美中衝突加劇，如臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀所言：“國安、經(jīng)濟(jì)已凌駕在全球化之上”，不僅美國強(qiáng)勢(shì)奪回半導(dǎo)體制造霸權(quán)，歐盟也積極強(qiáng)化半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，而曾是半導(dǎo)體強(qiáng)國的日本，每年發(fā)布的全球前十大半導(dǎo)體企業(yè)已未見日廠身影。

擁有材料、設(shè)備優(yōu)勢(shì)的日本決心不可小覷，全面強(qiáng)化半導(dǎo)體戰(zhàn)略展現(xiàn)高效率執(zhí)行力，直接找上晶圓代工龍頭臺(tái)積電，同時(shí)還有聯(lián)電、力積電等助攻，相較臺(tái)積電在德國建廠未明、美國新廠進(jìn)度頻卡關(guān)，日本排除萬難重返榮耀的企圖心值得關(guān)注。

近年各國紛將半導(dǎo)體視為重要戰(zhàn)略物資，大國為加速強(qiáng)化半導(dǎo)體制造實(shí)力，尋求擁有強(qiáng)勁制程技術(shù)與過半產(chǎn)能的臺(tái)積電的助攻，正是最快抄捷徑之路。

臺(tái)晶圓代工業(yè)者表示，由大國力邀赴當(dāng)?shù)卦O(shè)廠來看，臺(tái)積電確實(shí)已成為最強(qiáng)戰(zhàn)友，但值得注意的是，不只是美中爭搶半導(dǎo)體霸權(quán)，日本更是強(qiáng)力展開部署，且是全面性點(diǎn)線面長遠(yuǎn)覆蓋。

當(dāng)前仍停留在40奈米世代的日本，重振半導(dǎo)體制造的戰(zhàn)略除有當(dāng)?shù)?家大企業(yè)支持成立、并獲政府注資的Rapidus，正加速興建首座晶圓廠，直攻2奈米制程，同時(shí)由政府出資補(bǔ)貼4,000億日?qǐng)A，力邀臺(tái)積電與Sony等供應(yīng)鏈聯(lián)盟，合作建置12吋廠。

目前新廠12/16奈米和28奈米家族產(chǎn)能已被包下，訂單能見度長達(dá)3~5年，預(yù)計(jì)2023年底設(shè)備裝機(jī)，2024年底如期量產(chǎn)，并評(píng)估再建第2座廠會(huì)以特殊制程為主。

臺(tái)積電在日本深耕多年，2020年1月于橫濱設(shè)立技術(shù)中心，2021年3月成立3DIC研發(fā)中心，與Ibiden、信越化學(xué)等逾20家日廠合作，總投資金額達(dá)370億日?qǐng)A，供應(yīng)鏈也盛傳日本計(jì)劃建置先進(jìn)封裝廠，早與臺(tái)積電進(jìn)行討論。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，雖然獲政府力挺的Rapidus肩負(fù)著復(fù)興重任，Rapidus會(huì)長東哲郎也對(duì)外表示信心，但其實(shí)2奈米晶圓廠絕非那麼容易建置完成，更遑論大量生產(chǎn)，日本政府其實(shí)相當(dāng)清楚，臺(tái)積電才是真正助其重返榮耀的推手。

日本提出優(yōu)厚補(bǔ)助廣發(fā)英雄帖，聯(lián)電已深耕日本多年， 2019年完全收購富士通半導(dǎo)體位于日本三重縣12吋晶圓廠，并成立USJC子公司， 2022年與電裝（Denso）合作，共同建置第一條以12吋晶圓制造IGBT的生產(chǎn)線，開創(chuàng)車用特殊制程的新商業(yè)模式。供應(yīng)鏈也盛傳，聯(lián)電正評(píng)估再興建1座12吋晶圓廠，搶食車用強(qiáng)勁需求大餅。

力積電日前也宣布，原本印度設(shè)廠計(jì)畫已擱置，前進(jìn)日本與SBI控股達(dá)成合作協(xié)議，在日本籌設(shè)12吋晶圓代工廠， SBI將協(xié)助力積電尋求新廠據(jù)點(diǎn)，及與日本政府溝通協(xié)調(diào)及爭取補(bǔ)助款等相關(guān)籌資。

日本政府的強(qiáng)大企圖心，完全不亞于美中韓等國，最新修訂的半導(dǎo)體戰(zhàn)略目標(biāo)至2030年，在日生產(chǎn)的半導(dǎo)體銷售額將增加2倍至15兆日?qǐng)A以上，聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體與生成式 AI 等先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)。

日本之所以傾全力強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，就是相當(dāng)清楚日本有市場、更擁有制造設(shè)備與關(guān)鍵材料強(qiáng)項(xiàng)，但絕對(duì)不能被大國吃掉，必須降低本土大廠移往海外的風(fēng)險(xiǎn)，也就是消除半導(dǎo)體領(lǐng)域空心化的危機(jī)，方能進(jìn)一步美歐等國同場比拚。