眾所周知，當(dāng)芯片工藝提升，快要達(dá)到極限時(shí)，越來越多的廠商，就另想它法，來為摩爾定律續(xù)命了。

比如芯片堆疊，Chiplet技術(shù)等，通過幾塊芯片，整合成一塊，最終在工藝不斷的情況下，達(dá)到性能提升的目標(biāo)。

特別是國內(nèi)，很多人都認(rèn)為，芯片堆疊或Chiplet技術(shù)，是我們彎道超車的方向之一，能夠挽救當(dāng)前工藝暫時(shí)無法提升的中國芯。

事實(shí)上，芯片堆疊也好，Chiplet技術(shù)也好，其本質(zhì)是3D封裝技術(shù)，那么問題就來了，目前在3D封裝這一塊，究竟誰最厲害？誰的專利最多？

結(jié)果是很遺憾的，那就是國內(nèi)的企業(yè)在先進(jìn)3D封裝這一塊，還是落后的，所以大家認(rèn)為的我們可以用芯片堆疊、Chiplet技術(shù)彎道超車，真不現(xiàn)實(shí)，因?yàn)閯e人比你更厲害，你怎么彎道上超車？

先給一個(gè)數(shù)據(jù)，這是2021年半導(dǎo)體廠們用于先進(jìn)封裝技術(shù)的資本支出，前5名分別是英特爾、臺積電、日月光、三星、安可。這5大廠商，貢獻(xiàn)了91%的資本支出。

而國內(nèi)的長電、通富貢獻(xiàn)的資本支出約為9%，還不及英特爾的三分之一。沒有錢，哪來的先進(jìn)技術(shù)？

再說先進(jìn)技術(shù)這一塊，臺積電的CoWoS封裝技術(shù)已發(fā)展到第五代，臺積電已將自身的先進(jìn)封裝技術(shù)整合為了3DFabric技術(shù)平臺，包含臺積電前端的SoIC技術(shù)和后端CoWoS、InFO封裝技術(shù)。

而三星的先進(jìn)封裝技術(shù)，包括I-Cube、X-Cube、R-Cube和H-Cube四種方案。其中R-Cube和H-Cube是2.5D封裝技術(shù)，而X-Cube是3D封裝技術(shù)。

英特爾在2014年就有了2.5D封裝技術(shù)EMIB，后來在2018年又發(fā)布了Foveros 3D封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)芯片的各種堆疊方案。2019年，英特爾又發(fā)布了新的三大先進(jìn)封裝技術(shù)，分別為Co-EMIB、ODI和MDIO。

從目前行業(yè)情況來看，英特爾、三星、臺積電這三家芯片制造巨頭，才是先進(jìn)封裝的第一梯隊(duì)，而封測廠其實(shí)已經(jīng)慢慢落后為第二梯隊(duì)了。

所以目前在芯片堆疊、Chiplet等技術(shù)上，也是晶圓廠們在領(lǐng)先，畢竟制造處于更前端，至于封測已經(jīng)難以具備前端優(yōu)勢了，落后于第一梯隊(duì)了。

而芯片堆疊、什么Chiplet技術(shù)，其實(shí)就是拼的3D封裝，在這種情況下，你覺得我們能彎道超車么？

所以請大家現(xiàn)實(shí)點(diǎn)，認(rèn)清自己的差距，努力去追趕，不要總想著某一項(xiàng)新技術(shù)拿出來彎道超車。在基礎(chǔ)本來就弱于別人的情況下，基本是沒彎道超車的可能，你覺得呢？