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從75nm到5nm,打破美國蝕刻機(jī)封鎖,他立下汗馬功勞!

2023-06-09 來源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 芯片 ASML 臺積電

此前,美國加大對華為的制裁力度已經(jīng)眾所周知了,目的是為了直接切斷華為的全球芯片供應(yīng)鏈,以此來遏制這家中國科技公司的崛起。因為目前華為只涉及了芯片的設(shè)計環(huán)節(jié),并不具備芯片的制造能力。


要知道,芯片從設(shè)計到量產(chǎn)的過程非常繁雜,其中光刻和蝕刻是繞不開的兩大關(guān)鍵技術(shù)。尤其在光刻階段,芯片制造廠商所需要的核心設(shè)備正是如今被ASML壟斷的光刻機(jī)。

而在蝕刻階段,也需要廠商擁有地位等同于光刻機(jī)的重要設(shè)備--蝕刻機(jī)。放眼全球蝕刻機(jī)制造領(lǐng)域,依舊是海外企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,但也不要小瞧我們的國產(chǎn)蝕刻機(jī),畢竟中國有一家蝕刻機(jī)公司,耗時多年成功打破了其他國家的技術(shù)封鎖,制造精度從65nm一步步突破到了5nm。

這家公司正是中微半導(dǎo)體,也是目前中國唯一的蝕刻機(jī)巨頭。中微半導(dǎo)體的創(chuàng)始人是歸國博士尹志堯,在回國前,尹志堯已經(jīng)在硅谷的半導(dǎo)體行業(yè)從事了二十多年。尹志堯回國后,在國內(nèi)大刀闊斧的進(jìn)行蝕刻機(jī)的研究和發(fā)展,在短短幾年時間里,憑借尹志堯團(tuán)隊的實力以及政府對中微半導(dǎo)體的大力支持,我國蝕刻機(jī)發(fā)展便取得了極大的進(jìn)展。


“中國刻蝕機(jī)之父”尹志堯

尹志堯1944年出生于北京一個書香門第的家庭,他的祖父、父親都曾出國留學(xué),并且二人后來都選擇了回國報效。這樣的家庭讓尹志堯自幼具備國際視野,而且他一直有著一個奮斗強(qiáng)國的情結(jié)。



尹志堯的人生是典型的學(xué)霸之路:考入北京四中,考入中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)物理系,進(jìn)入中科院蘭州物理化學(xué)所做研究員,之后又考上北京大學(xué)研究生,再然后去加利福尼亞大學(xué)讀博士。

博士畢業(yè)后,尹志堯先后在美國英特爾、泛林、“應(yīng)用材料”等半導(dǎo)體巨頭企業(yè)工作。工作期間他個人擁有86項美國專利和200多項各國專利。

在應(yīng)用材料公司,尹志堯甚至做到了總公司副總裁的位置。

在美國事業(yè)如日中天,但是尹志堯在六十歲這個年齡,居然出人意料地選擇了回國創(chuàng)業(yè)。

做出這個決定,除了受父親、祖父愛國心的影響以外,還有一個讓人意想不到的原因。

1984年,尹志堯第一次去英特爾上班時,他驚訝地發(fā)現(xiàn):公司從研究課題組長、經(jīng)理,再到工程師,絕大部分都是華人。

“沒有想到,華人對美國集成電路的發(fā)展,貢獻(xiàn)如此之大!”尹志堯說。

這件事讓尹志堯堅信,中國將來在集成電路領(lǐng)域,一定能達(dá)到世界最先進(jìn)水平。20年后,他要親自證明自己的判斷,他選擇回國創(chuàng)業(yè)。

為了不違反企業(yè)保密條例,尹志堯沒有帶任何文件、圖紙走,只帶領(lǐng)著 15 人小團(tuán)隊,和他們的記憶,還有美國的企業(yè)管理理念。

2004年,他在上海創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體公司,并堅持全員持股。

“為什么英特爾、泛林、應(yīng)用材料這三家能成為世界頂尖的半導(dǎo)體公司?很多人不知道,一個關(guān)鍵原因是全員持股?!币緢蛘f。

“如果員工只有工資和獎金,那么競爭企業(yè)可以輕松用高薪挖走你的員工,讓你曾經(jīng)的員工成為你的競爭對手。為長遠(yuǎn)考慮,我們公司全員持股,每一個級別股票差20%,工資差 10%,我稱之為中微的特色社會主義集體所有制?!?/span>

就這樣,在尹志堯的帶領(lǐng)下,大家靠著記憶和不斷學(xué)習(xí)外國最新的研究成果,僅用三年的時間,便研發(fā)出了第一代刻蝕機(jī)。

公司成立17年,先后投入20多億人民幣,中微相繼推出了從 75納米到5納米工藝的刻蝕機(jī),技術(shù)始終與美國巨頭公司處于同一水平,并且產(chǎn)品已被臺積電采用,同時產(chǎn)品還銷往韓國、新加坡、日本等國家。

