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報告稱中韓 NAND 技術(shù)差距縮短至 2 年

2023-11-23 來源: IT之家
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關(guān)鍵詞: NAND 三星 SK海力士

11 月 23 日消息,根據(jù)韓媒 Business Korea 報道,市場內(nèi)部人士透露,隨著中國大陸加大對存儲器產(chǎn)業(yè)的支持力度,過去幾年已經(jīng)有了長足的進步,在 NAND 閃存方面,和三星、SK 海力士等全球領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距縮短到 2 年。


該業(yè)內(nèi)人士指出:“雖然 DRAM 依然保持 5 年以上的技術(shù)差距,不過由于 NAND 技術(shù)壁壘較低,中國企業(yè)在大力扶持下快速追趕,不斷縮小差距。中國企業(yè)的 NAND 產(chǎn)品雖然在市場競爭力上還存在不足,但顯然加快了追趕速度”。


報道中特別提及了長江存儲,該公司在 2022 年閃存峰會(FMS)上,正式發(fā)布了基于晶棧 3.0(Xtacking 3.0)架構(gòu)的第四代 3D TLC NAND 閃存芯片,名為 X3-9070。


長江存儲宣布從 176 層到 232 層量產(chǎn)之后,遭到了外界的諸多質(zhì)疑,不過該公司用了不到 1 年的時間,成功量產(chǎn) X3-9070。



除了用于致態(tài) TiPlus7100 系列 SSD,還被用在海康威視的 CC700 2TB SSD 上,這是首個進入零售市場的 200 + 層 3D NAND 閃存解決方案,領(lǐng)先于三星、美光、SK 海力士等廠商。


報道中還指出,隨著半導(dǎo)體電路的小型化接近極限,中國企業(yè)正抓住先進封裝(Efficient packaging)這個機會,進一步縮小技術(shù)差距。


在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi),先進封裝主要封裝多個芯片,從而提高性能,被認(rèn)為是克服挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。


中國大陸在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域占有第二大市場份額,IT之家援引市場研究公司 IDC 的數(shù)據(jù),去年長電科技、通富微電和華天科技三家公司進入全球前 10 大半導(dǎo)體封裝(OSAT)公司,而韓國沒有一間公司出現(xiàn)在榜單上。