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美國(guó)拉上荷蘭、日本,要鎖死中國(guó)芯在14nm?我們已有應(yīng)對(duì)方案

2023-02-09 來(lái)源: 互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: 芯片 光刻機(jī) 半導(dǎo)體設(shè)備

眾所周知,目前國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的芯片制造工藝是14nm,但是這個(gè)14nm是利用國(guó)外的設(shè)備實(shí)現(xiàn)的,比如是ASML的光刻機(jī),美國(guó)應(yīng)用材料、泛林等的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

如果使用全套國(guó)產(chǎn)設(shè)備/技術(shù),目前國(guó)內(nèi)連28nm工藝都實(shí)現(xiàn)不了,有業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)全套國(guó)產(chǎn)設(shè)備,估計(jì)實(shí)現(xiàn)28nm都得3-5年才行,當(dāng)然這種推測(cè)真假就不清楚了。

所以這種形勢(shì)下,就讓美國(guó)看到了機(jī)會(huì),想要鎖死中國(guó)芯在14nm工藝,因?yàn)檫@樣中國(guó)就必須得向美國(guó)購(gòu)買(mǎi)先進(jìn)芯片,這樣美國(guó)除了獲得經(jīng)濟(jì)利益外,還能夠達(dá)到一些政治目的。

而為了鎖死這個(gè)14nm工藝,美國(guó)也找出了其中的破綻,比如ASML的光刻機(jī),日本的尼康也能替代,尼康的浸潤(rùn)式光刻機(jī),至少可以達(dá)到7nm,佳能在研發(fā)的NIL光刻機(jī),可以達(dá)到5nm。

另外東京電子的半導(dǎo)體設(shè)備,可以替代美國(guó)應(yīng)用材料、泛林的設(shè)備,于是美國(guó)拉上了荷蘭、日本一起來(lái)封堵。

美國(guó)拳頭大,荷蘭、日本不得不聽(tīng)美國(guó)的,所以ASML、尼康等縱有萬(wàn)般不愿意,也得乖乖的登上美國(guó)的“賊船”,一起加入制裁陣營(yíng)。

我們當(dāng)然不愿意鎖死在14nm工藝啊,那如何應(yīng)對(duì)呢?有沒(méi)有方案,其實(shí)從現(xiàn)在的情況來(lái)看,中芯等廠(chǎng)商,已經(jīng)做好了準(zhǔn)備。

首先全產(chǎn)業(yè)鏈突破,這是必須項(xiàng),從光刻機(jī)到半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體設(shè)備,EDA等等,努力突破,追上國(guó)際先進(jìn)水平,沒(méi)有短板,也就沒(méi)有脖子了,讓美國(guó)怎么卡?

但這個(gè)需要非常長(zhǎng)的時(shí)間,且難度相當(dāng)大,畢竟目前全球沒(méi)有一個(gè)國(guó)家,能夠搞定半導(dǎo)體的全部產(chǎn)業(yè)鏈,美國(guó)不行,所以還是未知數(shù)。

但從另外一個(gè)角度來(lái)看,如果中國(guó)在一些關(guān)鍵領(lǐng)域達(dá)到領(lǐng)先水平,可以卡美國(guó)脖子,那么相互牽制,就不存在誰(shuí)卡誰(shuí)了,就平衡了,所以這條路一定要走。

其次,是換道來(lái)超車(chē),既然在硅基芯片這條路上,要追上對(duì)方難,我們就換方向啊。

比如光子芯片,量子芯片,碳基芯片等,這些目前國(guó)內(nèi)都在研究,且并沒(méi)有落后,基本是處于世界前列的,但說(shuō)真的,目前離真正大規(guī)模應(yīng)用,也一樣有蠻遠(yuǎn)的路要走,急不得。

目前最為現(xiàn)實(shí)的,應(yīng)該是Chiplet這樣的先進(jìn)封裝技術(shù),以及一些的架構(gòu)、新的工藝設(shè)計(jì)等,用14nm這樣的工藝,也能夠?qū)崿F(xiàn)7nm甚至5nm這樣的性能出來(lái)。

比如華為曾經(jīng)申請(qǐng)的芯片堆疊專(zhuān)利等,用相對(duì)不那么先進(jìn)的工藝,實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝的性能,會(huì)是未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),中國(guó)芯努力的方向。

此外就是加大對(duì)成熟芯片的產(chǎn)能投入,目前像中芯、華虹已經(jīng)在做了,大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)28nm工藝的產(chǎn)能,畢竟國(guó)內(nèi)的芯片需求非常大,先進(jìn)工藝暫時(shí)搞不定,那么就擴(kuò)大成熟芯片產(chǎn)能,拿下更多的市場(chǎng),積攢更多的能量,最終來(lái)進(jìn)行突破。