SIRA01DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/90.0A 參數(shù)4：RDON/3.6mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SIRA01DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，集高效散熱與小型化于一體。該器件特色鮮明具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達90A的連續(xù)工作電流，且導通電阻(RD(on))低至3.6mΩ，顯著提高了功率轉(zhuǎn)換效率并降低了能耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等對電流需求大的領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能、實現(xiàn)節(jié)能目標的優(yōu)選半導體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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