中商情報網(wǎng)訊：刻蝕制程位于薄膜沉積和光刻之后，目的是利用化學(xué)反應(yīng)、物理反應(yīng)、光學(xué)反應(yīng)等方式將晶圓表面附著的不必要的物質(zhì)去除，過程反復(fù)多遍，最終得到構(gòu)造復(fù)雜的集成電路。按照刻蝕的工藝不同可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕。

市場規(guī)模

全球刻蝕設(shè)備領(lǐng)域中，硅基刻蝕主要被 Lam 和 AMAT 壟斷，介質(zhì)刻蝕主要被TEL和Lam壟斷。2020年全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約為136億美元，同比增長23.64%。預(yù)計2022年將進一步增長至184億美元。

數(shù)據(jù)來源：Gartner、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場結(jié)構(gòu)

2020年介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約 60 億美元，占整體市場的56%；導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約 76 億美元，占整體市場的44%。

數(shù)據(jù)來源：Gartner、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理