在日前舉辦的該公司技術日活動上，汽車電子巨頭博世宣布將在2026年前再投入30億歐元用于其半導體業(yè)務擴張。

據(jù)介紹，這一預算中將有1.7億歐元用于該公司在羅伊特林根和德累斯頓設立開發(fā)中心，另有2.5億歐元用于晶圓制造設施改造升級，將潔凈室面積增加約3600平米。

除了產(chǎn)能擴充，博世還將進一步加大新產(chǎn)品新工藝開發(fā)力度，在已實現(xiàn)量產(chǎn)的碳化硅器件外，博世正在研究車用耐高壓氮化鎵功率器件，以向客戶提供更具性價比的產(chǎn)品選項。

此外，博世方面還透露計劃在片上系統(tǒng) (SoC)和MEMS領域擴展產(chǎn)品布局，例如為實現(xiàn)自動駕駛功能提供集成雷達射頻的微傳感器，以及可用于AR眼鏡的MEMS微投影模塊。

博世方面還透露，該公司已申請歐盟公共資金資助，將參與歐洲共同利益重大項目（IPCEI）中微電子和通訊技術主題發(fā)展。

目前，博世在羅伊特林根和德累斯頓分別擁有8英寸和12英寸晶圓制造設施，并正在馬來西亞檳城建設半導體測試中心，預計將于2023年投入使用。