近日，美國再次升級(jí)了芯片禁令，在去年那份“史上最嚴(yán)”的禁令上，再次升級(jí)，重新制造了很多的細(xì)則。

其中針對(duì)AI芯片，一些消費(fèi)級(jí)的GPU顯卡，以及nvidia去年根據(jù)禁令，針對(duì)中國大陸市場，特意進(jìn)行閹割，并符合去年禁令要求的H800、A800都被禁了。

另外，針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備，重新又提了要求，特別是光刻機(jī)方面，針對(duì)波長193nm、分辨率小于45nm的DUV設(shè)備，只要套刻精度的DCO值，小于等于2.4nm即不能銷售，需要許可證。

目前ASML在售的所有浸潤式光刻機(jī)，包括最老的那一款NXT:1980Di，其波長是193nm，分辨率是38nm，然后DCO值是1.6，所以去年的禁令能夠銷售，今年的禁令下，無法銷售了。

美國為何會(huì)特意針對(duì)這款光刻機(jī)？其實(shí)并不是特意針對(duì)它，針的是所有浸潤式光刻機(jī)，因?yàn)槟壳叭蛟谑鄣乃薪櫴焦饪虣C(jī)，其DCO值都是小于2.4的，那么就全部不能銷售。

為何要針對(duì)浸潤式光刻機(jī)呢？原因很簡單，那就是堵住之前的7nm芯片漏洞。

浸潤式光刻機(jī)，雖然采用193nm的深紫外線，但通過水的折射之后，等效于134nm，經(jīng)過多重曝光技術(shù)，最多可以生產(chǎn)出7nm的芯片。

前段時(shí)間，讓大家沸騰的那顆Kirin9000S，其實(shí)就是采用浸潤式光刻機(jī)，進(jìn)行多重曝光的產(chǎn)物。

去年美國就想將中國芯片制造水平，鎖定在14nm工藝，所以出臺(tái)了那么嚴(yán)格的禁令，不曾想在光刻機(jī)這里，還有一個(gè)漏洞，讓ASML的NXT:1980Di這樣的光刻機(jī)，能夠銷售。

而這臺(tái)光刻機(jī)，通過多重曝光技術(shù)，確實(shí)可以生產(chǎn)出7nm芯片，臺(tái)積電第一代N7工藝，就是基于這臺(tái)光刻機(jī)的。

而前段時(shí)間的Kirin9000S，雖然不知道是誰代工的，也不知道究竟是什么工藝。但對(duì)美國而言，這樣的情況是不愿意看到的，所以不管是誰代工的，直接將這條路堵了再說。

在美國看來，管你誰代工的，只要將這個(gè)漏洞堵住了，浸潤式光刻機(jī)買不到，那么7nm芯片就生產(chǎn)不出來了，Kirin9000S也就不會(huì)有了，那就行了。

接下來怎么辦？短時(shí)間之內(nèi)肯定沒什么影響，畢竟目前國內(nèi)還擁有很多的浸潤式光刻機(jī)，還能繼續(xù)用，7nm芯片也沒問題，但接下來可能買不到了，未來影響還是很大的，我們只有自己突破才行。