12月29日，據華潤微電子官方公眾號消息，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產線以及先進功率封測基地實現通線。

公開資料顯示，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產線項目總投資75.5億元，項目建成后預計將形成月產3-3.5萬片12英寸中高端功率半導體晶圓生產能力，并配套建設12英寸外延及薄片工藝能力。

據悉，從項目公司注冊成立，華潤微電子僅用18個月即實現包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結SJ MOS在內的四個產品平臺全部通線，該項目進入產品投產流通與產能建設上量并行階段。

此外，華潤微電子先進功率封測基地項目，是華潤微電子布局的中高端功率封裝項目，致力于打造聚焦于汽車電子和工控市場、國內工藝全面、技術先進、規(guī)模領先的功率半導體專用封測工廠，包括模塊級、晶圓級、框架級、面板級多條封裝測試生產線。項目2021年11月正式開工；今年7月，先進功率封測基地成功實現主體封頂；12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產品順利產出，良率99.5%，各項指標滿足產品規(guī)范，項目成功通線。

伴隨著華潤微旗下潤西微電子重慶12英寸車規(guī)級功率器件晶圓生產線和配套的車規(guī)級先進功率半導體封測基地建成投產，華潤微車規(guī)級功率器件產業(yè)基地已初步成型，將持續(xù)支撐公司產品應用升級，進一步完善在車規(guī)功率半導體領域的布局。

除了華潤微電子外，士蘭微，斯達半導、安世半導體、東微半導體、新潔能等企業(yè)在高壓、低壓MOSFET和IGBT器件等領域實現突破，產品在市場上嶄露頭角。

士蘭微方面，2022年10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，目標在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片生產能力。

斯達半導則在2022年公司基于第六代Trench Field Stop技術的車規(guī)級IGBT模塊獲得多個平臺/項目定點，對標英飛凌的第七代FS-Trench型新一代車規(guī)級IGBT芯片也取得突破性進展，進一步鞏固其龍頭地位。

安世半導體方面，則不斷加強在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品布局，2022年5月，安世半導體已在奧地利薩爾茨堡與Kyocera AVX Components簽署了一項協議，生產氮化鎵（GaN）汽車功率模塊。該協議目標是以新的封裝技術為基礎，共同開發(fā)用于電動汽車的GaN應用。

東微半導體方面，其TGBT產品經過2021年下半年的小批量過程，2022年進入高速增長階段，成為公司業(yè)務的新增長點。其推出高功率超級結產品，相繼研發(fā)了并聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體，已有產品的工作電壓范圍已覆蓋600V-1350V，工作電流覆蓋至15A-160A。

新潔能則在2022年4月表示，公司的碳化硅產品1200V SiC MOSFET首次流片驗證完成，產品部分性能達到國內先進水平。此外，其600V-1350V的溝槽型場截止IGBT、500V-900V的第三代超結功率 MOSFET、30V-300V的屏蔽柵功率MOSFET、12V-250V的溝槽型功率MOSFET均已實現量產及系列化。