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美國的目標:鎖死中國14nm芯片,18nm內(nèi)存,128層存儲

2023-01-03 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: SMIC 半導(dǎo)體 光刻機

眾所周知,隨著中國芯片產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,美國也是越來越緊張。

因為中國是全球最大的半導(dǎo)體消費市場,去年進口的芯片金額超過4000億美元,這個規(guī)模差不多是全球芯片中的三分之二(全球芯片規(guī)模才6000億美元左右),都要跑到中國來轉(zhuǎn)一圈了。

這些芯片,有些消耗在了中國市場,有些是在中國制作成各種電子產(chǎn)品,再賣到全世界。

一旦中國實現(xiàn)了芯片自給,那么進口會大大減少,這嚴重不符合美國的利益。一方面是因為美國的芯片占全球50%左右的份額,一旦中國自給率提高了,美國的芯片賣給誰?這是直接經(jīng)濟損失。

另外一方面則更重要,因為美國靠芯片產(chǎn)業(yè),牢牢的控制著全球的科技生產(chǎn)力,一旦中國不需要美國的芯片了,美國就無法拿芯片來控制(要挾)中國市場了,進而無法控制全球市場了,這背后的政治利益,比經(jīng)濟利益更要命。

所以美國這幾年不斷的升級芯片禁令,特別是今年,密集出臺了各種新規(guī)來針對中國芯。

目前,美國已經(jīng)將EDA工具、先進半導(dǎo)體制造設(shè)備等其具有絕對優(yōu)勢的技術(shù)領(lǐng)域作為限制中國先進半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵“武器”。

從禁令的具體內(nèi)容來看,美國的目標非常明顯,從三個方面來鎖死中國芯片的發(fā)展,一是鎖死了16/14nm以下先進邏輯制程。

二是鎖死128層及以上3D NAND的制造。三是鎖死18nm及以下DRAM的發(fā)展。通過這三個方向的針對,希望中國的芯片能力,只停留在成熟(落后)階段,不允許中國有先進的技術(shù),這樣中國就得一直依賴美國的芯片,受美國控制。

在這樣的情況下,我們應(yīng)該辦?

一是我們不得不轉(zhuǎn)向那些對于先進半導(dǎo)體工藝和EDA工具不強敏感的芯片研發(fā)技術(shù),聚焦提升成熟工藝的PPA,發(fā)展新材料等。

二是先把成熟工藝的邏輯芯片、DRAM、NAND等產(chǎn)能提升上來,先滿足國內(nèi)巨大的需求,也能減少對國外的依賴。

三是努力的發(fā)展產(chǎn)業(yè)鏈,將EDA、半導(dǎo)體設(shè)備等工藝也提升上來,然后全方面的擺脫對國外先進EDA工具、半導(dǎo)體設(shè)備的依賴,最后實現(xiàn)一勞永逸。

四是發(fā)展Chiplet等先進封裝技術(shù),在工藝無法提升的基礎(chǔ)上,想辦法提升性能,減少與國外先進芯片的差距。

另外值得一提的是,目前長江存儲已經(jīng)實現(xiàn)了232層堆疊的3D NAND閃存,還是全球首發(fā),但后續(xù)在先進設(shè)備支持上,可能也會受到限制,進而影響產(chǎn)能。

但不管怎么樣,既然禁令已經(jīng)打過來了,我們也不得不全力應(yīng)對,也許過程很困難,道路也會非常曲折,但依托中國的龐大市場,一定會有一批批的極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品和解決方案將面世,從而打破封鎖,繞開禁令,最終有效緩解國外對我們實施的禁運并打破遏制。