BSC057N08NS3G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/85.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.3mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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BSC057N08NS3G 是一款高性能N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝技術(shù)，專為高功率密度和低功耗應(yīng)用設(shè)計。該器件能在85V的電壓VDSS下穩(wěn)定工作，同時支持高達(dá)100A的連續(xù)電流，展現(xiàn)出卓越的電力傳輸能力。其核心優(yōu)勢在于僅有4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，最大限度地減少了能量損失，提升了整體能效。BSC057N08NS3G 廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電動設(shè)備驅(qū)動、新能源系統(tǒng)等場景，是追求高效能與小型化的理想半導(dǎo)體解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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