- 消息稱 SK 海力士正開發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce 預計 NAND 閃存需求明年增長 28.9%,供給增長 32%
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存:傳輸速度提升 50%,能耗減少 21%
- SK 海力士開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片,明年上半年量產(chǎn)
- SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存
- SK海力士擬年內(nèi)試產(chǎn)238層NAND閃存
- 美光宣布全球首款 232 層 TLC NAND 芯片出貨
- 2022年全球NAND閃存市場現(xiàn)狀及應用分布預測分析(圖)
- 2022年全球NAND閃存存儲容量及競爭格局預測分析(圖)
- TrendForce:供應鏈庫存積壓,第三季度 NAND Flash 價格跌幅擴大至 8%-13%