在過去一年多時(shí)間里，存儲行業(yè)經(jīng)歷了劇烈的價(jià)格調(diào)整，再加上市場需求逐步回升、庫存壓力得到釋放，今年下半年有可能將面臨轉(zhuǎn)機(jī)——預(yù)計(jì)今年Q2下跌行情將觸底，緊接著在Q3將迎來新的增長。

截至今年Q1，存儲市場有了更多的動態(tài)，伴隨存儲技術(shù)、互連標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，存儲應(yīng)用市場的發(fā)展出現(xiàn)新的趨勢。本文通過整理分析最近的存儲行情，總結(jié)了最新的行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。

現(xiàn)狀一：本輪下跌周期或于今年Q2觸底

2022年，全球存儲器市場規(guī)模下降15%，達(dá)到1,392億美元。其中，NAND Flash約為600億美金，DRAM約為在790億美金。2022年全球NAND總生產(chǎn)量為6,100億GB當(dāng)量，同比上漲6%，DRAM總生產(chǎn)量約1,900億GB當(dāng)量，同比僅增長2%。

深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒認(rèn)為，以上幾組數(shù)字代表著存儲器件總生產(chǎn)量增幅正在放緩。他指出，本輪存儲市場的發(fā)展主要可細(xì)分為幾個階段：

• 2020年2月至9月，新冠疫情初期，隨著疫情開始發(fā)酵，導(dǎo)致市場停滯；

• 2020年9月至2021年Q3初期，疫情進(jìn)入新常態(tài)，線上經(jīng)濟(jì)蓬勃發(fā)展，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求火熱，業(yè)內(nèi)出現(xiàn)大規(guī)模采購、囤貨需求；

• 2021年Q3至2022年Q1，因結(jié)構(gòu)供需失調(diào)等原因，存儲器價(jià)格開始下滑，2022年Q1，鎧俠工廠出現(xiàn)短暫的價(jià)格波動；

• 2022年Q1到現(xiàn)在，因后續(xù)再疊加疫情封控，全球經(jīng)濟(jì)不景氣等因素，存儲價(jià)格進(jìn)入全面下跌，原廠的存儲器價(jià)格幾乎跌到了成本價(jià)。

2022年Q4，很多廠商開始進(jìn)入虧損狀態(tài)，為了減緩虧損的態(tài)勢，它們開始主動或者被動減產(chǎn)。對此，市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)計(jì)，今年第二季DRAM均價(jià)跌幅將收斂至10%-15%(第一季跌幅近20%）。

今年Q1，全球三大存儲巨頭的表現(xiàn)如何？

美光2023財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)(截至2023年3月2日)顯示，在這一財(cái)季美光虧損多達(dá)23.12億美元。因此，美光進(jìn)一步減少了DRAM和NAND產(chǎn)能，截至3月底已減產(chǎn)約25%。

三星最新季度財(cái)報(bào)(截至今年3月)顯示，公司營業(yè)利潤同比驟降95%，至6,000億韓元，銷售額也減少到63萬億韓元。因DRAM市場持續(xù)下滑，三星啟動了DRAM減產(chǎn)，主要涉及到DDR4為代表的通用產(chǎn)品。

分析師預(yù)計(jì)，SK海力士2023年Q1營收或降至3.96萬億韓元，環(huán)比下滑49%，運(yùn)營虧損4.02萬億韓元，折合約30.56億美元，凈虧損4.21萬億韓元，折合約32億美元。雖有機(jī)構(gòu)透露稱，SK海力士已經(jīng)開始減產(chǎn)，但今年3月底，SK海力士CEO樸正浩強(qiáng)調(diào)，2023年公司將削減一半資本支出，但不會削減產(chǎn)量。

再關(guān)注中國存儲市場，今年Q1中國市場全面解封之后，存儲行業(yè)并未迎來爆發(fā)式增長。此時(shí)，存儲行業(yè)面臨著中國本土需求恢復(fù)不如預(yù)期，海外需求嚴(yán)重受通脹制約，產(chǎn)業(yè)鏈上下游充斥著高庫存的情況。不過，邰煒認(rèn)為，在過去一年多時(shí)間里，存儲行業(yè)經(jīng)歷了劇烈的價(jià)格調(diào)整，再加上市場需求逐步回升、庫存壓力得到釋放，今年下半年有可能將面臨轉(zhuǎn)機(jī)——預(yù)計(jì)今年Q2下跌行情將觸底，緊接著在Q3將迎來新的增長。

