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功率半導(dǎo)體步入放量之年,汽車、充電樁和光伏成為產(chǎn)業(yè)增量“三駕馬車”

2023-04-27 來源:全球半導(dǎo)體觀察
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關(guān)鍵詞: 電子元器件 半導(dǎo)體 光伏

4月24日,東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對人員的增加。


此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報道,東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外延片+器件的垂直整合模式。

除了東芝,國內(nèi)外代表企業(yè)如英飛凌、安世半導(dǎo)體等也在通過適時的投資和研發(fā)來擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)并提高競爭力,功率半導(dǎo)體市場在今年步入放量之年。




功率半導(dǎo)體前景廣闊,汽車、充電樁和光伏多輪驅(qū)動

功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊,幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以 MOSFET、IGBT 以 及 SiC MOSFET 為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同,廣泛應(yīng)用于汽車、充 電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲能、航空航天和軍 工等眾多領(lǐng)域。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)預(yù)測,至 2025 年,全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的市場規(guī)模將 分別達(dá)到 76 億美元和 113 億美元。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),2023 年中國大陸地區(qū) IGBT 市場規(guī)模預(yù)計達(dá)到 290.8 億元,同比增長 11.6%。據(jù)中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀 深度分析與未來投資預(yù)測報告數(shù)據(jù),2023 年中國大陸地區(qū) MOSFET 市場規(guī)模將達(dá) 到 396.2 億元(56.6 億美元,人民幣兌美元匯率按照 7 計算),同比增長 4.8%。

以 MOSFET 為例,據(jù) Yole 預(yù)測,到 2026 年,全球 MOSFET(包括分立器件 和模塊)市場總規(guī)模預(yù)計將達(dá)到 94.8 億美元,復(fù)合增長率達(dá) 3.8%(2020 年至 2026 年)。 MOSFET 汽車應(yīng)用(電動汽車和汽車充電樁)占比居首位,高達(dá) 33%,其中電 動汽車和充電樁分別占比 25%和 8%。從耐壓范圍看,到 2026 年,低壓 MOSFET (0-40V)占總需求的 39%,中壓(41V-400V)占 26%,高壓(大于等于 600V)廣 泛應(yīng)用在 220V 系統(tǒng)中,占總需求的 35%。同時,SiC MOSFET 和 GaN MOSFET 市場滲透率在逐步提高。

2020 年以來,電動汽車、汽車充電樁和光伏逆變器可謂拉動功率半導(dǎo)體增長的三駕馬車。

電動汽車: 電動汽車進(jìn)一步滲透終端消費市場,帶動功率器件和模塊需求快速 增長。特別是 MOSFET 和 IGBT(包括單管及模組)的增長較為顯著。據(jù)貝殼投 研數(shù)據(jù),2021 年中國車規(guī)級 IGBT 市場規(guī)模為 47.8 億元,預(yù)計到 2025 年,其 將達(dá)到 151.6 億元。據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù),2021 年和 2025 年中國車規(guī) MOSFET 的 市場規(guī)模分別為 73.5 億元(10.5 億美元,匯率按 7 計算)和 122.5 億元(預(yù)測 數(shù)據(jù),17.5 億美元,匯率按 7 計算)。

充電樁: 受益于新能源汽車快速增長,與之配套的充電樁市場亦呈現(xiàn)快速發(fā) 展態(tài)勢。據(jù)億渡數(shù)據(jù)預(yù)測,至 2026 年,中國充電設(shè)施市場規(guī)模將達(dá) 2870.2 億元,2022 年到 2026 年復(fù)合增長率高達(dá) 37.83%。從直流充電樁相關(guān)零部 件分解可以看出,充電機(jī)是充電樁的最核心部件,成本占充電樁的 50%以上, 而功率半導(dǎo)體是充電機(jī)的最核心組成部分,成本占充電機(jī)的一半以上。

光伏:據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù),至 2025 年,中國新增光伏裝機(jī)保守預(yù)測為 90GW,同比增長 10%。據(jù)未來智庫數(shù)據(jù)預(yù)測,2025 年中國光伏逆變器市場 規(guī)模達(dá) 196 億元。 逆變器是光伏系統(tǒng)的心臟,中高壓 MOSFET、IGBT 及碳化硅等功率器件是 光伏逆變器的核心,其決定著光伏逆變器的性能高低,進(jìn)而直接影響光伏系 統(tǒng)的穩(wěn)定性、發(fā)電效率以及使用壽命。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),光伏逆變器 主要由機(jī)械件、電感和半導(dǎo)體器件構(gòu)成,分別占比 27.6%、14.2%、11.8%。

