FDMS8888_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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FDMS8888 N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，融合小型化設(shè)計與高效散熱性能，為用戶帶來卓越使用體驗。該器件參數(shù)卓越支持最高30V的漏源電壓(VDSS)，可承載高達(dá)50A的連續(xù)電流，且具備6.5mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了高能效轉(zhuǎn)換和低損耗運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等大電流領(lǐng)域，是提高系統(tǒng)性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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