眾所周知，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士等幾大巨頭牢牢的控制著市場(chǎng)。這幾大巨頭，不僅市場(chǎng)份額非常高，同時(shí)技術(shù)很先進(jìn)。

而中國(guó)作為全球最大的芯片消費(fèi)市場(chǎng)，之前存儲(chǔ)芯片的份額接近于0，一直就是靠進(jìn)口，每年要付出大量外匯。

后來(lái)國(guó)內(nèi)成立了三大存儲(chǔ)芯片基地，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，想要打破國(guó)外壟斷，研發(fā)中國(guó)人自己的存儲(chǔ)芯片。

不過(guò)福建晉華被打壓，基本上就處于停滯狀態(tài)了，只有長(zhǎng)江存儲(chǔ)專注于NAND閃存，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)專注于DRAM內(nèi)存，并且這幾年發(fā)展迅速，實(shí)現(xiàn)了從0到1的突破，打破了國(guó)外的壟斷。

但從技術(shù)上來(lái)看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也好，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也好，較國(guó)際先進(jìn)水平還是有一點(diǎn)距離的。

而昨天，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2022年閃存峰會(huì)（FMS）上正式宣布，公司推出了基于晶棧?3．0（Xtacking?3．0）技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3－9070。

而按照業(yè)內(nèi)人士對(duì)這個(gè)閃存產(chǎn)品的分析，表示該3D NAND閃存堆疊層數(shù)或已達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先的232層。

232層是什么概念？美光在7月份的時(shí)候，才發(fā)布全球首款232層3D NAND芯片，并表示在年度底量產(chǎn)。

而SK海力士在今天才表示，他們研發(fā)出了238層512Gb TLC（Triple Level Cell）4D閃存芯片（NAND）樣品，于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)順利推出232層堆疊的X3－9070，意味著當(dāng)前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在NAND產(chǎn)品上，已成功追上業(yè)界頂尖水平。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)2016年才成立，僅6年時(shí)間就追了上來(lái)，憑的是什么？當(dāng)然是自研的Xtacking技術(shù)了，也稱之為“晶棧”技術(shù)。

通過(guò)Xtacking技術(shù)，可以獲得更高的存儲(chǔ)密度，更低的成本。且長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)還發(fā)展到了第三代，一代比一代更強(qiáng)，存儲(chǔ)密度更高。

對(duì)此，不知道大家怎么看？早幾天有媒體報(bào)道稱，美國(guó)擬禁止用于128層以上的半導(dǎo)體設(shè)備賣(mài)到中國(guó)大陸來(lái)，以便圍堵中國(guó)存儲(chǔ)芯片的發(fā)展。

現(xiàn)在232層的技術(shù)都推出來(lái)了，這個(gè)對(duì)128層設(shè)備的圍堵已經(jīng)不起作用了，接下來(lái)是不是要提升一下層數(shù)了，比如禁止232層技術(shù)以上的設(shè)備了？