SIR426DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIR426DP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小巧的DFN5X6-8L封裝，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的緊湊設(shè)計(jì)而生。該器件提供了40V的漏源電壓(VDSS)，并支持高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大電流處理能力。更值得一提的是其出色的導(dǎo)通電阻僅為6.9mΩ(RD(on))，有效降低功耗，提高能源效率。這款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等各種高功率應(yīng)用場景，是您實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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