中美關(guān)系2019年開始緊張之后，老美針對我國高科技進行打壓，導致很多高科技公司受到很大的損失。由于我國高科技發(fā)展時間短，很多公司為了能夠快速崛起，提升營業(yè)額，漂亮的業(yè)績數(shù)據(jù)表，所以選擇了“造不如買”的道路，所以更多的關(guān)鍵技術(shù)全依賴歐美國家，也就有了現(xiàn)在被“卡脖子”。

其實選擇“造不如買”沒有錯，錯在沒有選擇“自己動手，豐衣足食”，自主研發(fā)，掌握屬于自己的核心技術(shù)。

現(xiàn)在老美不斷通過各種手段打壓，制裁阻礙我國科技的發(fā)展，而很多公司因過度使用美技術(shù)，有時成了老美案板的魚肉，任人宰割，像中興，被美罰款11.92億美元。核心技術(shù)領(lǐng)域受人牽制，只能忍讓。所以老美才會無所顧忌打壓中企，無理由制裁，霸權(quán)主義。特別是光刻機及高端芯片領(lǐng)域，我們只能陷入被動。

值得我們反思的是，正是老美的這種霸權(quán)強壓制裁，才徹底撕開了我國半導體領(lǐng)域的“遮丑布”。慶幸的是我們沒有被老美擊潰，在絕境之下，只能破釜沉舟，倒逼著我國高科技公司在芯片和光刻機領(lǐng)域加大研發(fā)進度，以及對半導體相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的全方位布局。

全球芯片的主材料是硅基，在這個領(lǐng)域老美是創(chuàng)造者，并且成功研發(fā)了世界上第一顆芯片。而在硅基芯片方面，國內(nèi)芯片公司和老美比很難有勝率。畢竟很多關(guān)鍵技術(shù)都在老美手中掌握，想要突破壁壘，難度之大難以想象。

不過隨著硅基芯片的快速發(fā)展，一枚小小的芯片，越小研發(fā)的難度就會幾何倍增加。現(xiàn)在臺積電和三星已經(jīng)成功研發(fā)3nm工藝芯片，臺積電已布局2nm工藝，制程工藝已經(jīng)在逼近摩爾定律的物理極限，這個時候恰恰是“中國芯”的機會，研發(fā)芯片工藝技術(shù)方向（量子芯片、光子芯片、疊堆芯片），不被別人“卡脖子”，全新的賽道或許是我們實現(xiàn)彎道超車的契機，而芯粒技術(shù)就顯得尤為重要了。

其實新賽道這一點，不僅我國在研發(fā)，全球芯片巨頭公司也在布局研發(fā)。硅基不斷逼近摩爾定律的物理極限，時間、精力、成本、代加工等方面會大幅提高，所以美企（高通、AMD、英特爾等）聯(lián)合組建“3D Fabric”研發(fā)聯(lián)盟，為的就是在未來的半導體芯片領(lǐng)域，繼續(xù)占據(jù)絕對優(yōu)勢，擁有修改游戲規(guī)則的權(quán)利。

而這個聯(lián)盟組建至今，沒有對我國任何一家企業(yè)發(fā)出邀請，這就是赤裸裸的“排斥”了。而在老美和歐盟對半導體行業(yè)發(fā)布巨大補貼誘惑時，我國不甘落后，隨即發(fā)布了萬億級別的補貼政ce，就是為了助力國內(nèi)高科技的發(fā)展，為他們提提速。

這幾天很多媒體發(fā)布消息，中國版“芯片標準”的消息已經(jīng)刷屏。12月16日《小芯片接口總線技術(shù)要求》標準的制定，包含了芯片設(shè)計、接口要求、鏈路層、物理層、適配層和封測等，對中國芯片以后的發(fā)展有著很大的作用。

央媒表示：堅持自主研發(fā)和多元化布局的發(fā)展，拋棄一切幻想。

前世界首富比爾.蓋茨曾說過：對華斷供芯片，愚不可及，這樣只會加快中國在芯片領(lǐng)域發(fā)展的速度。而我們現(xiàn)在再回頭看看比爾蓋茨說的話，太準了。

隨著中國“芯片標準”的推出，無疑是在向老美表示自己的態(tài)度，以及對我國實力的認可。長電科技公司利用堆疊的方式成功實現(xiàn)了4nm工藝，芯粒領(lǐng)域我們已經(jīng)取得了一些進步，從而降低對光刻機的依賴，通過小單元芯片的優(yōu)化組合，來滿足客戶對高端芯片不同的需求，生產(chǎn)性能高的高端芯片。

一切的一切，都是向好的開始。如果我們在芯粒技術(shù)領(lǐng)域取得核心技術(shù)，距離實現(xiàn)全面國產(chǎn)代替的目標又近了一步，這也是擺脫“去美化”的一種方式。不要奢求錦鯉般的好運，只求一切順利，不忘初心、砥礪前行，未來可期！