RJK0365DPA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
RJK0365DPA N溝道MOSFET采用現代化DFN5X6-8L封裝技術，實現卓越的小型化與高效散熱。該器件關鍵特性包括支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，能提供穩(wěn)定的50A連續(xù)電流，而其低至6.5mΩ的導通電阻(RD(on))確保了出色的能效和低損耗。廣泛運用于電源轉換、電機驅動等高電流應用場景，是提升系統(tǒng)性能、實現節(jié)能目標的理想半導體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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