2022年成為半導(dǎo)體景氣度分水嶺，A股行業(yè)上市公司業(yè)績的高歌猛進狀態(tài)戛然而止。據(jù)證券時報記者最新統(tǒng)計，2022年半導(dǎo)體行業(yè)上市公司整體營收規(guī)模或出現(xiàn)2009年以來首次縮減，全行業(yè)去庫存緩慢推進中。

不過，隨著晶圓廠擴產(chǎn)以及國產(chǎn)自主可控進程加速，半導(dǎo)體設(shè)備公司業(yè)績維持高速增長，分立器件以及半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的毛利率穩(wěn)步提升。


半導(dǎo)體行業(yè)營收增速下降

截至記者發(fā)稿，申萬半導(dǎo)體上市公司披露2022年年報，營業(yè)收入規(guī)模合計實現(xiàn)約3827億元，同比下降約4%，成為2009年以來首次下降；歸屬母公司股東凈利潤（簡稱凈利潤）合計518億元，同比下降約兩成。

今年一季度，半導(dǎo)體行業(yè)盈利尚未出現(xiàn)根本改觀。已經(jīng)披露一季報的上市公司中，不足三成公司實現(xiàn)凈利潤同比增長。個股中，芯原股份凈利潤去年實現(xiàn)4.55倍增長，但一季度同比下降近23倍，成為業(yè)績變動幅度最大個股；相比，盛美上海凈利潤以同比29倍增速問鼎，其次是滬硅產(chǎn)業(yè)和拓荊科技，分別增長近8倍和超5倍。

分板塊看，去年半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體制造凈利潤規(guī)模同比增長。其中，半導(dǎo)體設(shè)備彰顯了極強抗周期增長特性，整體凈利潤同比增長接近七成。板塊個股中，拓荊科技凈利潤實現(xiàn)超四倍增長至3.69億元，芯源微、盛美上海、華海清科、長川科技等實現(xiàn)了翻倍增長。

作為A股半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，北方華創(chuàng)去年凈利潤增長1.18倍至23.53億元，并且預(yù)計今年一季度實現(xiàn)盈利5.6億元~6.2億元，同比增長171.24%~200.3%，增速將進一步提升。


全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額再創(chuàng)新高

近日，SEMI發(fā)布的《全球半導(dǎo)體設(shè)備市場報告》指出，2022年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨金額相較于2021年的1026億美元增長5%，創(chuàng)下1076億美元的歷史新高。

雖然2022年中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備投資額同比放緩5%，為283億美元，但依舊連續(xù)3年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場。中國臺灣地區(qū)連續(xù)第四年穩(wěn)定增長，排名上升至第二，2022年增長8%，達到268億美元。韓國則因為存儲芯片市場不景氣，三星、SK海力士等廠商的生產(chǎn)放緩，導(dǎo)致設(shè)備銷售額大幅下降14%，為215億美元，排名第三。歐洲的半導(dǎo)體設(shè)備投資卻激增93%，北美增長了38%。世界其他地區(qū)和日本的銷售額分別同比增長34%和7%。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2022年半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額創(chuàng)下歷史新高，源于產(chǎn)業(yè)努力增加所需的晶圓廠產(chǎn)能，以支持包括高性能計算和汽車在內(nèi)的關(guān)鍵終端市場的長期增長和創(chuàng)新需求?！?/span>

SEMI在《300mm晶圓廠展望報告》中預(yù)測，在2021和2022年強勁增長后，由于內(nèi)存和邏輯元件需求疲軟，預(yù)計今年300mm晶圓廠產(chǎn)能擴張將放緩。2023年全球晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計將從2022年創(chuàng)紀錄的980億美元，同比下降22%，至760億美元，到2024年會有所復(fù)蘇，同比將增長21%，至920億美元。


3大半導(dǎo)體設(shè)備機會剖析

光刻設(shè)備

也就是光刻機，是制造芯片的核心裝備之一，用于將掩模版上的電路圖形通過曝光的方式轉(zhuǎn)移到晶圓上，類似于相片的沖印。

由于技術(shù)含量極高，光刻機也就成為了成本極高，單臺價值含量超高的半導(dǎo)體設(shè)備，而且制程越先進，價格越高，關(guān)鍵是全球能生產(chǎn)7nm以下先進制程光刻機，只有荷蘭的阿斯麥公司，獨此一家，別無分店，想買人家還不一定賣。

