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最新全球IGBT供應(yīng)端產(chǎn)能與需求進(jìn)展情況分析

2023-02-23 來源:華強微電子
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關(guān)鍵詞: IGBT 供應(yīng)端產(chǎn)能 需求進(jìn)展

2月22日最新消息,據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計與分析,2022年IGBT因電動車與光伏發(fā)電市場的強勁需求,在供應(yīng)端產(chǎn)能有限的情況下,整體供需缺口達(dá)13.6%。


展望2023年,全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能持續(xù)擴張,加上經(jīng)濟陰霾恐導(dǎo)致電動車市場增速走緩,其余IGBT相關(guān)應(yīng)用中,僅新能源發(fā)電新增裝機量動能明確,因此2023年全球IGBT供需缺口將收窄,當(dāng)前短缺現(xiàn)象逐漸邁入尾聲。


來源:網(wǎng)絡(luò)


機構(gòu)分析顯示,IGBT芯片市場價格由行業(yè)供應(yīng)端、制造端及消費端共同作用而成、并逐級傳導(dǎo)。供應(yīng)端的成本價格包括原材料及輔料價格、人力價格、設(shè)備廠房價格、燃料動力價格等,其中原材料價格受礦產(chǎn)資源、國際形勢、突發(fā)事件的影響極大,也是影響IGBT市場價格的重要因素;供應(yīng)端價格傳導(dǎo)至制造端形成了生產(chǎn)成本,制造業(yè)綜合供需溢價、研發(fā)成本和企業(yè)利潤,形成“制造端價格”傳導(dǎo)至消費端,而消費市場需求彈性也反作用于供應(yīng)端、制造端,形成“價格-需求-價格”的傳導(dǎo)路徑來影響IGBT芯片市場定價。


國內(nèi)來看,資料顯示,目前中國IGBT芯片行業(yè)自給率較低,大部分依賴進(jìn)口,國內(nèi)主要市場份額被英飛凌、富士、三菱等企業(yè)壟斷。由于IGBT單管及模塊企業(yè)同樣是主要的IGBT芯片生產(chǎn)企業(yè),故從IGBT單管及模塊市場集中度來大致反映國內(nèi)IGBT芯片市場集中度狀況,2020年,全球IGBT單管市場CR3、CR5、CR10分別為54.2%、657.4%、85.7%;全球IGBT模塊市場CR3、CR5、CR10分別為57.6%、66.7%、79.1%。綜合來看,IGBT單管及模塊市場集中度高,市場份額被頭部企業(yè)壟斷,大致可以反映出我國IGBT芯片市場集中度同樣較高,國外頭部企業(yè)及國內(nèi)代表性企業(yè)占據(jù)了主要市場份額。


另一方面,我國IGBT芯片廠商生產(chǎn)模式各有不同,其下游客戶及產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域也有所差異。例如,士蘭微下游主要市場為白電、工控、新能源車、光伏領(lǐng)域;華潤微下游主要應(yīng)用于工控、新能源車領(lǐng)域;時代電氣主要布局軌交、電網(wǎng)、新能源車、新能源發(fā)電領(lǐng)域;斯達(dá)半導(dǎo)主要開拓工業(yè)、新能源車、光伏下游領(lǐng)域;新潔能下游市場為光伏、白電領(lǐng)域;宏微科技主要布局工控、光伏、新能源車領(lǐng)域。


數(shù)據(jù)顯示,主要代表企業(yè)中,時代電氣2021年整體營業(yè)收入規(guī)模最大,為151億元,但I(xiàn)GBT業(yè)務(wù)收入占比較少,約為6%;斯達(dá)半導(dǎo)IGBT業(yè)務(wù)專注度較高,雖然整體營收規(guī)模一般(約為17億元),但I(xiàn)GBT收入達(dá)16億元,占比超過94%。從企業(yè)IGBT芯片業(yè)務(wù)的競爭力來看,斯達(dá)半導(dǎo)的綜合競爭能力較強。


從五力競爭模型角度分析,我國IGBT芯片行業(yè)上游國產(chǎn)化程度較低,供應(yīng)能力有限,且定制化程度較高,供應(yīng)上議價能力較強;IGBT芯片市場需求空間較大,產(chǎn)品同質(zhì)化較低,對外依賴較大,消費者議價能力較弱;IGBT芯片行業(yè)對潛在進(jìn)入者的吸引力較大,但面臨著資金、技術(shù)、人才等高壁壘,綜合來看,行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅一般;IGBT芯片是目前我國鼓勵的發(fā)展方向,在多個領(lǐng)域應(yīng)用程度較深,在新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域的應(yīng)用空間將逐漸擴大,因此,行業(yè)替代品威脅較低;此外,我國IGBT芯片行業(yè)處于成長期,國產(chǎn)替代的背景下,行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有競爭者競爭較為激烈。


據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院,中國IGBT產(chǎn)品與國際巨頭英飛凌、三菱電機等差距在10年以上,步入第5代后,預(yù)計差距將縮短為10年,第6/7代產(chǎn)品差距將在5年以內(nèi)。從中國IGBT芯片行業(yè)代表性企業(yè)從技術(shù)格局來看,斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用第七代IGBT技術(shù),電壓覆蓋范圍為100-3300V;華微電子布局第六代IGBT技術(shù),電壓覆蓋范圍為360-1350V;士蘭微、時代電氣、宏微科技應(yīng)用第五代IGBT技術(shù);新潔能主要應(yīng)用第四代IGBT技術(shù)。