現(xiàn)狀二：車用存儲和服務(wù)器存儲備受關(guān)注

目前，存儲芯片的三大市場為手機(jī)市場、PC市場、服務(wù)器市場，前兩大市場在過去一年里遭遇了需求疲軟，服務(wù)器市場對存儲的需求仍呈正增長。據(jù)IDC預(yù)測，2025年的全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)175ZB。這意味著，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器存儲將有很大的發(fā)展空間。該機(jī)構(gòu)還預(yù)測顯示，到2024年，中國分布式存儲市場規(guī)模將達(dá)24.6億美元，成為企業(yè)級存儲市場增長的主要驅(qū)動力之一。隨著“東數(shù)西算”工程的推進(jìn)，海量存儲系統(tǒng)規(guī)?；渴鸬男枨笾粫?，存儲PB級數(shù)據(jù)將會常態(tài)化，其技術(shù)難度也將會越來越高。

ChatGPT在2022年Q4爆火，推動了AI訓(xùn)練模型的應(yīng)用落地。AI訓(xùn)練模型需要更大算力的支持，對AI服務(wù)器提出更多的需求。美光科技在FY23Q2電話會議中表示，預(yù)計(jì)到2023年年底，數(shù)據(jù)中心庫存將達(dá)到相對健康的水平，技術(shù)層面關(guān)注AI服務(wù)器、CXL、HBM、DDR5的機(jī)會，AI服務(wù)器需要的DRAM、NAND內(nèi)容量分別是常規(guī)服務(wù)器的8倍、3倍。

除了數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用之外，新能源汽車的應(yīng)用也值得關(guān)注。雖然與消費(fèi)類存儲相比，車規(guī)級存儲的市場規(guī)模還相對較小，但在汽車智能化、網(wǎng)聯(lián)化的時(shí)代大背景下，這一存儲類型將有很大的市場空間。佐思汽研數(shù)據(jù)顯示，2021年全球汽車存儲市場規(guī)模約為45億美元，僅為智能手機(jī)存儲市場的十分之一；到2027年，全球汽車存儲市場規(guī)模將超過125億美元，2021-2027年期間的復(fù)合增長率達(dá)到18.6%。

總而言之，數(shù)據(jù)中心和汽車為存儲的發(fā)展指了一條明路，業(yè)內(nèi)許多玩家均爭先在這兩個領(lǐng)域布局。此前，一些主要聚焦消費(fèi)級存儲市場的廠商也向企業(yè)級存儲或車規(guī)級存儲進(jìn)軍，比如西部數(shù)據(jù)、希捷科技、江波龍電子等，這類廠商在消費(fèi)級存儲賽道已經(jīng)打好基礎(chǔ)，近幾年也紛紛布局企業(yè)級存儲、車規(guī)級存儲賽道，并在新領(lǐng)域推出了量產(chǎn)的新品和方案。

現(xiàn)狀三：國際原廠加大對中國市場的投資

中國既是全球最大的新能源汽車市場，又是全球重要的數(shù)據(jù)中心需求市場之一，這支撐中國的車用/服務(wù)器存儲市場也有很好的發(fā)展機(jī)遇。所以，全球汽車電子供應(yīng)商、數(shù)據(jù)中心服務(wù)商，以及存儲器件供應(yīng)商都越來越重視中國市場。

近年來，一些存儲大廠在進(jìn)一步聚焦中國市場，西部數(shù)據(jù)在上海設(shè)立了半導(dǎo)體工廠和解決方案賦能中心，以更好地支持中國本土客戶；鎧俠針對中國市場的具體要求，設(shè)計(jì)了相應(yīng)產(chǎn)品開發(fā)機(jī)制和體系。

另外，隨著大家日益重視數(shù)據(jù)安全問題，中國市場也在積極發(fā)展本土存儲供應(yīng)鏈，圍繞長江存儲、合肥長鑫等廠商，正在形成國產(chǎn)化存儲產(chǎn)業(yè)鏈條。這意味著，跨國存儲企業(yè)不僅要面對本土存儲廠商的競爭，還面臨著其他國際品牌廠商的競爭。同時(shí)，受國際關(guān)系、地緣政治因素影響，中國客戶可能會擔(dān)憂“供應(yīng)鏈全球化”可能會受各國政策影響，導(dǎo)致最終交貨不及時(shí)，甚至出現(xiàn)斷供。

2023年3月31日，中國網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室發(fā)布通知稱：為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國家安全，依據(jù)《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對美光公司(Micron)在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。

現(xiàn)在，中國對美光的審查正在進(jìn)行中，暫不知曉后續(xù)將有怎樣的走向。不過，這給業(yè)界拉響一個警鐘，任何供應(yīng)鏈都不會100%安全。當(dāng)然，以韓日美系為主的存儲原廠在中國市場仍占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。主要原因在于，中國存儲企業(yè)的自身造血能力有限，需依靠國家層面的支持。因此，從這一方面來分析，國際存儲廠商在中國仍有較大的發(fā)展空間。

