SI7850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/20.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先進(jìn)DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，具有出色的60V漏源電壓VDSS和高達(dá)30A的連續(xù)電流ID處理能力，特別適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)合。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為20mR，顯著提高了電路效率并降低了功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
