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我國氧化鎵外延生長技術(shù)取得重大突破,第四代半導(dǎo)體漸行漸近
第四代半導(dǎo)體再突破,我國團隊在 8 英寸硅片上制備出高質(zhì)量氧化鎵外延片
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第四代半導(dǎo)體雖潛力股眾多,但氧化鎵卻是“天賦型”選手,將與碳化硅同爭輝
力積電第四代半導(dǎo)體取得突破
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