DRAM需求放緩,DDR5能否帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)入上升通道?
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)芯片 SK海力士 DRAM
上下游廠商“惺惺相惜”猛推新品
2020年7月15日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了下一代主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范(JESD79-5)。DDR5作為最新的高帶寬電腦存儲(chǔ)器規(guī)格,被業(yè)界視為具備“革命意義”的內(nèi)存架構(gòu)。與DDR4相比,DDR5具備更高速度、更大容量與更低能耗。全新DDR5內(nèi)存的最高傳輸速率達(dá)6.4Gbps,比DDR4內(nèi)存提升了一倍。這些特性有助于緩解每個(gè)核心的帶寬緊張難題,可進(jìn)一步推動(dòng)CPU內(nèi)核數(shù)量增加,并逐年提升計(jì)算能力。由于近期內(nèi)存市場(chǎng)需求低迷,DDR5被認(rèn)為是提振市場(chǎng)需求、擴(kuò)大內(nèi)存廠商營(yíng)收的“利器”。
SK海力士一直在加速研發(fā)DDR5新產(chǎn)品,以刺激客戶(hù)淘汰舊產(chǎn)品,擴(kuò)大市場(chǎng)需求。1月12日,SK海力士宣布,公司研發(fā)的第四代10納米級(jí)DDR5服務(wù)器DRAM,獲得了英特爾全新第四代Xeon服務(wù)器處理器兼容認(rèn)證。SK海力士表示,英特爾的第四代Xeon服務(wù)器處理器是存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè)反彈的關(guān)鍵,SK海力士將把握此次機(jī)會(huì),盡早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的低迷市況。1月25日,SK海力士再次宣布,公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出當(dāng)前速度最快的移動(dòng)DRAM(內(nèi)存)“LPDDR5T”,并已向客戶(hù)提供了樣品。據(jù)介紹,本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps。
SK海力士預(yù)測(cè),雖然今年上半年的半導(dǎo)體市場(chǎng)情況可能持續(xù)低迷,但下半年會(huì)出現(xiàn)好轉(zhuǎn)。隨著市場(chǎng)需求逐漸回升,IT企業(yè)將增加價(jià)格大幅下降的存儲(chǔ)芯片使用量。。
賽迪顧問(wèn)集成電路高級(jí)分析師楊俊剛對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示,SK海力士推出第四代1α工藝級(jí)別的DDR5,單芯片容量高達(dá)24Gb,在性能上比前一代DDR5要提升至少70%,功耗最多可降低20%。同時(shí),SK海力士1α工藝級(jí)別的DDR5獲得了英特爾中央處理器的兼容認(rèn)可。在SK海力士收購(gòu)英特爾的存儲(chǔ)廠后,雙方將進(jìn)一步加強(qiáng)合作。
三星作為DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),占據(jù)DRAM市場(chǎng)40%以上份額,研發(fā)DDR5的速度也比較快。早在2020年2月,三星就宣布成功研發(fā)出DDR5芯片。2022年12月21日,三星宣布利用12納米級(jí)制程工藝成功開(kāi)發(fā)出16Gb DDR5 DRAM,近期與AMD完成了兼容性測(cè)試。三星表示,這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。
據(jù)悉,此次他們推出的16Gb DDR5 DRAM所取得的技術(shù)突破是通過(guò)使用一種新的高介電(high-k)材料來(lái)增加電池電容,以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專(zhuān)利設(shè)計(jì)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。結(jié)合先進(jìn)的多層EUV光刻技術(shù),這款產(chǎn)品擁有三星最高的DDR5 Die密度,可使晶圓生產(chǎn)率提高20%,功耗有望節(jié)省約23%,最高支持7.2Gbps的運(yùn)行速度,這意味著它可以在一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB超高清電影。12月22日,三星表示,為了搶占逐漸擴(kuò)大的DDR5市場(chǎng),計(jì)劃從明年開(kāi)始批量生產(chǎn),并向數(shù)據(jù)中心和人工智能等領(lǐng)域客戶(hù)供貨。
美光則在1月19日宣布推出新一代DDR5內(nèi)存模塊,產(chǎn)品覆蓋DDR5-5200/5600,最高擁有48GB容量的版本。據(jù)悉,美光新一代DDR5內(nèi)存可以支持5200MT/s和5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,以及1.1V電壓下的CL46延遲,同時(shí)兼容AMD EXPO和英特爾XMP 3.0配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了49%,配置最高可達(dá)48GB。
