GKI04076_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
GKI04076 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，特別適合空間有限的設(shè)計項目。器件具有優(yōu)越的電氣性能，包括40V的漏源擊穿電壓(VDSS)和高達60A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且其低至6.9mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))大大提升了系統(tǒng)的能源效率。該MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域，是您追求高功率密度和高效能解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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