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華為、小鵬都用上碳化硅平臺,碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來黃金增長期

2023-11-29 來源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 華為 碳化硅 芯片

11月28日下午,華為智選車體系下的首款轎車車型——智界S7迎來正式上市。新車一共分4個版本,官方指導(dǎo)價定在24.98萬~34.98萬區(qū)間。雖然是和奇瑞共同打造的新車,但智界S7本身的“含華量”還是超越了一般理解中的合作造車,它從平臺開始便應(yīng)用了來自大量華為體系的硬件。

三電部分,智界S7主打的是所謂“雙800”標(biāo)簽——DriveONE 800V高壓碳化硅動力平臺+800km的續(xù)航(Max+版本,CLTC工況下),兼顧充電效率上限和長距離行駛的自持力。



得益于“巨鯨”800V高壓電池平臺的使用,智界S7支持最快5分鐘補能200km、最快15分鐘補能420km的高倍率閃充——雖然看起來還是沒加油那么方便,但解決燃眉之急總夠用了。

關(guān)于電池包,智界S7采用了臥式高壓盒設(shè)計,一方面追求高集成度和簡化線束(意味著更少的故障發(fā)生位置),另一方面則追求更低的整包厚度——后者顯然有利于為駕駛艙騰出更多縱向空間。當(dāng)然,其他對手們早已標(biāo)配的BMS預(yù)警、電芯主動冷卻、電池組/整包物理防護加強等等,智界S7實際上也都沒落下。


從義烏小商品城的廉價珠寶到網(wǎng)紅半導(dǎo)體材料

一個是黑乎乎的碳化硅材料,一個是耀眼的鉆石,你怎么也無法將二者聯(lián)系在一起吧!

碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,是制造光電子器件、高頻微波器件、大功率電力電子器件、高溫電子器件理想的必備材料,它廣泛應(yīng)用于大功率白光照明、雷達通訊、軌道交通、電力轉(zhuǎn)換、航天航空、高溫輻射環(huán)境等行業(yè)?!?/span>

偶然之間一種被稱為“莫桑鉆”的飾品從碳化硅材料的廢料中挑選出來,經(jīng)過精雕細(xì)琢,加工成了鉆戒等珠寶飾品。

莫桑石成分為100%SiC,和碳化硅是同一種東西。天然莫桑石在自然界中十分稀有,只能形成于極端環(huán)境,如隕石、地幔巖石中。所以人們生活中能見到的莫桑石,基本上都是人工合成的。

莫桑石又名合成莫桑鉆或合成碳硅石,其物理特性與鉆石非常接近。莫桑石質(zhì)地呈透明至不透明狀態(tài),表面呈玻璃光澤,火彩更是鉆石的2.5倍,看上去要比鉆石更加閃亮,可以說莫桑石是鉆石絕佳的替代品。

今天我們看到的莫桑石,其實就是從碳化硅單晶材料的廢料中而來的,由于碳化硅材料的物理性質(zhì)與鉆石非常相似,對廢料進行深加工,便有了莫桑鉆。



國內(nèi)企業(yè)加速8英寸襯底布局

化合物半導(dǎo)體市場對國內(nèi)主流SiC企業(yè)的8英寸襯底進度進行了統(tǒng)計,除了三安光電之外,目前國內(nèi)在研發(fā)8英寸襯底的企業(yè)及機構(gòu)還有爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等。其中爍科晶體、天科合達以及晶盛機電相對來說進度比較快。

襯底之外,外延企業(yè)也在加速建設(shè)8英寸產(chǎn)能,東莞天域計劃購置94.7 畝地用于建設(shè)SiC外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,用于SiC外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線的建設(shè)。此外,瀚天天成位于同翔高新城的SiC產(chǎn)業(yè)園的三期項目也極有可能是定位8英寸SiC外延,這兩家企業(yè)目前都在IPO階段。

總體而言,隨著三安光電8英寸襯底的發(fā)布,SiC市場會越來越熱鬧,競爭也會越來越激烈,從長期來看,這有助于產(chǎn)業(yè)整體的發(fā)展,至于最后哪些企業(yè)能夠突圍而出,這個只能騎驢看唱本。


碳化硅迎來黃金增長期

當(dāng)我們談?wù)摰教蓟钑r,不得不提其兩大類別——單晶碳化硅和碳化硅陶瓷。單晶碳化硅因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率,在高功率、高頻率的電子器件中具有無可比擬的優(yōu)勢。而碳化硅陶瓷則以其耐蝕性和抗氧化性,在極端環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性,被廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事裝備等諸多要求苛刻的領(lǐng)域。

走進實際應(yīng)用,新能源汽車正是碳化硅發(fā)揮巨大作用的一個絕佳例證。隨著全球范圍內(nèi)對環(huán)保與效率要求日益嚴(yán)格,傳統(tǒng)硅基IGBT逐漸顯露出其功耗和體積上的局限。而采用SiC基材料制成的MOSFET,則以更小型、更節(jié)能、更持久穩(wěn)定著稱,有效延長了電動汽車?yán)m(xù)航里程,并提升了整車性能。



此外,在軌道交通中,SiC也被運用于牽引系統(tǒng)中。它使得整個系統(tǒng)更加輕便高效,為快速列車提供了強有力支持。同時,在太陽光伏發(fā)電領(lǐng)域中,SiC作為逆變器關(guān)鍵材料之一,有效提升了轉(zhuǎn)換效率,并降低了成本。

市場上對于這種“黑金”材料的需求正在爆發(fā)式增長。從企業(yè)擴產(chǎn)到資本投入無不顯示出市場對SiC潛力的肯定與期待。據(jù)《中國碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告》顯示,該行業(yè)將迎來黃金增長期。