中國(guó)集成電路擴(kuò)張或“引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)”
根據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù),從2023年到2027年,全球成熟(>28nm)與先進(jìn)(<16nm)IC工藝的比例預(yù)計(jì)將徘徊在7:3左右。在促進(jìn)本土生產(chǎn)和國(guó)內(nèi)集成電路發(fā)展的政策和激勵(lì)措施的推動(dòng)下,中國(guó)的成熟工藝產(chǎn)能預(yù)計(jì)將從今年的29%增長(zhǎng)到2027年的33%。領(lǐng)先者是中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)和晶合集成等巨頭,而臺(tái)灣地區(qū)的份額預(yù)計(jì)將從49%下降至42%。
成熟制程集成電路廣泛應(yīng)用于汽車行業(yè),而汽車行業(yè)的芯片供應(yīng)仍面臨困境。由于汽車的生命周期很長(zhǎng),許多汽車系統(tǒng)使用的芯片正在被半導(dǎo)體公司逐步淘汰,取而代之的是更昂貴、最先進(jìn)的芯片。
研究公司IDC對(duì)此表示同意,但預(yù)測(cè)擴(kuò)張速度將略有放緩。按生產(chǎn)地劃分,中國(guó)大陸占整體工業(yè)面積的比重將持續(xù)增加,2027年將達(dá)到29%,較2023年增加2個(gè)百分點(diǎn)。臺(tái)灣地區(qū)的市場(chǎng)份額將從2023年的46%下降到2027年的43%。美國(guó)在先進(jìn)制程部分將有所斬獲,預(yù)計(jì)2027年7納米及以下的份額將達(dá)到11%。
TrendForce表示,雖然中國(guó)積極爭(zhēng)取全球和國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)商,以加強(qiáng)其本土制造業(yè)務(wù),但隨之而來的大規(guī)模擴(kuò)張可能會(huì)讓成熟的工藝涌入全球市場(chǎng),從而可能引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)。隨著中國(guó)成熟工藝能力的不斷涌現(xiàn),驅(qū)動(dòng)IC、CIS/ISP、功率分立器件的國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)將更加明顯。具有相似工藝平臺(tái)和能力的二三線代工廠可能面臨客戶流失和定價(jià)壓力的風(fēng)險(xiǎn)。以特種工藝而聞名的臺(tái)灣地區(qū)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——聯(lián)電、力機(jī)電、Vanguard等——將發(fā)現(xiàn)自己處于風(fēng)暴中心。未來的競(jìng)爭(zhēng)將取決于技術(shù)實(shí)力和高效的產(chǎn)量。
“地緣政治的變化正在從根本上改變半導(dǎo)體行業(yè)的格局。雖然直接影響可能是微妙的,但長(zhǎng)期戰(zhàn)略更多地關(guān)注供應(yīng)鏈的自立、安全和控制?!盜DC亞太區(qū)半導(dǎo)體研究主管兼臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)理Helen Chiang在一份聲明中表示:“行業(yè)運(yùn)營(yíng)將從全球合作轉(zhuǎn)向多地區(qū)競(jìng)爭(zhēng)?!?/span>
據(jù)TrendForce稱,在驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域,高壓(HV)特種工藝是業(yè)者關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著各公司積極追求40/28nm HV工藝,聯(lián)華電子目前占據(jù)主導(dǎo)地位,格羅方德(GlobalFoundries)緊隨其后。然而,中芯國(guó)際的28HV和晶合集成的40HV正分別準(zhǔn)備于2023年第四季度和2024年上半年量產(chǎn),從而縮小與其他代工廠的技術(shù)差距。具有類似工藝能力和產(chǎn)能的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,如力機(jī)電,以及沒有12英寸工廠的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,如Vanguard和DBHitek,將在短期內(nèi)面臨挑戰(zhàn)。據(jù)TrendForce稱,這一趨勢(shì)也可能對(duì)聯(lián)華電子和格羅方德產(chǎn)生長(zhǎng)期影響。
在CIS/ISP領(lǐng)域,3D CIS結(jié)構(gòu)包括邏輯層ISP和CIS像素層。主流制程的主要界限是邏輯層ISP的45/40nm范圍,該范圍繼續(xù)向更高級(jí)的節(jié)點(diǎn)發(fā)展。同時(shí),CIS像素層與FSI/BSI CIS一樣,主要采用65/55nm及以上工藝。據(jù)TrendForce報(bào)道,目前,臺(tái)積電、聯(lián)華電子和三星是這項(xiàng)技術(shù)的領(lǐng)跑者。
不過,該公司補(bǔ)充稱,中芯國(guó)際和晶合集成等中國(guó)企業(yè)正在縮小差距。中國(guó)智能手機(jī)巨頭OPPO、Vivo和小米進(jìn)一步推動(dòng)了它們的崛起。在政府政策的推動(dòng)下,中國(guó)的CIS公司(如豪威集團(tuán)、格科微電子和思特威等)開始支持本土生產(chǎn)。
功率分立器件主要包括MOSFET和IGBT等產(chǎn)品。Vanguard和華虹宏力深耕功率分立器件工藝已有一段時(shí)間,擁有比許多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更全面的工藝平臺(tái)和整車認(rèn)證。然而,TrendForce表示,在有利于電動(dòng)汽車和太陽能計(jì)劃的國(guó)家政策的支持下,中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)者正在加劇該領(lǐng)域的全球競(jìng)爭(zhēng)。其中包括華虹宏力、中芯國(guó)際、晶合集成和粵芯半導(dǎo)體等主流代工廠。GTA 和華潤(rùn)微等規(guī)模較小的中國(guó)IDM和代工廠也加入了競(jìng)爭(zhēng)。如果中國(guó)大規(guī)模提高產(chǎn)能,將加劇功率離散制造領(lǐng)域的全球競(jìng)爭(zhēng)。這種影響不僅會(huì)引發(fā)中國(guó)本土企業(yè)之間的價(jià)格戰(zhàn),還可能侵蝕臺(tái)灣地區(qū)企業(yè)的訂單和客戶。
