繼內存HBM產能緊缺之后，存儲市場又出現短缺現象。2021年存儲芯片市場步入低迷，SSD價格已持續(xù)下跌約兩年，為應對市場變化，存儲器廠商減產NAND Flash，隨著市場減產策略有效實施，部分需求提升，SSD開始供應緊縮。

近期，市場傳NAND Flash產品企業(yè)級固態(tài)硬盤 (SSD) 陷入短缺。對此業(yè)界認為，主要是由于AI熱潮加上全球科技巨頭大舉建設數據中心，帶動存儲設備需求大幅增長，導致SSD供不應求。在此之下，存儲大廠開始有所動作。


SSD供不應求

供應商漲勢猛烈

過去兩周，業(yè)界傳企業(yè)級SSD陷入短缺，存儲大廠三星擬將大幅調高企業(yè)級SSD售價25%。

據BusinessKorea4月2日報道，傳三星預料第二季調漲企業(yè)級SSD報價20%~25%，扭轉2023年惡劣的下降趨勢。三星原先計劃比上季度提價約15%，但需求超出預期，讓三星決定擴大漲幅。三星企業(yè)級SSD占據約一半的市場份額，對價格決策有重大影響力。

據TrendForce集邦咨詢3月7日研究顯示，在2023年第四季度Enterprise SSD市場中，三星以41.7%的市占率占據全球第一，其次是SK集團（33.2%）、美光（10.8%）、鎧俠（9.4%）、西部數據（4.9%）。

值得一提是，5家廠商同時也是全球前五大NAND閃存巨頭。原廠不僅生產NAND Flash閃存顆粒，還研發(fā)主控芯片以及生產企業(yè)級SSD成品。據此前全球半導體觀察統計，主控芯片領域主要有兩大陣營，一是上述原廠，基本不對外出售主控芯片，不過美光的主控芯片則既用于自有產品，也出售給其他廠商；二是IC設計類主控廠商，代表企業(yè)包括美滿（Marvell）、慧榮及群聯電子（Phison）等。Marvell是主控芯片先驅，長期占據高端市場，支持在企業(yè)和超大規(guī)模數據中心環(huán)境中使用高性能和大容量的SSD?；蹣s、群聯主控廠商則通過性價比優(yōu)勢在企業(yè)級SSD市場立足。

供應端方面，主控芯片供應商慧榮科技總經理茍嘉章此前表示，NAND Flash第二季價格都已談完，會漲價20%；第一季部分供應商開始獲利，第二季后會讓多數供應商賺錢。

另據TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產能利用率外，其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低，以及減產效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。

其中，受惠于北美及中國云端服務業(yè)者（CSP）需求上升，預期今年上半年Enterprise SSD采購量將會逐季成長。由于大容量SSD訂單達交率（Order Fill Rate；OFR）偏低，供應商依舊主導價格走勢，故買方被迫接受供應商價格可能性升高。同時，部分買方仍試圖在下半年旺季前提高庫存水位，因此，預估第二季Enterprise SSD合約價季增20~25%，漲幅為全線產品最高。


存儲芯片早已開始供應緊缺

上游存儲原廠減產后，整體供貨資源順序出現動態(tài)調整，優(yōu)先供貨自家品牌產品，對外NAND銷售比例下降。供應鏈稱，目前已有部分產品缺貨，客戶敲定第一波預訂單后，想再增加拉貨卻已買不到。

雖說各家存儲芯片大廠減產步調不一，但隨著減產效應逐漸發(fā)酵，先前較高的晶圓庫存也陸續(xù)釋出，由于存儲芯片處于價格低檔時，上游原廠寧愿減少顆粒產出，改以Wafer供貨以降低生產成本。但當進入價格高檔階段，上游原廠傾向供應顆粒IC，有利產品單價（ASP）提高。

還有封測廠商指出，從去年第三季度以來，存儲模組廠商急單陸續(xù)涌現，隨著行業(yè)價格持續(xù)看漲，四季度封測需求將持穩(wěn)或微增，整體訂單動能或將好于三季度。