記者了解到,美光的新DDR5存儲(chǔ)模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認(rèn)證。美光還與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室,以縮短存儲(chǔ)芯片的驗(yàn)證周期。楊俊剛指出,從合作對(duì)象來(lái)看,三大存儲(chǔ)芯片廠商在DDR5方面主要與英特爾和超威半導(dǎo)體服務(wù)器處理芯片供應(yīng)商合作,能夠高效提升處理器芯片和存儲(chǔ)器芯片之間的兼容性。
服務(wù)器DRAM市場(chǎng)復(fù)蘇速度低于預(yù)期
DDR5作為新一代DRAM存儲(chǔ)技術(shù),與DDR4相比在傳輸速率和容量方面出現(xiàn)較大突破。因此,廠商搶先布局DDR5,是構(gòu)筑自身DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)的戰(zhàn)略需求。但業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場(chǎng)預(yù)期不能太過(guò)樂(lè)觀。
由于預(yù)計(jì)2023年智能手機(jī)出貨量增長(zhǎng)率與平均搭載容量增長(zhǎng)率并不樂(lè)觀,DRAM供應(yīng)商自2022年起,將原先分配給移動(dòng)端DRAM的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至需求前景相對(duì)明朗的服務(wù)器DRAM,試圖減輕移動(dòng)端DRAM的供需失衡壓力。
智能手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存平均搭載容量年增長(zhǎng)率自2022年開(kāi)始明顯放緩,主要是因?yàn)?022年智能手機(jī)廠商有比較大的庫(kù)存壓力,導(dǎo)致新品多以使用既有庫(kù)存規(guī)格為主。隨著2023年去庫(kù)存效果逐漸顯現(xiàn),TrendForce預(yù)計(jì)移動(dòng)端DRAM平均搭載容量年增長(zhǎng)率約為6.7%,高于2022年3.9%的增長(zhǎng)率。
受益于AI與HPC(高性能計(jì)算)的帶動(dòng),服務(wù)器DRAM在年出貨量增長(zhǎng)率與平均搭載容量增長(zhǎng)率均高于移動(dòng)端DRAM,預(yù)計(jì)也是未來(lái)幾年DRAM產(chǎn)量比重最高的分類(lèi)。由于DRAM供應(yīng)商在去年第三季度下調(diào)了服務(wù)器DRAM價(jià)格,這對(duì)出貨量的上升也是一個(gè)利好條件,TrendForce預(yù)計(jì)2023年服務(wù)器DRAM平均搭載容量年增長(zhǎng)率可達(dá)12.1%。
服務(wù)器DRAM需求的增長(zhǎng)通常也伴隨著企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)出貨量的增加。與服務(wù)器DRAM類(lèi)似,企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)在NAND閃存需求中所占比例也逐漸增大,TrendForce預(yù)計(jì)在2025年企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)有望成為NAND閃存最大的應(yīng)用領(lǐng)域。
DDR5并非是存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的救命稻草。一方面,受服務(wù)器和PC終端市場(chǎng)萎靡影響,去年DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)承壓明顯,整體市場(chǎng)出現(xiàn)較大下滑,DDR5對(duì)比DDR4利潤(rùn)率和溢價(jià)空間更大,DDR5滲透率增長(zhǎng)將會(huì)抬升DRAM整體市場(chǎng)ASP,另一方面,從實(shí)際市場(chǎng)情況來(lái)看,2022年DDR5對(duì)比利基型DRAM(DDR4及以下)市場(chǎng)整體降幅更大,主要原因還是終端需求的萎靡限制了高價(jià)格DDR5的滲透和應(yīng)用推廣。同時(shí),DDR5的應(yīng)用需要CPU芯片的支持,目前已發(fā)布的可支持DDR5的CPU產(chǎn)品還比較少,這也是限制DDR5滲透的重要原因。
但也有很多專(zhuān)家認(rèn)為,DDR5對(duì)產(chǎn)品性能、功耗等方面大幅度提升,隨著技術(shù)不斷成熟、成本持續(xù)降低,DDR5產(chǎn)品未來(lái)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)繼續(xù)擴(kuò)張。
TrendForce集邦咨詢(xún)分析師吳雅婷就十分看好DDR5的發(fā)展。在她看來(lái),隨著時(shí)間的推移,預(yù)計(jì)自2023年起,服務(wù)器端將逐步導(dǎo)入DDR5,在server新平臺(tái)的帶動(dòng)下,將會(huì)拉高DDR5比重。DDR5有望取代DDR4,DDR5 DRAM將迎來(lái)快速普及期,成為市場(chǎng)中供給/采用的主流產(chǎn)品。TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為,DDR5與DDR4成為主流應(yīng)用的交會(huì)點(diǎn)應(yīng)該在2024年底前或2025年初。
相信在產(chǎn)品單價(jià)、產(chǎn)能達(dá)到需求,英特爾和AMD等廠商的積極應(yīng)用推動(dòng)下,DDR5將會(huì)取代DDR4成為DRAM的主流產(chǎn)品,三家企業(yè)在DDR5 DRAM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)變得更加激烈。
