隨著臺積電熊本晶圓廠將在2月24日開幕，2024年多座日本或外資半導(dǎo)體制造商在日本新建的晶圓廠將開始大規(guī)模生產(chǎn)。市場人士表示，這將刺激日本國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的成長和發(fā)展，提高日本的半導(dǎo)體制造能力。


日本加碼半導(dǎo)體投資

周五，據(jù)媒體報道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布將推出總計(jì)2萬億日元（合130億美元）的補(bǔ)貼，以推動該國芯片行業(yè)的投資和生產(chǎn)，來加強(qiáng)日本在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位。

這筆資金將用于加快日本設(shè)計(jì)和制造下一代芯片以及人工智能模型，日本將為高端元件、芯片設(shè)備、工業(yè)氣體和半導(dǎo)體制造廠商以及工程師培訓(xùn)預(yù)留資金和提供補(bǔ)貼。

這一舉動是振興該國經(jīng)濟(jì)廣泛藍(lán)圖的一部分。尖端芯片作為從人工智能到自動駕駛等未來關(guān)鍵技術(shù)的核心，目前日本正試圖在政策層面來吸引外部投資者對該國尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)的投資。

在經(jīng)歷了數(shù)十年的衰落之后，日本正試圖重新奪回芯片行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。日本承擔(dān)了臺積電熊本工廠近一半的成本，同時正在就支持第二家工廠進(jìn)行談判；日本準(zhǔn)備提供約15億美元，幫助美光科技在廣島的工廠擴(kuò)張，它還資助Rapidus來制造日本自己的尖端2納米芯片。


2024年多座晶圓廠投產(chǎn)

臺積電熊本晶圓廠2/24將開幕

在熊本縣菊陽町，由臺積電、SONY和日本電裝（DENSO）投資的日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造（JASM）公司，目前正在興建一座12寸晶圓廠，該工廠將采用12/16納米以及22/28納米制程技術(shù)，主要生產(chǎn)供應(yīng)車用電子使用的芯片。該晶圓廠預(yù)計(jì)于2月24日開幕，預(yù)計(jì)將于2024年第四季開始大量生產(chǎn)。

市場人士表示，這一新晶圓廠的開發(fā)將使日本邏輯IC制程技術(shù)獲得重大進(jìn)步，從瑞薩電子的40納米制程轉(zhuǎn)向JASM的12納米制程，這被視為日本半導(dǎo)體復(fù)興政策的第一步。對此，日本政府也為JASM晶圓廠提供4,760億日元（約合32億美元）的資金補(bǔ)助，補(bǔ)助金額占該晶圓廠總支出86億美元的近三分之一。


鎧俠和西數(shù)合資興建12寸晶圓廠

NAND Flash 快閃存儲器大廠鎧俠（Kioxia）和西數(shù)正合資在三重縣四日市建設(shè)一座12寸晶圓廠。該工廠將于2024年3月準(zhǔn)備量產(chǎn)3D NAND Flash閃存產(chǎn)品。市場人士指出，該晶圓廠將斥資2,800億日圓（約18億美元），其中日本政府補(bǔ)高達(dá)929億日元（約6億美元）。至于，位于巖手縣北上的另一家鎧俠和西數(shù)合資工廠，則將于2024年下半年開幕。而該計(jì)劃原定于2023年完工，但由于市場狀況不佳，因?yàn)檎麄€計(jì)劃遭到延后。

瑞薩電子擴(kuò)產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

瑞薩電子預(yù)計(jì)將于2024年推出新的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，不過，因?yàn)樵摴疚挥谏嚼婵h的甲府工廠于2014年10月已經(jīng)關(guān)閉。因此，為了應(yīng)對電動汽車（EV）功率半導(dǎo)體不斷成長的需求，該公司承諾斥資900億日圓在現(xiàn)有工廠安裝一條12寸晶圓生產(chǎn)線。未來，新生產(chǎn)線將使瑞薩電子能夠增強(qiáng)其IGBT和MOSFET等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并計(jì)劃于2024年達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。而對于瑞薩電子的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)也將獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的補(bǔ)貼支持。