現(xiàn)狀四：3D NAND突破200層，1βDRAM已出貨

在存儲技術(shù)方面，NAND和DRAM都有了新升級。

3D NAND技術(shù)平均每一年升級一個版本，但因去年全球存儲產(chǎn)業(yè)遇冷，頭部廠商放慢了技術(shù)更新迭代的速度，部分企業(yè)更新速度有所減慢。截至2023年4月中旬，存儲廠商的3D NAND陸續(xù)升級到了200層。與上一代的176層相比，200層的存儲密度約提升40%。

在NAND架構(gòu)方面，各架構(gòu)的代表廠商均有新升級。V-NAND代表廠商是三星，2022年11月，三星量產(chǎn)了200層以上的第八代1 TB的3D NAND(V-NAND)；CuA代表廠商有美光、英特爾，現(xiàn)在美光的232層NAND已出貨；BiCS代表廠商有鎧俠、西部數(shù)據(jù)等，2023年4月，鎧俠和西部數(shù)據(jù)聯(lián)合研發(fā)的218層3D NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)入送樣階段；4D PUC代表廠商SK海力士，SK海力士238層4D NAND閃存預(yù)計(jì)今年上半年開始量產(chǎn)；Xtacking代表廠商長江存儲，該公司也在進(jìn)一步推動量產(chǎn)。

在DRAM方面，行業(yè)已經(jīng)擁有3家1X節(jié)點(diǎn)的制造商，其存儲容量超過4Gb，他們?nèi)栽谥圃炀哂邢嗤渲玫拇鎯ell，包括一個晶體管和一個電容器。三星、SK海力士、美光在2016-2017年進(jìn)入1Xnm(16nm-19nm)階段，2018-2019年進(jìn)入1Ynm(14nm-16nm)，2020年處于1Znm(12nm-14nm)時(shí)代。

10nm已進(jìn)入第四階段，三星已于2020年上半年完成首批1anm制程DRAM的出貨，2021年美光、SK海力士也開始量產(chǎn)第四代10nm級DRAM產(chǎn)品。2022年年底，美光新一代1βDRAM已經(jīng)出貨，SK海力士1β工藝DRAM于2023年Q1進(jìn)入合作伙伴驗(yàn)證階段。據(jù)DRAM的發(fā)展路徑，后續(xù)的行業(yè)廠商將朝著1α、1β、1γ等技術(shù)新階段發(fā)展。

去年，很多DRAM廠商發(fā)布了新品，但是后面制程不斷發(fā)展可能會對半導(dǎo)體制程推進(jìn)形成阻礙。對此，業(yè)界正通過采用EUV設(shè)備生產(chǎn)、3D DRAM技術(shù)、或先進(jìn)封裝等方式，來試圖突破DRAM的技術(shù)阻礙。

現(xiàn)狀五：存儲行業(yè)的互連標(biāo)準(zhǔn)正趨于統(tǒng)一

除了NAND和DRAM的技術(shù)發(fā)展以外，存儲行業(yè)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)也有趨于統(tǒng)一的趨勢。2021年11月，CXL合并Gen-Z，將其所有規(guī)范和資產(chǎn)轉(zhuǎn)移給CXL，并且雙方聯(lián)盟成員日后將專注于CXL這唯一標(biāo)準(zhǔn)。合并后的CXL聯(lián)盟更加壯大，不僅包括內(nèi)存廠商、IP廠商、加速器廠商等，還包括CPU廠商。

在使用案例方面，第一波CXL用例將是服務(wù)器本身通過CXL的端口進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)展。未來，分解的內(nèi)存池可以通過CXL交換機(jī)與服務(wù)器主機(jī)連接，從而實(shí)現(xiàn)更可組合的基礎(chǔ)架構(gòu)，提高系統(tǒng)利用率。隨著時(shí)間的推移，CXL將能在閃存中得到應(yīng)用。

如果說CXL打造的是CPU和外部的連接架構(gòu)，UCIe則可打造芯片內(nèi)部的架構(gòu)?，F(xiàn)在行業(yè)內(nèi)已經(jīng)有一些廠商在推CXL+UCIe的概念。根據(jù)設(shè)想，通過Chiplet(芯粒)之間的互連接口標(biāo)準(zhǔn)，打造一個開放性的Chiplet生態(tài)系統(tǒng)，CXL+UCIe可組合成計(jì)算+互聯(lián)的芯片，同時(shí)CXL可以更換，更換IP非常便捷，從而可快速更換應(yīng)用場景。相信在未來的產(chǎn)品規(guī)劃上也會考慮行業(yè)的各種趨勢，以持續(xù)的技術(shù)和存儲產(chǎn)品創(chuàng)新賦能行業(yè)生態(tài)的可持續(xù)發(fā)展，迎接數(shù)字時(shí)代的到來。