2023年除了中國芯片大舉替代進(jìn)口之外，在芯片設(shè)備行業(yè)也在加快國產(chǎn)替代，業(yè)界預(yù)估2023年中國芯片制造行業(yè)除了光刻機(jī)之外，其他芯片設(shè)備的國產(chǎn)替代率已超過三成，而且這種替代趨勢將不可逆轉(zhuǎn)。

這幾年美國除了在芯片方面限制對中國供應(yīng)之外，在芯片設(shè)備方面也多方阻撓，其中最為人所熟知的當(dāng)屬光刻機(jī)，美國先是阻止EUV光刻機(jī)賣給中國企業(yè)，后來又阻止14納米以下的DUV光刻機(jī)，再之后連28納米以下的光刻機(jī)也不行了。

后來美國又拉攏日本，日本也極為積極，限制了23種芯片設(shè)備和材料對中國出口，試圖借此卡住中國在芯片制造方面的發(fā)展，借此扼殺中國芯片，然而中國芯片設(shè)備行業(yè)卻迎來了幾年的快速增長期。

中國在刻蝕機(jī)、光刻膠、封裝等方面都已達(dá)到5納米，這是中國進(jìn)展最快的芯片制造環(huán)節(jié)，這些相關(guān)的企業(yè)這幾年也取得了年增50%乃至翻倍的業(yè)績，凸顯出國內(nèi)芯片制造企業(yè)大舉采購國產(chǎn)芯片設(shè)備和材料。

如今中國在芯片制造方面最后一個技術(shù)難關(guān)就是光刻機(jī)，畢竟光刻機(jī)極為復(fù)雜，還需要諸多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)配合，ASML制造的EUV光刻機(jī)就需要全球5000家企業(yè)配合，不過這幾年哈工大、上海微電子等研發(fā)機(jī)構(gòu)或企業(yè)在聯(lián)合攻關(guān)，陸續(xù)取得了一些關(guān)鍵技術(shù)的突破，假以時日，可以實現(xiàn)7納米工藝的浸潤式光刻機(jī)將必然被攻破。

芯片制造逐漸達(dá)到瓶頸也為中國芯片設(shè)備和材料提供了機(jī)會，業(yè)界都清楚現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)極限就是1納米，而越接近1納米，工藝進(jìn)展就越慢，臺積電的3納米量產(chǎn)就被延遲一年，而且量產(chǎn)之后良率也低至55%，遠(yuǎn)無法與此前其他幾代芯片制造工藝相比。

芯片設(shè)備方面也已難以突破，ASML就認(rèn)為2納米EUV光刻機(jī)將是它最后一代光刻機(jī)，它也不知如何進(jìn)一步突破極限了，這都為中國研發(fā)先進(jìn)的芯片設(shè)備和材料提供了時間，由此中國的芯片設(shè)備趕上全球先進(jìn)水平可能性也在加大。

中國芯片行業(yè)同時也基于現(xiàn)有的設(shè)備開發(fā)先進(jìn)工藝，據(jù)稱某科技企業(yè)的7納米芯片就是國內(nèi)芯片行業(yè)共同努力的結(jié)果，以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)量產(chǎn)7納米工藝，甚至近期有消息指中國基于現(xiàn)有設(shè)備已開發(fā)出5.5納米工藝。

除了繼續(xù)發(fā)展硅基芯片技術(shù)之外，中國芯片行業(yè)正積極發(fā)展量子芯片、光子芯片等技術(shù)，這些全新的芯片技術(shù)所需要的設(shè)備都是空白，中國在這些先進(jìn)芯片設(shè)備方面更是與全球站在同一起跑線上，合肥本源量子就指出它研發(fā)的量子芯片所有的芯片設(shè)備都是自研，這些先進(jìn)芯片技術(shù)一旦商用，中國芯片行業(yè)更將完全無需海外的芯片設(shè)備。

可以說美國這幾年的施壓，固然給中國芯片行業(yè)帶來壓力，但是同時也是促進(jìn)技術(shù)發(fā)展的動力，在這種巨大的壓力下，中國芯片行業(yè)這幾年迸發(fā)出巨大的能量，所取得的進(jìn)展超過了過去20年間的成就，促進(jìn)了國產(chǎn)芯片的自立自強(qiáng)。