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為對抗三星、SK 海力士,傳日本鎧俠將砸1182億新建3D NAND Flash廠

2021-05-13 來源:中電網(wǎng)
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據(jù)日媒工業(yè)新聞報導(dǎo),為了應(yīng)對三星、SK 海力士等對手,以及云服務(wù)、5G帶來的NAND Flash需求激增,傳聞鎧俠(Kioxia,前東芝半導(dǎo)體)計劃在日本巖手縣北上市工廠興建3D NAND Flash新廠房,總投資額預(yù)估高達2兆日元(約合人民幣1182億元)。

報導(dǎo)指出,鎧俠計劃在北上工廠新設(shè)的第二廠房K2大小預(yù)估將達2020上半年開始進行生產(chǎn)的第一廠房K1的2倍。鎧俠目前已對鄰近K1東側(cè)及北側(cè)約15萬平方公尺的土地進行整地工程,且也正協(xié)商有意取得鄰近K1東南側(cè)的土地,K2預(yù)計2022年春天動工興建,2023年春天左右完工,數(shù)個月后開始生產(chǎn)3D NAND Flash。

據(jù)報導(dǎo),K2所需的生產(chǎn)設(shè)備主要將從四日市工廠轉(zhuǎn)移過來,因此總額2兆日元的投資,除了含K2廠房、附帶設(shè)施,也含設(shè)備補充四日市工廠的費用。對K2生產(chǎn)設(shè)備投資照舊,會和合作伙伴西部數(shù)據(jù)(Western Digital,WD)共同負擔(dān)。

報導(dǎo)指出,因產(chǎn)品市況尚未恢復(fù),因此鎧俠IPO(首次公開發(fā)行)計劃將較原先規(guī)劃推延,最快將等到2021年夏天以后。