Intel的CEO基辛格揚(yáng)言，在美國與日荷聯(lián)盟的管制下，中國芯片工藝將至少比美國落后10年時間，不過在他說話不久，中國就連連公布重要芯片技術(shù)，狠狠打臉，說明他們的圖謀很難成為現(xiàn)實(shí)。

首先是中國一家科技企業(yè)公布了新款的芯片9010，上一代芯片9000S已被證實(shí)達(dá)到7納米的水平，9010芯片的性能得以進(jìn)一步提升，業(yè)界人士認(rèn)為這可能已接近5納米工藝，凸顯出中國芯片仍然在突破，芯片設(shè)備并未能完全阻止中國芯片工藝的發(fā)展。

對此浸潤式光刻機(jī)之父林本堅就表示，中國芯片完全可以以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)5納米工藝，只不過如此做可能導(dǎo)致成本過高，也證明了中國只要下功夫完全可以用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝。

這是對現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)進(jìn)行升級，跟隨的是美國主導(dǎo)的硅基芯片技術(shù)路線，這條路線目前確實(shí)受到美國的影響，不過顯然中國芯片和美國芯片的工藝技術(shù)并未有10年那么大，兩者之間只是隔了3納米、5納米兩代技術(shù)而已，臺積電在2018年量產(chǎn)7納米，至今僅相隔6年，而如果國產(chǎn)芯片真的接近5納米水平，那就只有3年差距而已。

值得注意的是美國的芯片工藝其實(shí)落后于臺積電，Intel就量產(chǎn)7納米不久，即使Intel指它的7納米相當(dāng)于臺積電的5納米，與中國芯片的技術(shù)也不過是相差3年左右罷了，Intel試圖在明年量產(chǎn)2納米工藝，如此激進(jìn)地推進(jìn)技術(shù)升級，不知能否成功，畢竟它在7納米、10納米上都先后受挫而延遲數(shù)年量產(chǎn)呢。

如果說在傳統(tǒng)的硅基芯片方面，中國還只能跟隨美國的腳步，那么中國已開辟新的芯片技術(shù)路線，繞開美國主導(dǎo)的硅基芯片技術(shù)，這將成為中國芯片彎道超車的機(jī)會，進(jìn)而取得先進(jìn)芯片技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

中國和美國都在發(fā)展量子計算技術(shù)，外媒認(rèn)為在這項先進(jìn)技術(shù)方面，中國已與美國處于同一起跑線，兩者沒有太大差距，甚至中國還有一些領(lǐng)先優(yōu)勢。

中國在同時發(fā)展光量子、超導(dǎo)量子技術(shù)，這都被認(rèn)為是量子技術(shù)的方向，日前中國的本源量子更宣布它的最新一代量子計算機(jī)本源悟空不僅完成了國內(nèi)3萬多項計算任務(wù)，還開放給全球科學(xué)家，至今已有30多個訪問得到批準(zhǔn)，其中有相當(dāng)比例的申請要求來自美國科學(xué)家，相比之下美國則沒有開放量子計算。

這凸顯出中國對于自己的量子計算技術(shù)擁有充分的信心，敢于讓美國科學(xué)家來驗證相關(guān)的技術(shù)，量子芯片將成為中國實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)取得領(lǐng)先優(yōu)勢的機(jī)會，而且中國已籌建了全球第一條量子芯片生產(chǎn)線，全數(shù)采用國產(chǎn)的設(shè)備，設(shè)備不再是中國量子芯片發(fā)展的卡脖子難題。

可以說Intel的CEO基辛格認(rèn)為美國可以一直阻止中國發(fā)展先進(jìn)芯片技術(shù)，甚至保持落后美國10年的狀況，完全是幻想，中國科技行業(yè)已多方布局，特別是量子芯片技術(shù)的發(fā)展將成為中國趕超美國的機(jī)會，這正是美國所擔(dān)憂的。