結(jié)果就是中國光刻機層面的國產(chǎn)替代需求非常大，但限于技術(shù)差距，國產(chǎn)替代率又比較低，現(xiàn)在即使想買，也因為政治原因買不了。

好在國內(nèi)企業(yè)也在努力的做突破，中科院光電所研發(fā)出 365nm 波長的近紫外光 DUV 光刻機設(shè)備。上海微電子已有生產(chǎn)前道90nm制程的光刻機，后道先進封裝光刻機也已經(jīng)實現(xiàn)出貨。

當(dāng)然了，就不說要相比阿斯麥了，相比 AMAT，泛林半導(dǎo)體，東京電子等巨頭都還要遙遠的距離，路漫漫兮。

只是換個角度思考：自主化程度越低，意味著后續(xù)自主化替代空間越大，在未來很多年，光刻機設(shè)備都有足夠大的國產(chǎn)替代空間。


刻蝕設(shè)備

刻蝕跟光刻環(huán)節(jié)類似，主要作用也是轉(zhuǎn)移掩模版上的圖形到晶圓上，很多人搞不清楚差別。

簡單說，光刻機就是把電路圖描繪至覆蓋有光刻膠的硅片上，而蝕刻機的作用就是按照光刻機描繪的電路圖把硅片上其它不需要的光刻膠腐蝕去除，完成電路圖的雕刻轉(zhuǎn)移至硅片表面。

可以簡單粗暴理解為光刻機是設(shè)計者，蝕刻機是執(zhí)行者，兩者相互配合，最終將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上。

相比光刻機，蝕刻機的技術(shù)難度低一些，但同樣具有非常高的技術(shù)含量，而且在整個半導(dǎo)體體系中，它的價值含量不比光刻機低，尤其是隨著 3D NAND 的大發(fā)展，蝕刻機的設(shè)備的價值含量越來越大。

相比光刻機被死死卡住脖子，蝕刻機國內(nèi)已經(jīng)有非常大的突破了，中微公司，北方華創(chuàng)，嘉芯 半導(dǎo)體等企業(yè)，都在行業(yè)里占有一席之地，整體國產(chǎn)化率達到了 20%，未來國產(chǎn)化率有望達到70%以上！未來的成長空間依然足夠?qū)拸V。


薄膜設(shè)備

薄膜沉積，簡單來說，就是在半導(dǎo)體的主要襯底材料“硅”上鍍一層膜，當(dāng)然，實際上不是鍍上去了，反而是從里面生長出來的，具體比較復(fù)雜就不展開了，總之這也是非常關(guān)鍵的一道工序就對了。

目前薄膜沉積工藝主要有分三種技術(shù)路線：原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)、化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等，其中ALD又屬于CVD的一種，是目前最先進的薄膜沉積技術(shù)。

薄膜沉積的價值含量僅次于刻蝕設(shè)備，比光刻設(shè)備還高，國內(nèi)做這塊的公司主要是北方華創(chuàng)和拓荊科技，其中拓荊科技在 CVD 領(lǐng)域，北方華創(chuàng)在 PVD 領(lǐng)域都已經(jīng)有了一定的市場份額。此外，中微公司，盛美上海，萬業(yè)企業(yè)等公司的產(chǎn)品也正在薄膜沉積領(lǐng)域布局，但薄膜設(shè)備整體的國產(chǎn)化率依然較低，2021 年在 10%左右。

長期來看，薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的成長空間也足夠廣闊。

除了這幾個重要的環(huán)節(jié)，其實國產(chǎn)的設(shè)備廠商，目前已經(jīng)幾乎覆蓋所有的前道環(huán)節(jié)了，這自然要感謝川寶了，是他生生加速了中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的，也給了市場一個十年級別的投資方向。

當(dāng)然了，要說明的是，半導(dǎo)體設(shè)備，乃至整個半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代化空間毫無疑問是巨大的，但同時，受限于半導(dǎo)體設(shè)備，以及再上游的半導(dǎo)體材料及零部件的國產(chǎn)化問題和技術(shù)含量，國產(chǎn)替代化過程注定是一個比較漫長的過程，很難一蹴而就。