中信證券上周研報指出，8月末起，晶圓端漲價開始傳導至模組端，SSD、eMMC、UFS等模組產品中多數已出現不同幅度的上漲，并延續(xù)到10-11月。展望后續(xù)，分析師預計12月部分緊缺且對應下游需求復蘇較早的產品漲價將持續(xù)，但整體需求恢復仍較緩慢，漲幅或相對收窄。

該券商進一步補充稱，Wafer合約價格在本輪周期復蘇和漲價中表現相對溫和，且具備持續(xù)性，對行業(yè)整體供需關系的趨勢判斷更具參考意義。其預計，Q4 NAND各環(huán)節(jié)漲價將延續(xù)；隨各原廠持續(xù)減產DDR4、行業(yè)庫存去化、下游服務器市場復蘇，預計2024年主流DRAM價格有望持續(xù)回升。


中國存儲產業(yè)依賴進口

在存儲芯片和存儲介質領域的落后,導致中國存儲產業(yè)嚴重依賴海外技術和產能。2022年,中國內存和存儲芯片進口量超過2億個,進口金額超過600億元人民幣。存儲設備進口量更是超過1億臺,進口金額近1000億元。

受制于人的存儲技術水平,不僅加重了中國對外貿易逆差壓力,更加劇了數據安全隱患。一旦發(fā)生緊急情況,存儲介質和關鍵零部件供應可能被切斷,影響將波及個人手機、企業(yè)服務器乃至政府機構數據安全。因此,突破存儲技術"卡脖子"現狀,實現自主可控已經成為當務之急。


超級光盤新技術突破

超級光盤是一種全新的高容量光存儲介質,堪稱下一代數據存儲利器。其儲存原理類似于傳統的光盤,只是將數據存儲介質從表面轉移到了介質內部。

具體來說,超級光盤由特殊的光敏感高分子材料制成。通過精密的納米尺度微雕刻技術,在光盤內部形成三維立體光柵結構,以此來記錄和存儲海量數據。單張光盤理論最大存儲容量可達1TB,是目前流行的藍光光盤的近1000倍。

與硬盤等存儲介質不同,超級光盤無需機械運動部件,數據讀寫過程純靜態(tài)無損耗。其存儲特性非常適合對數據安全要求極高的重要數據存檔場景。此外,超級光盤壽命長達幾百年,遠超硬盤和固態(tài)硬盤,在長期數字存儲方面具有巨大優(yōu)勢。

在超級光盤研發(fā)道路上,中國科研團隊攻克了一系列技術難關。首先是光敏材料研發(fā),通過分子設計和缺陷調控,研制出超高分辨率和高容量的光敏感高分子材料。這是制造高密度三維光柵結構的關鍵。

其次,超級光盤高精度加工技術實現突破。研發(fā)團隊設計出近場微納加工裝置和高效探針陣列制造系統,使用離子束氣相刻蝕、原子分子沉積等先進工藝,在光敏材料內部精密刻錄三維光柵結構。

第三是超級光盤全新讀寫系統的研制。傳統光盤采用透射光學原理讀寫數據,而超級光盤則采用近場掃描光學系統。研發(fā)團隊創(chuàng)新性地突破了納米尺度精密微探針制造和大規(guī)模微探針陣列設計,建立起超級光盤專用的高速并行讀寫系統。


量產能力獲重大進展

經過多年努力,中國科研團隊在超級光盤關鍵技術上取得重大突破,初步具備了量產能力。底,國內首條超級光盤生產線在深圳投產。這條生產線一次可同時生產48張超級光盤,月產能約20萬張左右。相比市面上的藍光光盤和4K超高清光盤,超級光盤單位存儲成本僅為其十分之一。

目前國內已有供應商可以提供標準超級光盤刻錄機,在專業(yè)視頻剪輯、科學數據備份等行業(yè)內應用案例不斷涌現。未來隨著量產能力不斷提高,成本進一步降低,超級光盤必將逐步普及到更多領域,推動存儲技術創(chuàng)新發(fā)展。