東芝和羅姆半導(dǎo)體合作整合產(chǎn)線發(fā)展功率半導(dǎo)體

東芝和羅姆半導(dǎo)體（ROHM）達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，東芝功率半導(dǎo)體工廠將開始與羅姆在宮崎縣國富市新開發(fā)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體工廠進(jìn)行生產(chǎn)整合。羅姆位于國富市的新工廠將采用8寸SiC晶圓技術(shù)，預(yù)計(jì)于2024年底開始量產(chǎn)，并部分完成工廠建設(shè)。而此次合作預(yù)計(jì)將獲得政府補(bǔ)貼，相當(dāng)于該項(xiàng)目投資的三分之一。


重點(diǎn)發(fā)力功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體作為日本的傳統(tǒng)優(yōu)勢領(lǐng)域，在被歐美大廠競爭和國內(nèi)功率半導(dǎo)體“崛起”態(tài)勢的雙重?cái)D壓下，榮光漸褪，夾在處于領(lǐng)先地位的西方競爭對手和正在迅速追趕的中國競爭對手之間。

日本政府顯然已意識到了問題的嚴(yán)重性。

去年5月，日本政府發(fā)布關(guān)于發(fā)展半導(dǎo)體的增長戰(zhàn)略草案，旨在到2030年前將日本企業(yè)在全球功率半導(dǎo)體的市占由目前20%左右提高至40%。

鑒于這種形勢，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）也正在采取行動，旨在通過推出補(bǔ)貼政策來克服目前的情況。

近日，日本電子元器件大廠羅姆半導(dǎo)體、東芝發(fā)布聯(lián)合聲明稱，雙方將合作巨額投資3883億日元（約合27億美元），用于聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

其中，羅姆計(jì)劃將大部分投資2892億日元用于其主導(dǎo)的SiC晶圓生產(chǎn)，其計(jì)劃在九州島南部宮崎縣建造一座新工廠。東芝則計(jì)劃出資991億日元，在日本中部石川縣建設(shè)一座尖端的300mm晶圓制造工廠。

據(jù)悉，雙方在功率半導(dǎo)體制造和增加批量生產(chǎn)方面的合作計(jì)劃已得到日本經(jīng)濟(jì)部的支持，雙方將共計(jì)獲得1294億日元（9.02億美元，相當(dāng)于總投資的三分之一）的補(bǔ)貼，以支持其在日本國內(nèi)的功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

日本經(jīng)濟(jì)大臣西村康稔在新聞發(fā)布會上表示，日本國內(nèi)功率半導(dǎo)體制造商相互合作，提高日本工業(yè)的國際競爭力，這是至關(guān)重要的。其表示，該部一直鼓勵日本的芯片制造商之間進(jìn)行更多合作。

與國內(nèi)較為相似的是，中日兩個市場的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能都比較碎片化。日本功率半導(dǎo)體企業(yè)此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過利用政府補(bǔ)貼來新建功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，兩方作為各自進(jìn)入更細(xì)分的市場進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)布局，對方產(chǎn)品可以充分互補(bǔ)來提升客戶服務(wù)能力。這對提振羅姆和東芝的產(chǎn)線產(chǎn)能利用率，進(jìn)一步提高兩家公司的成本、市場競爭力會起到較強(qiáng)的促進(jìn)作用。

有業(yè)內(nèi)專家指出，這點(diǎn)也值得被國內(nèi)企業(yè)參考。近年來，國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場進(jìn)入了內(nèi)卷時代，價格戰(zhàn)、紅海競爭等字眼被頻繁提及。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，國內(nèi)目前晶圓制造環(huán)節(jié)還較為薄弱，存在很多共性問題，需要通過政府政策引導(dǎo)和長期產(chǎn)業(yè)資金投入來持續(xù)推進(jìn)研發(fā)和應(yīng)用。

在功率半導(dǎo)體市場需求強(qiáng)力釋放趨勢下，未來的競爭是全球性的競爭。無論是對于日本還是中國功率半導(dǎo)體，企業(yè)間強(qiáng)強(qiáng)合作共同把功率半導(dǎo)體市場推向全球舞臺才是關(guān)鍵。