèi)類及其他應(yīng)用市場(chǎng)的對(duì)于DRAM和NAND Flash需求卻并不穩(wěn)定，只能說(shuō)是剛剛回暖，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格漲幅遠(yuǎn)高于市場(chǎng)（特別是消費(fèi)類市場(chǎng)）需求的增長(zhǎng)。所以，對(duì)于下游的終端客戶來(lái)說(shuō)，如果市場(chǎng)實(shí)際需求并不那么旺盛，可能是不愿意接受大幅漲價(jià)的，這也會(huì)在一定程度上抑制客戶端的需求。

所以，對(duì)于存儲(chǔ)模組廠商來(lái)說(shuō)，其將會(huì)夾在上游的存儲(chǔ)芯片原廠要求漲價(jià)、以及下游的大客戶抵抗?jié)q價(jià)之間，兩頭承壓，畢竟存儲(chǔ)模組廠商不論是對(duì)上游的存儲(chǔ)芯片原廠，還是對(duì)下游的大客戶，都缺乏足夠的議價(jià)權(quán)。


中國(guó)存儲(chǔ)芯片行情不容樂(lè)觀

對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格上漲并不是一個(gè)好消息。眾所周知，中國(guó)是一個(gè)芯片進(jìn)口大國(guó)。在2022年，中國(guó)買走了全球30%的存儲(chǔ)芯片，超過(guò)1000億美元。

其中大約430億美元的芯片用在中國(guó)自己的產(chǎn)品身上，而剩下的芯片則被裝配在了HP、DELL、蘋果等國(guó)外品牌產(chǎn)品中。

而按照目前存儲(chǔ)芯片的漲幅趨勢(shì)來(lái)看，2024年，在購(gòu)買同樣數(shù)量芯片的情況下，中方企業(yè)至少要多出500億美元的資金，換算成人民幣已經(jīng)接近3600億元，可以說(shuō)之所以要出這筆“冤枉錢”，就是我國(guó)為自研能力不足所付出的代價(jià)。

而之所以形成這種情況，并不是我國(guó)的企業(yè)對(duì)科研不熱衷或者投入不夠，而是因?yàn)槊绹?guó)想要收割中國(guó)，就不能讓中國(guó)在技術(shù)上有所突破。

其實(shí)自2022年下半年起，中國(guó)芯片行業(yè)尤其在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域就已經(jīng)取得顯著突破，當(dāng)時(shí)中國(guó)率先實(shí)現(xiàn)了全球最先進(jìn)的232層NAND flash芯片的量產(chǎn)，這一成就打破了美日韓長(zhǎng)期以來(lái)在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的壟斷地位。

而面對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)芯片技術(shù)的快速進(jìn)步，美國(guó)等國(guó)家開(kāi)始采用各種手段限制中國(guó)的技術(shù)發(fā)展。這包括限制向中國(guó)出口關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造設(shè)備，以及限制向中國(guó)出口高性能的芯片，從而對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的技術(shù)發(fā)展構(gòu)成阻礙。

在這種外部壓力下，中國(guó)的存儲(chǔ)芯片研發(fā)進(jìn)度相對(duì)放緩，而美日韓的企業(yè)則加快了自己的技術(shù)研發(fā)步伐。

到2023年，中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的技術(shù)發(fā)展仍然停留在232層NAND flash上，而此時(shí)，美日韓的存儲(chǔ)芯片企業(yè)已經(jīng)宣布成功研發(fā)出300層以上的NAND flash存儲(chǔ)芯片。而美、日等國(guó)家就是依靠這種技術(shù)優(yōu)勢(shì)建立了定價(jià)權(quán)，而中國(guó)企業(yè)能做的只有“乖乖掏錢”。

在這種關(guān)鍵時(shí)候，像長(zhǎng)江存儲(chǔ)這種行業(yè)龍頭企業(yè)，應(yīng)該發(fā)揮其自身的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，改變這種被動(dòng)的局面。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)，作為中國(guó)自主研發(fā)的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)企業(yè)，擁有突破外部限制、提升國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈自給自足能力的關(guān)鍵機(jī)遇。面對(duì)當(dāng)前的市場(chǎng)形勢(shì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)采取哪些策略來(lái)應(yīng)對(duì)呢？

長(zhǎng)江存儲(chǔ)應(yīng)該加大技術(shù)研發(fā)投入，縮小與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距，特別是在NAND flash等關(guān)鍵領(lǐng)域，爭(zhēng)取在下一個(gè)技術(shù)更迭周期中取得領(lǐng)先。

中國(guó)企業(yè)在2022年下半年就實(shí)現(xiàn)了232層NAND flash芯片的量產(chǎn)，這表明中國(guó)在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域具備突破的潛力。只是被美國(guó)采取的封鎖政策“封印”住了實(shí)力而已。

而要打破美國(guó)的封鎖，就要增強(qiáng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和自主可控能力，通過(guò)多元化策略減少對(duì)單一國(guó)家或地區(qū)的依賴。面對(duì)外部壓力，尋求國(guó)內(nèi)外合作伙伴，共同構(gòu)建更加堅(jiān)韌的供應(yīng)鏈體系。

除了企業(yè)自身的努力，國(guó)家層面和企業(yè)層面應(yīng)同步推進(jìn)，不僅加強(qiáng)芯片產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略規(guī)劃和政策支持，同時(shí)鼓勵(lì)企業(yè)間的合作與整合，提升整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。