綜上,在電動汽車、充電樁以及光伏逆變器等多輪驅(qū)動下,功率器件有望穩(wěn)健增 長,為千億賽道奠定堅實路基。


功率器件材料端演進(jìn) SiC、GaN成未來功率新趨勢

長期來看,相比傳統(tǒng)Si基,寬禁帶材料(SiC、GaN)能在耐壓和開關(guān)頻率上獲得更好的器件性能,未來將 逐步替代硅基器件成為高壓高頻應(yīng)用領(lǐng)域的市場主流。以電壓場景來分,0-300V 區(qū)間內(nèi)Si材料占據(jù)成本方面 優(yōu)勢,600V 以上的高壓區(qū)間內(nèi)SiC占據(jù)主要優(yōu)勢,300V-600V 區(qū)間則是GaN材料的優(yōu)勢領(lǐng)域。

SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢主要來自:Si 10倍的耐壓,1/10的能量損耗、更容易實現(xiàn)小型化、更耐高溫工 作。目前SiC功率器件的種類包括SiC 二極管、SiC MOSFET以及SiC模塊,其中SiC MOSFET模塊甚至能替代 硅基IGBT模塊的應(yīng)用區(qū)間。但由于襯底和外延的制造難度,SiC器件成本更高,在中高端場景優(yōu)勢更明顯, 特別是需要高壓、高能量密度應(yīng)用場景,如充電樁、車載充電機(jī)及汽車電驅(qū)等。

GaN 器件相對于Si器件的優(yōu)勢來自:Si 10倍的開關(guān)頻率,更適合高頻率應(yīng)用場景,但是在高壓高功率場景 不如 SiC。目前GaN功率器件主要以GaN晶體管為主,隨著成本的下降,GaN器件有望在中低功率領(lǐng)域替代二 極管、MOSFET 等硅基功率器件。




供不應(yīng)求,國產(chǎn)IGBT市場黃金期到來

2022年中國IGBT產(chǎn)業(yè)進(jìn)入爆發(fā)期,在經(jīng)歷了2020年始的兩年汽車缺芯后,IGBT愈發(fā)緊俏,在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。

此后隨著新能源汽車的發(fā)展,IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點。中國汽車工業(yè)協(xié)會最新統(tǒng)計顯示,2022年中國新能源汽車持續(xù)爆發(fā)式增長,產(chǎn)銷分別完成705.8萬輛和688.7萬輛,同比分別增長96.9%和93.4%,連續(xù)8年保持全球第一。

IGBT作為新能源汽車核心零部件,需求量有增無減。今年IGBT芯片廠商英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等交期不斷拉長。業(yè)界2月預(yù)計,ST(意法半導(dǎo)體)、Microsemi(美高森美)、Infineon(英飛凌)、IXYS(艾賽斯)、Fairchild(仙童半導(dǎo)體)這5大品牌的IGBT Q1與2022年Q4的交期基本維持一致,交期依舊緊張,最長為54周。

具體來看,在2023年第一季度中,ST的IGBT 貨期為47-52周,Microsemi的IGBT 貨期為42-52周,IXYS的IGBT 貨期為50-54周,Infineon的IGBT 貨期為39-50周,F(xiàn)airchild的IGBT 貨期為39-52周。不過,這5大品牌的貨期趨勢和價格趨勢都呈穩(wěn)定狀態(tài),沒有上升的趨勢。

海外歐美電動車市場正處于高速增長期,在英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等大廠優(yōu)先保障本土供應(yīng)情況下,國產(chǎn)IGBT廠商在車載IGBT領(lǐng)域的替代進(jìn)程加速。

我國許多代表企業(yè)不斷加強(qiáng)IGBT技術(shù)研發(fā),如2022年上半年,斯達(dá)半導(dǎo)公司基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)研發(fā)出的新一代車規(guī)級650V/750V IGBT芯片通過客戶驗證,在2022年下半年開始批量供貨;士蘭微則在2022年順應(yīng)新能源發(fā)展潮流,通過定增融資切入車規(guī)級IGBT模塊以及SiC MOSFET領(lǐng)域,其推出的車規(guī)級IGBT等產(chǎn)品已經(jīng)通過驗證,并已批量交貨上車。

公開資料顯示,自2021年底起,時代電氣、士蘭微和華虹半導(dǎo)體等廠商的IGBT產(chǎn)能相繼開出,企業(yè)營收也在攀升。同時,結(jié)合我國已經(jīng)公布2022年財報的各大企業(yè)數(shù)據(jù)看,營收超過百億的功率器件企業(yè)有時代電氣(180.34億元)和華潤微(100.60億元)。以凈利潤來看,華潤微、時代電氣超過20億元。其中值得關(guān)注的是,在功率器件行業(yè),多家企業(yè)雖然營收較為靠后,但是凈利卻排名較高,比如揚杰科技、斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能、芯導(dǎo)科技等,這些功率器件企業(yè)表現(xiàn)更強(qiáng)的盈利能力。