- 消息稱 SK 海力士正開發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
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- 消息稱 SK 海力士將于明年初在美國新建芯片封裝工廠,耗資數(shù)十億美元
- 美國對華“組合拳”顯成效?傳三星、SK海力士重新評估對華投資,或轉(zhuǎn)向美國
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存:傳輸速度提升 50%,能耗減少 21%
- 成功通過中國、韓國反壟斷審查,SK 海力士 5758 億韓元正式收購 Key Foundry
- SK 海力士開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片,明年上半年量產(chǎn)
- 傳輸速度暴增50%:SK海力士宣布238層NND閃存!國產(chǎn)閃存迎頭趕上
- 存儲芯片價(jià)格 Q3 預(yù)計(jì)下滑超過 5%,將影響三星與 SK 海力士業(yè)績
- 韓國芯片庫存增幅創(chuàng)6年紀(jì)錄!三星、SK海力士紛紛預(yù)警