隨著中微的成功,美國政府很快取消了刻蝕機(jī)對華出口限制,因為這個限制已經(jīng)失去意義。



成功打入臺積電供應(yīng)鏈

現(xiàn)在的中微公司,代表著國內(nèi)刻蝕機(jī)技術(shù)的“天花板”,還在全球分工的芯片產(chǎn)業(yè)鏈中站穩(wěn)了腳跟。

業(yè)界一般把28納米“分辨率”視為芯片先進(jìn)程度的分界線,28納米及以上被稱為“成熟制程”,28納米以下被稱為“先進(jìn)制程”。

高端的等離子體刻蝕機(jī)可以用于先進(jìn)制程的芯片生產(chǎn)。2015年之前,美國一直向中國廠商禁運(yùn)這類設(shè)備,直到中微突破這項技術(shù),禁令隨之廢除。

目前,全球僅有臺積電和三星兩家公司能量產(chǎn)5納米芯片。臺積電就用了中微的等離子體刻蝕機(jī)生產(chǎn)先進(jìn)制程的芯片。

國內(nèi)另一半導(dǎo)體設(shè)備巨頭北方華創(chuàng)的刻蝕機(jī),突破了制造14納米制程芯片的技術(shù)壁壘,相關(guān)設(shè)備于2016年開始出貨。

兩家公司相對比,中微更專注在芯片刻蝕設(shè)備研發(fā)上,并在2012年切進(jìn)LED賽道,研制出首臺用于LED芯片制造的MOCVD設(shè)備。今年6月份,中微公司還發(fā)布了用于高性能Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備,目前Mini-LED已然成為了市場的熱點(diǎn)。

北方華創(chuàng)的優(yōu)勢在于產(chǎn)品線更齊全,擁有半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備、精密元器件四大事業(yè)群。

據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)VLSI統(tǒng)計的客戶滿意度,2019年中微在全球晶圓制造設(shè)備市場排名第三,也是前五名中唯一的中國企業(yè)。


國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇

中微半導(dǎo)體的成功證明了,中國在高技術(shù)領(lǐng)域不僅具有強(qiáng)大的市場潛力,也有能力突破技術(shù)封鎖,成為全球領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新者之一。這種技術(shù)上的突破不僅意味著中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從追趕到領(lǐng)先的跨越,也為中國在其他高技術(shù)領(lǐng)域贏得了更多的話語權(quán)。

然而,要在全球半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位,中微半導(dǎo)體仍然需要不斷創(chuàng)新和努力。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展仍然面臨許多挑戰(zhàn),如核心技術(shù)受限、高精度設(shè)備制造困難、人才短缺等。因此,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必須繼續(xù)加大研發(fā)投入,提升技術(shù)水平,加強(qiáng)與國際先進(jìn)企業(yè)的合作,積極推動本土企業(yè)的創(chuàng)新能力。



值得一提的是,在未來的發(fā)展中,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更大的機(jī)遇。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成為重要的基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè),而中國市場規(guī)模龐大、政策支持力度大、勞動力成本低等因素將會成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢。同時,中國半導(dǎo)體企業(yè)需要發(fā)揮自身的優(yōu)勢,積極布局全球市場,加強(qiáng)國際技術(shù)交流與合作,推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更快的發(fā)展。

作為中國半導(dǎo)體企業(yè)的代表,中微半導(dǎo)體的成功不僅是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上的重要節(jié)點(diǎn),更是中國半導(dǎo)體企業(yè)積極走出去、參與全球競爭的標(biāo)志。中微半導(dǎo)體在與國際先進(jìn)企業(yè)的合作中,學(xué)習(xí)了他們的先進(jìn)技術(shù)和管理經(jīng)驗,不斷提高自身的創(chuàng)新能力和競爭力。這些經(jīng)驗和能力將有助于中微半導(dǎo)體和其他中國半導(dǎo)體企業(yè)在全球市場中獲得更大的發(fā)展機(jī)遇和優(yōu)勢。

不過,中國半導(dǎo)體企業(yè)在布局全球市場和加強(qiáng)國際技術(shù)交流與合作方面仍面臨諸多困難和挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是缺乏核心技術(shù),中國半導(dǎo)體企業(yè)需要加大研發(fā)投入,尤其是在芯片制造工藝和器件設(shè)計等核心技術(shù)方面加強(qiáng)攻關(guān)。此外,中國半導(dǎo)體企業(yè)在國際市場上面臨的質(zhì)量認(rèn)證、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)等問題也需要加強(qiáng)研究和應(yīng)對。

在此背景下,中國政府需要繼續(xù)加大對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度,提供更多的政策扶持和資金支持,鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入,推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。同時,政府也需要加強(qiáng)與國際機(jī)構(gòu)的合作,推動國際標(biāo)準(zhǔn)的制定和質(zhì)量認(rèn)證等工作。

總之,中微半導(dǎo)體的成功雖然為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了強(qiáng)心劑。但是,中國半導(dǎo)體企業(yè)仍需要發(fā)揮自身的優(yōu)勢,不斷加大研發(fā)投入,提高自身的技術(shù)水平和競爭力,積極布局全球市場,加強(qiáng)國際技術(shù)交流與合作,推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更快的發(fā)展。在此過程中,中國政府的支持和引導(dǎo)將發(fā)揮重要的作用,幫助中國半導(dǎo)體企業(yè)在全球市場中贏得更大的發(fā)展機(jī)遇和優(yōu)勢。